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科目： 來(lái)源：云南省同步題 題型：單選題

下列敘述中，錯(cuò)誤的是

[ ]

A．離子化合物中可能含有非極性鍵
B．分子晶體中的分子內(nèi)不含有離子鍵
C．原子晶體中可能含有非極性鍵
D．分子晶體中的分子內(nèi)一定有共價(jià)鍵

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科目： 來(lái)源：同步題 題型：單選題

X、Y、Z、M、W為五種短周期元素。X、Y、Z是原子序數(shù)依次遞增的同周期元素，且最外層電子數(shù)之和為15；X與Z可形成XZ₂分子；Y與M形成的氣態(tài)化合物在標(biāo)準(zhǔn)狀況下的密度為0.76g/L，W的質(zhì)子數(shù)是X、Y、Z、M四種元素質(zhì)子數(shù)之和的1/2。下列說(shuō)法正確的是

[ ]

A．原子半徑：W>Z>Y>X>M
B．XZ₂、X₂M₂、W₂Z₂均為直線形的共價(jià)化合物
C．由X元素形成的單質(zhì)不一定是原子晶體
D．由X、Y、Z、M四種元素形成的化合物一定既有離子鍵，又有共價(jià)鍵

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科目： 來(lái)源：同步題 題型：填空題

通常人們把拆開(kāi)1mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(△H)，化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

請(qǐng)回答下列問(wèn)題。
(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低SiC____Si； SiCl₄____SiO₂（填“>”或“<”）。
(2)圖中立方體中心“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子，請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●” 表示出與之緊鄰的硅原子。

(3)工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制取：SiCl₄(g)+2H₂(g)

Si(s)+4HCl(g) 該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H=____kJ/mol。

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科目： 來(lái)源：同步題 題型：不定項(xiàng)選擇題

下列關(guān)于晶體的說(shuō)法中正確的是

[ ]

A．在晶體中只要有陰離子就一定有陽(yáng)離子
B．在晶體中只要有陽(yáng)離子就一定有陰離子
C．金屬晶體的熔點(diǎn)一定比分子晶體的高
D．原子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的高

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科目： 來(lái)源：同步題 題型：填空題

根據(jù)晶體內(nèi)部微粒的________和微粒間________的不同可以將晶體分為通過(guò)離子鍵形成的________晶體，以金屬鍵為基本作用形成的________晶體，通過(guò)共價(jià)鍵形成的________晶體和通過(guò)分子間作用力形成的________晶體。

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科目： 來(lái)源：同步題 題型：不定項(xiàng)選擇題

最近，美國(guó)LawrenceLiremore國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(LLNL)的V．LotA.C