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科目: 來(lái)源:同步題 題型:單選題

下列晶體中屬于原子晶體的是
[     ]
A.氖
B.食鹽
C.干冰
D.金剛石

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科目: 來(lái)源:同步題 題型:單選題

干冰和二氧化硅晶體同屬ⅣA元素的最高價(jià)氧化物,它們的熔沸點(diǎn)差別很大的原因是
[     ]
A.二氧化硅分子量大于二氧化碳分子量
B.C、O鍵鍵能比Si、O鍵鍵能小
C.干冰為分子晶體,二氧化硅為原子晶體
D.干冰易升華,二氧化硅不能

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科目: 來(lái)源:同步題 題型:單選題

石墨晶體是層狀結(jié)構(gòu),在每一層內(nèi);每一個(gè)碳原于都跟其他3個(gè)碳原子相結(jié)合,如圖是其晶體結(jié)構(gòu)的俯視圖,則圖中個(gè)六元環(huán)完全占有的碳原子數(shù)是
[     ]
A.10個(gè)
B.18個(gè)
C.24個(gè)
D.14個(gè)

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科目: 來(lái)源:同步題 題型:單選題

2003年美國(guó)《科學(xué)》雜志報(bào)道:在超高壓下,科學(xué)家用激光器將CO2加熱到1800K,成功制得了類似石英的CO2原子晶體。下列關(guān)于CO2晶體的敘述中不正確的是
[     ]
A.晶體中C、O原子個(gè)數(shù)比為1∶2
B.該晶體的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)高、硬度大
C.晶體中C-O-C鍵角為180°
D.晶體中C、O原子最外層都滿足8電子結(jié)構(gòu)

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科目: 來(lái)源:同步題 題型:填空題

下圖為晶體硼的基本結(jié)構(gòu)單元,已知它為正二十面體(有二十個(gè)等邊三角形和一定數(shù)目的頂角),每一個(gè)頂點(diǎn)各有一個(gè)硼原子,通過(guò)觀察,此基本結(jié)構(gòu)單元由___________硼原子構(gòu)成?

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科目: 來(lái)源:同步題 題型:填空題

氮化硅是一種高溫陶瓷材料,它的硬度大、熔點(diǎn)高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,工業(yè)上曾普遍采用高純硅與純氮在
13000℃反應(yīng)獲得。
(1)氮化硅晶體屬于______________晶體。
(2)已知氮化硅的晶體結(jié)構(gòu)中,原子間都以單鍵相連,且N原子和N原子,Si原子與Si原子不直接相連,同時(shí)每個(gè)原子都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),請(qǐng)寫出氮化硅的化學(xué)式_______________.
(3)現(xiàn)用四氯化硅和氮?dú)庠跉錃鈿夥毡Wo(hù)下,加強(qiáng)熱發(fā)生反應(yīng),可得到較高純度的氮化硅。反應(yīng)的化學(xué)方程式為_________________.

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科目: 來(lái)源:同步題 題型:不定項(xiàng)選擇題

下列晶體中由原子直接構(gòu)成的單質(zhì)有
[     ]
A.白磷
B.氦
C.金剛石
D.金屬鎂?

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科目: 來(lái)源:0103 期末題 題型:單選題

下列化合物,按其晶體的熔點(diǎn)由高到低排列正確的是
[     ]
A.SiO2 CsCl CBr4 CF4
B.SiO2 CsCl CF4 CBr4
C.CsCl SiO2 CBr4 CF4
D.CF4 CBr4 CsCl SiO2

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科目: 來(lái)源:0103 期末題 題型:單選題

下列說(shuō)法中正確的是
[     ]
A.碳化硅的熔點(diǎn)高于金剛石
B.H2O、H2S、H2Se的沸點(diǎn)依次升高
C.分子晶體的熔沸點(diǎn)很低,常溫下都呈液態(tài)或氣態(tài)
D.原子晶體中的各相鄰原子都以共價(jià)鍵相結(jié)合,熔沸點(diǎn)較高

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科目: 來(lái)源:上海高考真題 題型:單選題

下列判斷正確的是
[     ]
A.酸酐一定是氧化物
B.晶體中一定存在化學(xué)鍵
C.堿性氧化物一定是金屬氧化物
D.正四面體分子中鍵角一定是109°28′

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同步練習(xí)冊(cè)答案