有下列離子晶體空間結(jié)構(gòu)示意圖：●為陽離子，○為陰離子．以M代表陽離子，N代表陰離子，化學(xué)式為MN₂的晶體結(jié)構(gòu)為（　�。�

A．

B．

C．

D．

ZnS晶體結(jié)構(gòu)有兩種型式，即立方ZnS和六方ZnS，如圖所示，這兩種型式的ZnS，化學(xué)鍵的性質(zhì)相同，都是離子鍵向共價鍵過渡，具有一定的方向性．下列說法錯誤的是（　�。�

A．Zn原子和S原子的配位數(shù)都是4，不同的是原子堆積方式有差別

B．在立方ZnS中，S原子作立方最密堆積，在六方ZnS晶體中，S原子作六方最密堆積

C．在立方ZnS中，Zn原子填充在所有的四面體空隙中，形成立方面心點陣

D．立方ZnS和六方ZnS不屬于同分異構(gòu)體

如圖是某活潑金屬A與活潑非金屬B形成的化合物晶體的一個晶胞，則下列說法中正確的是
（　　）

A．該晶胞是二維空間粒子非密置層的一層層堆積

B．該晶體的化學(xué)式是AB2

C．該晶胞中與A粒子最近且等距的A粒子有8個

D．該晶胞中A粒子、B粒子的配位數(shù)都是8

A、B、C、D、E都是元素周期表中前20號的元素，原子序數(shù)依次增大，B、C、D同周期，A、D同主族，E和其它元素既不在同周期也不在同主族，B、C、D的最高價氧化物的水化物兩兩混合均能發(fā)生反應(yīng)生成鹽和水．A和E可組成離子化合物，其晶胞（晶胞是在晶體中具有代表性的最小重復(fù)單元）結(jié)構(gòu)如圖所示，陽離子（用“●”表示）位于該正方體的頂點或面心；陰離子（用“○”表示）位于小正方體的中心．
根據(jù)以上信息，回答下列問題：
（1）比較A和D的氫化物，后者的沸點較低，
（2）其原因是______
（2）B的離子結(jié)構(gòu)示意圖為______，元素C在元素周期表中的位置是______；
（3）A和E形成的化合物的電子式是______．
（4）C原子的電子排布式是______．

已知X、Y、Z三種元素組成的化合物是離子晶體，其晶胞如圖所示，X、Y、Z分別處于立方體的頂點、棱邊的中點、立方體的體心．則下面表示該化合物的化學(xué)式正確的（　　）

A．ZXY3

B．ZX2Y6

C．ZX4Y8

D．ZX8Y12

現(xiàn)有七種元素，其中A、B、C、D、E為短周期主族元素，F(xiàn)、G為第四周期元素，它們的原子序數(shù)依次增大．請根據(jù)下列相關(guān)信息，回答問題．

A元素的核外電子數(shù)和電子層數(shù)相等，也是宇宙中最豐富的元素

B元素原子的核外p電子數(shù)比s電子數(shù)少1

C原子的第一至第四電離能分別是： I1=738kJ/mol  I2=1451kJ/mol  I3=7733kJ/mol  I4=10540kJ/mol

D原子核外所有p軌道全滿或半滿

E元素的主族序數(shù)與周期數(shù)的差為4

F是前四周期中電負性最小的元素

G在周期表的第七列

（1）已知BA₅為離子化合物，寫出其電子式______．
（2）B基態(tài)原子中能量最高的電子，其電子云在空間有______個方向，原子軌道呈______形
（3）某同學(xué)根據(jù)上述信息，推斷C基態(tài)原子的核外電子排布如圖：該同學(xué)所畫的電子排布圖違背了______．
（4）G位于______族______區(qū)，價電子排布式為______．
（5）DE₃中心原子的雜化方式為______，用價層電子對互斥理論推測其空間構(gòu)型為______．
（6）檢驗F元素的方法是______，請用原子結(jié)構(gòu)的知識解釋產(chǎn)生此現(xiàn)象的原因是______．
（7）若某單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如圖甲所示，其晶胞特征如圖乙所示，原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如圖丙所示．則晶胞中該原子的配位數(shù)為______，該單質(zhì)晶體中原子的堆積方式為四種基本模式中的______．

石墨烯是由碳原子構(gòu)成的單層片狀結(jié)構(gòu)的新材料（結(jié)構(gòu)示意圖如下），可由石墨剝離而成，具有極好的應(yīng)用前景．下列說法正確的是（　　）

A．石墨烯與石墨互為同位素

B．0.12g石墨烯中含有6.02×1022個碳原子

C．石墨烯是一種有機物

D．石墨烯中的碳原子間以共價鍵結(jié)合

晶胞是構(gòu)成晶體的基本重復(fù)單元．在二氧化硅晶胞中有8個硅原子位   于立方晶胞的8個頂角，有6個硅原子位于晶胞的6個面心，還有4個硅原子與16個氧原子在晶胞內(nèi)構(gòu)成4個硅氧四面體，它們均勻錯開排列于晶胞內(nèi)．根據(jù)圖示二氧化硅晶胞結(jié)構(gòu)，每個晶胞內(nèi)所含“SiO₂”基元數(shù)為（　�。�

A．4個

B．6個

C．8個

D．18個

某離子晶體的晶體結(jié)構(gòu)中最小重復(fù)單元如圖所示：A為陰離子，在正方體內(nèi)，B為陽離子，分別在頂點和面心，則該晶體的化學(xué)式為（　　）

A．B2A

B．BA2

C．B7A4

D．B4A7