A. | B. | C. | D. |
分析 根據(jù)題意,靜息電位是指細(xì)胞未受刺激時(shí),存在于細(xì)胞膜內(nèi)外兩側(cè)的電位差,不管是靜息電位還是動(dòng)作電位均為跨膜電勢(shì)差,所以要測(cè)量靜息電位,須將兩級(jí)分別插入內(nèi)外表面,再根據(jù)靜息電位是外正內(nèi)負(fù),電流方向是從正電荷向負(fù)電荷移動(dòng),即可解答此題.
解答 解:A、電流表不偏轉(zhuǎn)是正確的,但兩級(jí)都插在膜外,無(wú)法測(cè)量靜息電位,A錯(cuò)誤;
B、左插膜外右插膜內(nèi),也可以測(cè)量靜息電位;靜息電位是外正內(nèi)負(fù),即左負(fù)右正,所以C圖電流表應(yīng)向右偏,B正確;
C、左插膜外右插膜內(nèi),可以測(cè)量靜息電位;靜息電位是外正內(nèi)負(fù),即左正右負(fù),所以C圖電流表應(yīng)向右偏,C錯(cuò)誤;
D、兩級(jí)都插在膜外,無(wú)法測(cè)量靜息電位,兩側(cè)都為正電,電流表指針不偏轉(zhuǎn),D錯(cuò)誤.
故選:B.
點(diǎn)評(píng) 本題考查細(xì)胞內(nèi)外在各種情況下電位的變化,解決此類(lèi)問(wèn)題的關(guān)鍵是熟練掌握靜息電位和動(dòng)作電位的變化方式,以及電位的測(cè)量方法.
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科目:高中生物 來(lái)源:2015-2016學(xué)年福建南安僑光中學(xué)高二下第二次段考生物卷(解析版) 題型:綜合題
在培育轉(zhuǎn)基因植物的研究中,卡那霉素抗性基因(kan)常作為標(biāo)記基因,只有含卡那霉素抗性基因的細(xì)胞才能在卡那霉素培養(yǎng)基上生長(zhǎng)。下圖為獲得抗蟲(chóng)棉的技術(shù)流程。請(qǐng)據(jù)圖回答:
(1)A過(guò)程需要的酶有: 。
(2)將目的基因?qū)胫参矬w細(xì)胞除了上述農(nóng)桿菌轉(zhuǎn)化法之外,還可用 法(任填一種);可用 技術(shù)檢測(cè)轉(zhuǎn)基抗蟲(chóng)棉是否成功表達(dá)出Bt毒蛋白;除抗蟲(chóng)基因外,基因表達(dá)載體中還必須包含的部分是 (至少寫(xiě)出兩點(diǎn))。
(3)由外植體培養(yǎng)為轉(zhuǎn)基因植株的D、E過(guò)程分別為 ,該過(guò)程的理論基礎(chǔ)是
。
(4)已知BamHⅠ與BglⅡ的識(shí)別序列及切割位點(diǎn)如圖所示:
用這兩種酶和DNA連接酶對(duì)一段含有數(shù)個(gè)BamHⅠ和BglⅡ識(shí)別序列的DNA分子進(jìn)行反復(fù)的切割、連接操作,若干循環(huán)后,和 序列將明顯增多。
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科目:高中生物 來(lái)源: 題型:解答題
裝置 | A | B | C | D | E | F |
水浴溫度T/℃ | 10 | 20 | 30 | 40 | 50 | 60 |
凝乳時(shí)間/min | 不凝固 | 7.0 | 4.0 | 1.5 | 4.0 | 不凝固 |
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科目:高中生物 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中生物 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 體細(xì)胞 | B. | 原腸胚細(xì)胞 | C. | 胚胎干細(xì)胞 | D. | 神經(jīng)細(xì)胞 |
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科目:高中生物 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中生物 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 若橫坐標(biāo)代表一天的時(shí)間,縱坐標(biāo)代表密閉溫室中的CO2濃度,則溫室中植物光合作用開(kāi)始于B點(diǎn) | |
B. | 若該曲線表示健康成人體內(nèi)血糖濃度的動(dòng)態(tài)變化,進(jìn)食后血糖會(huì)從A升到B,此時(shí)體內(nèi)胰島素含量上升 | |
C. | 若該曲線表示健康成年人體內(nèi)甲狀腺激素濃度的動(dòng)態(tài)變化,BC段下降是由于垂體分泌的促甲狀腺激素增加 | |
D. | 若該曲線表示紫色洋蔥鱗片葉細(xì)胞液泡體積的大小變化,則CD段上升表示該細(xì)胞失水能力逐漸增強(qiáng) |
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科目:高中生物 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中生物 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 細(xì)胞周期 | B. | 光合作用中CO2的固定 | ||
C. | 細(xì)胞質(zhì)壁分離與復(fù)原 | D. | 細(xì)胞溶膠內(nèi)糖酵解過(guò)程 |
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