如圖所示，相距2L的AB、CD兩直線間的區(qū)域存在著兩個方向相反的有界勻強電場，其中PT上方的電場E1豎直向下，下方的電場E0豎直向上，PQ上連續(xù)分布著電量為＋q、質(zhì)量為m的粒子，依次以相同的初速度v0垂直射入E0中，PQ＝L。若從Q點射入的粒子恰從M點水平射出，其軌跡如圖，MT＝。不計粒子的重力及它們間的相互作用。試求：

（1）E0與E1的大�。�

（2）若從M點射出的粒子恰從中點S孔垂直射入邊長為a的正方形容器中，容器中存在如圖所示的勻強磁場，已知粒子運動的半徑小于a。欲使粒子與器壁多次垂直碰撞后仍能從S孔射出（粒子與絕緣壁碰撞時無能量和電量損失），求磁感應強度B應滿足的條件？

（3）在PQ間還有許多水平射入電場的粒子通過電場后也能從CD邊水平射出，這些入射點到P點的距離應滿足的條件？

E0＝　即　E1＝

B1＝，n＝0，1，2，3……

討論：1)若粒子從E1電場垂直CD射出電場，則

　　　　　　Δx·(2n＋1)＝2L�。�n＝1，2，3……）   （1分）

Δy＝＝＝（n＝1，2，3……）（1分）

2)若粒子從E0電場垂直CD射出電場，則

　　　3Δx·k＝2L�。�k＝1、2、3、……）    （1分）

　Δy＝＝�。�k＝1、2、3、……） 


解析:

略

練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目：高中物理 來源： 題型：

（2008?佛山二模）如圖所示，相距2L的AB、CD兩直線間的區(qū)域存在著兩個大小不同、方向相反的有界勻強電場，其中PT上方的電場E1的場強方向豎直向下，PT下方的電場E0的場強方向豎直向上，在電場左邊界AB上寬為L的PQ區(qū)域內(nèi)，連續(xù)分布著電量為+q、質(zhì)量為m的粒子．從某時刻起由Q到P點間的帶電粒子，依次以相同的初速度v0沿水平方向垂直射入勻強電場E0中，若從Q點射入的粒子，通過PT上的某點R進入勻強電場E1后從CD邊上的M點水平射出，其軌跡如圖，若MT兩點的距離為
L2
．不計粒子的重力及它們間的相互作用．
試求：
（1）電場強度E0與E1；
（2）有一邊長為a、由光滑絕緣壁圍成的正方形容器，在其邊界正中央開有一小孔S，將其置于CD右側(cè)，若從Q點射入的粒子經(jīng)AB、CD間的電場從S孔水平射入容器中．欲使粒子在容器中與器壁多次垂直碰撞后仍能從S孔射出（粒子與絕緣壁碰撞時無能量和電量損失），并返回Q點，在容器中現(xiàn)加上一個如圖所示的勻強磁場，粒子運動的半徑小于a，磁感應強度B的大小還應滿足什么條件？

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，相距2L的AB、CD兩直線間的區(qū)域存在著兩個大小不同、方向相反的有界勻強電場，其中PT上方的電場E1的場強方向豎直向下，PT下方的電場E0的場強方向豎直向上，在電場左邊界AB上寬為L的PQ區(qū)域內(nèi)，連續(xù)分布著電量為+q、質(zhì)量為m的粒子．從某時刻起由Q到P點間的帶電粒子，依次以相同的初速度v0沿水平方向垂直射入勻強電場E0中，若從Q點射入的粒子，通過PT上的某點R進入勻強電場E1后從CD邊上的M點水平射出，其軌跡如圖，若MT兩點的距離為
L2
．不計粒子的重力及它們間的相互作用．試求：
（1）電場強度E0與E1；
（2）在PQ間還有許多水平射入電場的粒子通過電場后也能垂直CD邊水平射出，這些入射點到P點的距離有什么規(guī)律？

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2009?宜昌模擬）如圖所示，相距2L的AB、CD兩直線間的區(qū)域存在著兩個方向相下方的電場界勻強電場，其中PT上方的電場E1豎直向下，下方的電場E0豎直向上，PQ上連續(xù)分布著電量為+q、質(zhì)量為m的粒子，依次以相同的初速度v0．垂直射入E0中，PQ=L．若從Q點射入的粒子恰從M點水平射出，其軌跡如圖，MT=
L2
．不計粒子的重力及它們間的相互作用．試求：
（1）E0與E1的大��；
（2）若從M點射出的粒子恰從中點S孔垂直射入邊長為a的正方形容器中，容器中存在如圖所示的勻強磁場，已知粒子運動的半徑小于a．欲使粒子與器壁多次垂直碰撞后仍能從S孔射出（粒子與絕緣壁碰撞時無能量和電量損失），求磁感應強度B應滿足的條件？
（3）在PQ間還有許多水平射入電場的粒子通過電場后也能從CD邊水平射出，這些入射點到P點的距離應滿足的條件？

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，相距2L的AB、CD兩直線間的區(qū)域存在著兩個大小不同、方向相反的有界勻強電場，其中PT上方的電場E1的場強方向豎直向下，PT下方的電場E0的場強方向豎直向上，在電場左邊界AB上寬為L的PQ區(qū)域內(nèi)，連續(xù)分布著電量為＋q、質(zhì)量為m的粒子。從某時刻起由Q到P點間的帶電粒子，依次以相同的初速度v0沿水平方向垂直射入勻強電場E0中，若從Q點射入的粒子，通過PT上的某點R進入勻強電場E1后從CD邊上的M點水平射出，其軌跡如圖，若MT兩點的距離為L/2。不計粒子的重力及它們間的相互作用。試求：

（1）電場強度E0與E1；

（2）在PQ間還有許多水平射入電場的粒子通過電場后也能垂直CD

邊水平射出，這些入射點到P點的距離有什么規(guī)律？

（3）有一邊長為a、由光滑絕緣壁

圍成的正方形容器，在其邊界正中

央開有一小孔S，將其置于CD右

側(cè)，若從Q點射入的粒子經(jīng)AB、CD間的電場從S孔水平射入容器中。欲使粒子在容器中與器壁多次垂直碰撞后仍能從S孔射出(粒子與絕緣壁碰撞時無能量和電量損失)，并返回Q點，在容器中現(xiàn)加上一個如圖所示的勻強磁場，粒子運動的半徑小于a，磁感應強度B的大小還應滿足什么條件？

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科目：高中物理 來源：2012屆度江蘇省高三上學期調(diào)研物理試卷 題型：計算題

（16分）如圖所示，相距2L的AB、CD兩直線間的區(qū)域存在著兩個大小不同、方向相反的有界勻強電場，其中PT上方的電場E1的場強方向豎直向下，PT下方的電場E0的場強方向豎直向上，在電場左邊界AB上寬為L的PQ區(qū)域內(nèi)，連續(xù)分布著電量為＋q、質(zhì)量為m的粒子.從某時刻起由Q到P點間的帶電粒子，依次以相同的初速度v0沿水平方向垂直射入勻強電場E0中，若從Q點射入的粒子，通過PT上的某點R進入勻強電場E1后從CD邊上的M點水平射出，其軌跡如圖，若MT兩點的距離為L/2.不計粒子的重力及它們間的相互作用.試求：

（1）電場強度E0與E1；

（2）在PQ間還有許多水平射入電場的粒子通過電場后也能垂直CD邊水平射出，這些入射點到P點的距離有什么規(guī)律？

 

 

 

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