一邊長為L的正方形閉合金屬導(dǎo)線框,其質(zhì)量為m,回路電阻為R.圖中M、N、P為磁場區(qū)域的邊界,且均為水平,上下兩部分磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度均為B,方向如圖所示. 圖示位置線框的底邊與M重合. 現(xiàn)讓線框由圖示位置由靜止開始下落,線框在穿過NP兩界面的過程中均為勻速運(yùn)動. 若已知M、N之間的高度差為h1,h2>L. 線框下落過程中線框平面始終保持豎直,底邊結(jié)終保持水平,重力加速度為g. 求:

   (1)NP之間的高度差h2;

   (2)在整個運(yùn)動過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱.

(1)在穿過N的過程中

       線框中產(chǎn)生的電動勢E=2BLv1

       線框中產(chǎn)生的電流I=E/R=2BLv1/R

       線框受到的安培力F=2BIL=4B2L2v1/R

       由平衡得

        

       同理線框穿過P過程中的運(yùn)動速度v2=mgR/B2L2

       由機(jī)械能守恒定律得

      

       =

(2)穿過M時產(chǎn)生的電熱

        

       穿過NP時產(chǎn)生的電熱為Q2=mgL

       共產(chǎn)生熱量Q=Q1+Q2

      

練習(xí)冊系列答案
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科目:高中物理 來源:廣西桂林市第十八中學(xué)2011-2012學(xué)年高二下學(xué)期期中考試物理理科試題 題型:013

如圖,在光滑水平面上,有一豎直向下的勻強(qiáng)磁場,分布在寬為a的區(qū)域內(nèi),現(xiàn)有一邊長為L(a>L)的正方形閉和線框以垂直于磁場邊界的初速度v0滑過磁場.線框剛好能穿過磁場.則線框在滑進(jìn)磁場過程中產(chǎn)生的熱量Q1與滑出磁場過程產(chǎn)生的熱量Q2之比為

[  ]

A.1∶1

B.2∶1

C.3∶1

D.4∶1

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖,在光滑水平面上,有一豎直向下的勻強(qiáng)磁場,分布在寬為a的區(qū)域內(nèi),現(xiàn)有一邊長為L(a>L)的正方形閉和線框以垂直于磁場邊界的初速度v0滑過磁場.線框剛好能穿過磁場.則線框在滑進(jìn)磁場過程中產(chǎn)生的熱量Q1與滑出磁場過程產(chǎn)生的熱量Q2之比為

A、1:1      B、2:1       C、3:1   D、4:1

 

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科目:高中物理 來源:2011-2012學(xué)年廣西桂林市高二下學(xué)期期中考試(理)物理試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖,在光滑水平面上,有一豎直向下的勻強(qiáng)磁場,分布在寬為a的區(qū)域內(nèi),現(xiàn)有一邊長為L(a>L)的正方形閉和線框以垂直于磁場邊界的初速度v0滑過磁場.線框剛好能穿過磁場.則線框在滑進(jìn)磁場過程中產(chǎn)生的熱量Q1與滑出磁場過程產(chǎn)生的熱量Q2之比為

A、1:1      B、2:1       C、3:1   D、4:1

 

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科目:高中物理 來源:廣西自治區(qū)期中題 題型:單選題

如圖,在光滑水平面上,有一豎直向下的勻強(qiáng)磁場,分布在寬為a的區(qū)域內(nèi),現(xiàn)有一邊長為L(a>L)的正方形閉和線框以垂直于磁場邊界的初速度v0滑過磁場,線框剛好能穿過磁場。則線框在滑進(jìn)磁場過程中產(chǎn)生的熱量Q1與滑出磁場過程產(chǎn)生的熱量Q2之比為
[     ]
A、1:1      
B、2:1
C、3:1  
D、4:1

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科目:高中物理 來源:2012屆廣西桂林市第十八中學(xué)高二下學(xué)期期中考試(理)物理試卷(帶解析) 題型:單選題

如圖,在光滑水平面上,有一豎直向下的勻強(qiáng)磁場,分布在寬為a的區(qū)域內(nèi),現(xiàn)有一邊長為L(a>L)的正方形閉和線框以垂直于磁場邊界的初速度v0滑過磁場.線框剛好能穿過磁場.則線框在滑進(jìn)磁場過程中產(chǎn)生的熱量Q1與滑出磁場過程產(chǎn)生的熱量Q2之比為

A.1:1B.2:1C.3:1 D.4:1

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