科目: 來(lái)源: 題型:
某元素原子的結(jié)構(gòu)示意圖為,該原子
A.核電荷數(shù)為32 B.核外電子數(shù)為6 C.最外層電子數(shù)為16 D.有3個(gè)電子層數(shù)
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科目: 來(lái)源: 題型:
基因測(cè)序研究中,常用3215P作標(biāo)記物,下列關(guān)于3215P的說(shuō)法正確的是
A.質(zhì)子數(shù)為32 B.質(zhì)量數(shù)為15 C.32P與33P互為同位素 D.中子數(shù)為15
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科目: 來(lái)源: 題型:
硅在地殼中的含量較高。硅及其化合物的開(kāi)發(fā)由來(lái)已久,在現(xiàn)代生活中有廣泛應(yīng)用。回答下列問(wèn)題:
(1)1810年瑞典化學(xué)家貝采利烏斯在加熱石英砂、木炭和鐵時(shí),得到一種“金屬”。這種“金屬”可能是 。
(2)陶瓷、水泥和玻璃是常用的硅酸鹽材料。其中,生產(chǎn)普通玻璃的主要原料有 。
(3)高純硅是現(xiàn)代信息、半導(dǎo)體和光伏發(fā)電等產(chǎn)業(yè)都需要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上提純硅有多種路線,其中一種工藝流程示意圖及主要反應(yīng)如下:
①用石英砂和焦炭在電弧爐中高溫加熱也可以生產(chǎn)碳化硅,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為 ;碳化硅又稱 ,其晶體結(jié)構(gòu)與 相似。
②在流化床反應(yīng)的產(chǎn)物中,SiHCl3大約占85%,還有SiCl4、SiH2Cl2、SiH3Cl等,有關(guān)物質(zhì)的沸點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表,提純SiHCl3的主要工藝操作依次是沉降、冷凝和 。
物質(zhì) | Si | SiCl4 | SiHCl3 | SiH2Cl2 | SiH3Cl | HCl | SiH4 |
沸點(diǎn)/℃ | 2355 | 57.6 | 31.8 | 8.2 | -30.4 | -84.9 | -111.9 |
③SiHCl3極易水解,其完全水解的產(chǎn)物為 。
(4)氯堿工業(yè)可為上述工藝生產(chǎn)提供部分原料,這些原料是 。
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科目: 來(lái)源: 題型:
20-I(6分)下列敘述正確的是
A.合成氨的“造氣”階段會(huì)產(chǎn)生廢氣
B.電鍍的酸性廢液用堿中和后就可以排放
C.電解制鋁的過(guò)程中,作為陽(yáng)極材料的無(wú)煙煤不會(huì)消耗
D.使用煤炭轉(zhuǎn)化的管道煤氣比直接燃煤可減少環(huán)境污染
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科目: 來(lái)源: 題型:
圖A所示的轉(zhuǎn)化關(guān)系中(具體反應(yīng)條件略),a、b、c和d分別為四種短周期元素的常見(jiàn)單質(zhì),其余均為它們的化合物,i的溶液為常見(jiàn)的酸,a的一種同素異形體的晶胞如圖B所示。
回答下列問(wèn)題:
(1)圖B對(duì)應(yīng)的物質(zhì)名稱是 ,其晶胞中的原子數(shù)為 ,晶體類型為 。
(2)d中元素的原子核外電子排布式為 。
(3)圖A中由二種元素組成的物質(zhì)中,沸點(diǎn)最高的是 ,原因是 ,該物質(zhì)的分子構(gòu)型為 ,中心原子的雜化軌道類型為 。
(4)圖A中的雙原子分子中,極性最大的分子是 。
(5)k的分子式為 ,中心原子的雜化軌道類型為 ,屬于 分子(填“極性”或“非極性”)。
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科目: 來(lái)源: 題型:
肉桂酸異戊酯G()是一種香料,一種合成路線如下:
已知以下信息:
①;
②C為甲醛的同系物,相同條件下其蒸氣與氫氣的密度比為22。
回答下列問(wèn)題:
(1)A的化學(xué)名稱為 。
(2)B和C反應(yīng)生成D的化學(xué)方程式為 。
(3)F中含有官能團(tuán)的名稱為 。
(4)E和F反應(yīng)生成G的化學(xué)方程式為 ,反應(yīng)類型為 。
(5)F的同分異構(gòu)體中不能與金屬鈉反應(yīng)生成氫氣的共有 種(不考慮立體異構(gòu)),其中核磁共振氫譜只有兩組峰,且峰面積比為3:1的為 (寫結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式)。
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