A. | A點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度大于B點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度 | |
B. | 把質(zhì)子從A點(diǎn)移動(dòng)到B點(diǎn),靜電力對(duì)質(zhì)子做功為零 | |
C. | 電子在A點(diǎn)的電勢(shì)能小于在B點(diǎn)的電勢(shì)能 | |
D. | 把質(zhì)子從A點(diǎn)移動(dòng)到MN上任何一點(diǎn),質(zhì)子電勢(shì)能都增加 |
分析 電場(chǎng)線越密的地方場(chǎng)強(qiáng)越大,電磁線越稀疏的地方場(chǎng)強(qiáng)越小,電場(chǎng)線與等勢(shì)面相互垂直,電場(chǎng)線從高等勢(shì)面指向低等勢(shì)面,電場(chǎng)力做功等于電勢(shì)能的變化量,根據(jù)電場(chǎng)線分布分析答題
解答 解:等量異號(hào)電荷電場(chǎng)線分布如圖所示:
A、由圖示電磁線分布可知,A處的電場(chǎng)線比B處的電場(chǎng)線稀疏,則A點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)小于B點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng),故A錯(cuò)誤;
B、A、B兩點(diǎn)電勢(shì)不同,兩點(diǎn)間的電勢(shì)差不為零,把質(zhì)子從A點(diǎn)移動(dòng)到B點(diǎn),靜電力對(duì)質(zhì)子做功不為零,故B錯(cuò)誤;
C、電場(chǎng)線與等勢(shì)面相互垂直,電場(chǎng)線從高等勢(shì)面指向低等勢(shì)面,由圖示可知,
A點(diǎn)所在等勢(shì)面高于B點(diǎn)所在等勢(shì)面,A點(diǎn)電勢(shì)高于B點(diǎn)電勢(shì),電子帶負(fù)電,則電子在A點(diǎn)的電勢(shì)能小于在B點(diǎn)的電勢(shì)能,故C正確;
D、等量異號(hào)電荷連線的中垂線MN是等勢(shì)線,A與MN上任何一點(diǎn)間的電勢(shì)差都相等,把質(zhì)子從A點(diǎn)移動(dòng)到MN上任何一點(diǎn),電場(chǎng)力做功都相等,質(zhì)子的電勢(shì)能變化都減小相同,故D錯(cuò)誤;
故選:C.
點(diǎn)評(píng) 本題考查了等量異號(hào)電荷的電場(chǎng),知道電場(chǎng)線的分布,知道等量異號(hào)電荷連線的重錘線是等勢(shì)線即可正確解題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 0 | B. | $\frac{1}{3}v$ | C. | v | D. | $\frac{7}{3}v$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | t1時(shí)刻進(jìn)入回旋加速器的粒子記為a,t2時(shí)刻進(jìn)入回旋加速器的粒子記為b.a(chǎn),b在回旋加速器中各被加速一次,a,b粒子增加的動(dòng)能相同 | |
B. | t2,t3,t4時(shí)刻進(jìn)入回旋加速器的粒子會(huì)以相同的動(dòng)能射出回旋加速器 | |
C. | t2時(shí)刻進(jìn)入回旋加速器的粒子在回旋加速器中被加速的次數(shù)最多 | |
D. | t3,t4時(shí)刻進(jìn)入回旋加速器的粒子在回旋加速器中的繞行方向相反 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | B. | C. | D. |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 逐漸增大入射角i,可使光射到PQ面時(shí)發(fā)生全反射 | |
B. | 逐漸減小入射角i,可使光射到PQ面時(shí)發(fā)生全反射 | |
C. | 色光b的光子能量一定小于色光c | |
D. | 若玻璃磚界面MN和PQ不平行,則從PQ出射的各色光仍會(huì)相互平行 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 通過電阻R1的電流變化量大小等于$\frac{△{U}_{1}}{{R}_{1}}$ | |
B. | R0兩端的電壓的變化量大小等于△U1-△U2 | |
C. | 路端電壓的增加量等于△U2 | |
D. | $\frac{△{U}_{1}}{△I}$為一定值 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | ab過程中,氣體的壓強(qiáng)減小 | |
B. | ab過程中,氣體分子的平均動(dòng)能增大 | |
C. | bc過程中,氣體對(duì)外做功,溫度降低 | |
D. | bc過程中,氣體的密度增大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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