由電容器電容的定義式C=Q/U可知（   ）
A．若電容器不帶電，則電容C為零
B．電容C與所帶電量Q成正比，與電壓U成反比
C．電容C與所帶的電量Q多少無(wú)關(guān)
D．電容在數(shù)值上等于使兩極板間的電壓增加1V時(shí)所需增加的電荷量
CD

試題分析：電容器電容的定義式C=Q/U，只是定義了電容器大小的計(jì)算方式，電容器的大小由中的介電常數(shù)，兩板正對(duì)面積S，以及兩板間的距離d決定。因此A錯(cuò)。B錯(cuò)。C對(duì)。在數(shù)值上電容在數(shù)值上等于使兩極板間的電壓增加1V時(shí)所需增加的電荷量。所以D對(duì)。
點(diǎn)評(píng)：此類題型考察對(duì)電容器定義式的理解，屬于容易掌握的類型。
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源：不詳 題型：單選題

如圖所示為一平行板電容器，關(guān)于該電容器電容的大小下列說(shuō)法正確的是
A．電容器所帶的電荷量越多，電容就越大
B．兩極板的正對(duì)面積越大，電容就越大
C．兩極板的距離越大，電容就越大
D．兩極板上所加的電壓越大，電容就越大

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科目：高中物理 來(lái)源：不詳 題型：單選題

電容的單位是
A．庫(kù)侖B．法拉C．伏特D．特斯拉

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科目：高中物理 來(lái)源：不詳 題型：單選題

增大電容器的電容,可采用下列方法中的（      ）
A．把可變電容器的動(dòng)片旋入一些B．把可變電容器的動(dòng)片旋出一些
C．增大兩極板間的距離D．減小兩極板的正對(duì)面積

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科目：高中物理 來(lái)源：不詳 題型：單選題

如圖所示,兩板間距為d的平行板電容器與一電源連接,開關(guān)K閉合,電容器兩極板間有一質(zhì)量為m,帶電量為q的微粒靜止不動(dòng),下列各敘述中正確的是
A．保持開關(guān)K閉合，把電容器兩極板距離增大，電容會(huì)增大
B．保持開關(guān)K閉合，把電容器兩極板距離增大，兩極板的帶電量會(huì)增大
C．?dāng)嚅_開關(guān)K，把電容器兩極板距離增大，微粒仍能保持靜止
D．?dāng)嚅_開關(guān)K，把電容器兩極板距離增大，微粒將向下做加速運(yùn)動(dòng)

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科目：高中物理 來(lái)源：不詳 題型：單選題

兩塊大小、形狀完全相同的金屬板正對(duì)水平放置，構(gòu)成一個(gè)平行板電容器，將兩金屬板分別與電源兩極相連接，如圖所示。閉合開關(guān)S達(dá)到穩(wěn)定后，在兩板間有一帶電液滴p恰好處于靜止?fàn)顟B(tài)。下列判斷正確的是
A．保持開關(guān)S閉合，減小兩板間的距離，液滴向上運(yùn)動(dòng)
B．保持開關(guān)S閉合，減小兩板間的距離，液滴向下運(yùn)動(dòng)
C．?dāng)嚅_開關(guān)S，減小兩板間的距離，液滴向上運(yùn)動(dòng)

D．?dāng)嚅_開關(guān)S，減小兩板間的距離，液滴向下運(yùn)動(dòng)

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科目：高中物理 來(lái)源：不詳 題型：計(jì)算題

某水平放置的平行板電容器，電容器的電容為2pF(皮法) 兩板相距5cm，電容器兩極板間電壓為50V
(1) 該電容器所帶電荷量為多少？
(2) 若有一個(gè)質(zhì)量為1×10-8g的帶負(fù)電的塵埃正好在板間靜止，這時(shí)電容器上極板帶   電 填（正 或負(fù) ） ，并求塵埃上所帶電量q？

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科目：高中物理 來(lái)源：不詳 題型：單選題

傳感器是一種采集信息的重要器件.如圖是一種測(cè)定壓力的電容式傳感器.當(dāng)待測(cè)壓力F作用于可動(dòng)膜片電極上時(shí)，可使膜片產(chǎn)生形變，引起電容的變化，將電容器、靈敏電流計(jì)和電源串聯(lián)接成閉合電路.那么(　　)
A．當(dāng)F向上壓膜片電極時(shí)，電容將減小
B．當(dāng)F向上壓膜片電極時(shí)，電容不會(huì)改變
C．若電流計(jì)有示數(shù)，則壓力F不發(fā)生變化
D．若電流計(jì)有示數(shù)，則壓力F發(fā)生變化

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科目：高中物理 來(lái)源：不詳 題型：單選題

（2010·重慶·1７）某電容式話筒的原理示意圖如題18圖所示，E為電源，R為電阻，薄片P和Q為兩金屬基板。對(duì)著話筒說(shuō)話時(shí)，P振動(dòng)而Q可視為不動(dòng)。在P、Q間距增大過(guò)程中，（   ）
A．P、Q購(gòu)車的電容器的電容增大
B．P上電荷量保持不變
C．M點(diǎn)的電勢(shì)比N點(diǎn)的低
D．M點(diǎn)的電勢(shì)比N點(diǎn)的高

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