Question

【題目】噬菌體侵染細(xì)菌的實(shí)驗(yàn)是研究DNA為遺傳物質(zhì)的經(jīng)典實(shí)驗(yàn)，其中的部分實(shí)驗(yàn)如下圖所示。下列敘述正確的是（ ）

A.①中噬菌體DNA復(fù)制的模板、原料、能量、酶均由細(xì)菌提供

B.適當(dāng)時(shí)間保溫后進(jìn)行②操作，使噬菌體的DNA和蛋白質(zhì)分離

C.③后進(jìn)行放射性檢測(cè)，上清液中有少量放射性與①時(shí)間過短或過長(zhǎng)有關(guān)

D.若細(xì)菌最終裂解釋放出較多的子代噬菌體，大多數(shù)子代含有放射性32P

Answer 1

【答案】C

【解析】

1.噬菌體的繁殖過程：吸附→注入（注入噬菌體的DNA）→合成（控制者：噬菌體的DNA；原料：細(xì)菌的化學(xué)成分）→組裝→釋放。

2.噬菌體侵染細(xì)菌的實(shí)驗(yàn)步驟：分別用35S或32P標(biāo)記噬菌體→噬菌體與大腸桿菌混合培養(yǎng)→噬菌體侵染未被標(biāo)記的細(xì)菌→在攪拌器中攪拌，然后離心，檢測(cè)上清液和沉淀物中的放射性物質(zhì)。

3.上清液和沉淀物中都有放射性的原因

①用32P標(biāo)記的噬菌體侵染大腸桿菌，上清液中有少量放射性的原因：

a．保溫時(shí)間過短，部分噬菌體沒有侵染到大腸桿菌細(xì)胞內(nèi)，經(jīng)離心后分布于上清液中，使上清液出現(xiàn)放射陡。

b．保溫時(shí)間過長(zhǎng)，噬菌體在大腸桿菌內(nèi)增殖后釋放子代，經(jīng)離心后分布于上清液中，也會(huì)使上清液的放射性含量升高。

②用35S標(biāo)記的噬菌體侵染大腸桿菌，沉淀物中也有少量放射性的原因：由于攪拌不充分，有少量35S的噬菌體蛋白質(zhì)外殼吸附在細(xì)菌表面，隨細(xì)菌離心到沉淀物中，使沉淀物中出現(xiàn)少量的放射性。

A、①中噬菌體DNA復(fù)制的模板是由噬菌體提供的，而原料、能量、酶均由細(xì)菌提供，A錯(cuò)誤；

B、圖中②操作為攪拌，適當(dāng)時(shí)間保溫后進(jìn)行②操作，使細(xì)菌外的噬菌體外殼與細(xì)菌分離，B錯(cuò)誤；

C、③離心后進(jìn)行放射性檢測(cè)，可能是保溫時(shí)間過短，部分噬菌體未侵染；也可能是保溫時(shí)間過長(zhǎng)，部分噬菌體已經(jīng)釋放，C正確；

D、根據(jù)DNA半保留復(fù)制特點(diǎn)，細(xì)菌最終裂解后釋放的子代噬菌體中，少數(shù)含有放射性32P，D錯(cuò)誤。

故選C。