【題目】如圖甲所示,為質(zhì)譜儀的原理圖。質(zhì)量為m的帶正電粒子從靜止開(kāi)始經(jīng)過(guò)電勢(shì)差為U的電場(chǎng)加速后,從G點(diǎn)垂直于MN進(jìn)入偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)。該偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)是一個(gè)以直線(xiàn)MN為上邊界,方向垂直于紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,帶電粒子經(jīng)偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)后,最終到達(dá)照相底片上的H點(diǎn)。測(cè)得G、H間的距離為d,粒子受到的重力忽略不計(jì)。求:
(1)粒子的電荷量;
(2)若偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)半徑為r=的圓形磁場(chǎng),且與M、N相切于G點(diǎn),如圖乙所示,粒子進(jìn)入磁場(chǎng)的速度不變,要使粒子仍能打到H點(diǎn),那么,圓形區(qū)域內(nèi)勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度應(yīng)為多大?
【答案】(1);(2)
【解析】
(1)粒子經(jīng)過(guò)電場(chǎng)加速,由動(dòng)能定理得
進(jìn)入磁場(chǎng)后做勻速圓周運(yùn)動(dòng),由洛淪茲力提供向心力
由幾何知識(shí)得圓的半徑
由以上各式解得
(2)設(shè)圓形磁場(chǎng)的圓心O與H的連線(xiàn)與MN的夾角為,則
設(shè)粒子在圓形磁場(chǎng)中作圓周運(yùn)動(dòng)的軌道半徑為,由幾何知識(shí)得
由洛倫茲力提供向心得
由以上各式解得
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】兩電荷量分別為q1和q2的點(diǎn)電荷固定在x軸上的A、B兩點(diǎn),兩點(diǎn)電荷連線(xiàn)上各點(diǎn)電勢(shì)φ隨坐標(biāo)x變化的關(guān)系圖像如圖所示,其中P點(diǎn)電勢(shì)最高,且xAP<xPB,則( )
A.q1和q2都是負(fù)電荷
B.q1的電荷量大于q2的電荷量
C.在A、B之間將一負(fù)點(diǎn)電荷沿x軸從P點(diǎn)左側(cè)移到右側(cè),電勢(shì)能先減小后增大
D.一點(diǎn)電荷只在電場(chǎng)力作用下沿x軸從P點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到B點(diǎn),加速度逐漸變小
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】某衛(wèi)星在距月球表面高度為h的軌道上做勻速圓周運(yùn)動(dòng),其運(yùn)行的周期為T,最終在月球表面實(shí)現(xiàn)軟著陸。若以R表示月球的半徑,引力常量為G,忽略月球自轉(zhuǎn)及地球?qū)πl(wèi)星的影響,下列說(shuō)法不正確的是( )
A. 該衛(wèi)星繞月運(yùn)行時(shí)的向心加速度為
B. 月球的第一宇宙速度為
C. 月球的質(zhì)量為
D. 物體在月球表面自由下落的加速度大小為
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖所示,為驗(yàn)證動(dòng)能定理的實(shí)驗(yàn)裝置,較長(zhǎng)的小車(chē)的前端固定有力傳感器,能測(cè)出小車(chē)所受的拉力,小車(chē)上固定兩個(gè)完全相同的遮光條A、B,小車(chē)、傳感器及遮光條的總質(zhì)量為M,小車(chē)放在安裝有定滑輪和光電門(mén)的光滑軌道D上,光電門(mén)可記錄遮光條A、B通過(guò)它時(shí)的擋光時(shí)間。用不可伸長(zhǎng)的細(xì)線(xiàn)將小車(chē)與質(zhì)量為m的重物相連,軌道放在水平桌面上,細(xì)線(xiàn)與軌道平行(滑輪質(zhì)量、摩擦不計(jì))。
(1)用螺旋測(cè)微器測(cè)遮光條的寬度,如圖乙所示,則遮光條的寬度d=____mm。
(2)實(shí)驗(yàn)過(guò)程中______滿(mǎn)足M遠(yuǎn)大于m(填“需要”或“不需要”)。
(3)實(shí)驗(yàn)主要步驟如下:
①測(cè)量小車(chē)、傳感器及遮光條的總質(zhì)量M,測(cè)量?jī)烧诠鈼l的距離L,按圖甲正確連接器材。
②由靜止釋放小車(chē),小車(chē)在細(xì)線(xiàn)拉動(dòng)下運(yùn)動(dòng),記錄傳感器的示數(shù)F及遮光條A、B經(jīng)過(guò)光電門(mén)的擋光時(shí)間tA和tB,則驗(yàn)證動(dòng)能定理的表達(dá)式為__________(用字母M、F、L、d、tA、tB表示)。
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】磁流體發(fā)電是一項(xiàng)新興技術(shù),它可以把物體的內(nèi)能直接轉(zhuǎn)化為電能。如圖是它的示意圖。平行金屬板A、B之間有一個(gè)很強(qiáng)的磁場(chǎng),將一束等離子體(即高溫下電離的氣體,含有大量正、負(fù)離子)噴入磁場(chǎng),A、B兩板間便產(chǎn)生電壓。如果把A、B和用電器連接,A、B就是直流電源的兩個(gè)電極,設(shè)A、B兩板間距為d,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B′,等離子體以速度v沿垂直于磁場(chǎng)的方向射入A、B兩板之間,則下列說(shuō)法正確的是( )
A.A是直流電源的正極
B.其他條件不變,若增大等離子體的電量q,則UAB增大
C.電源的電動(dòng)勢(shì)為B′dv
D.電源的電動(dòng)勢(shì)為qvB′
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】一個(gè)半徑為R的均勻?qū)щ娊饘賵A環(huán)放置在粗糙的水平絕緣桌面上,現(xiàn)加上一方向豎直向上、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),如圖所示(俯視圖)。將金屬圓環(huán)接入電路中,干路電流為I,接入點(diǎn)a、b是圓環(huán)直徑上的兩個(gè)端點(diǎn)。金屬圓環(huán)始終處于靜止?fàn)顟B(tài),則( )
A.當(dāng)電流為I時(shí),金屬圓環(huán)上半部分受到的安培力大小為丁πBIR
B.當(dāng)電流為I時(shí),金屬圓環(huán)受到的安培力大小為BIR
C.增大干路電流,金屬圓環(huán)對(duì)桌面的壓力增大
D.增大干路電流,金屬圓環(huán)對(duì)桌面的摩擦力增大
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】某電場(chǎng)的部分電場(chǎng)線(xiàn)如圖中實(shí)線(xiàn)所示,AB是一帶電粒子僅在電場(chǎng)力作用下運(yùn)動(dòng)軌跡(圖中虛線(xiàn))上的兩點(diǎn),下列說(shuō)法中正確的是( 。
A.粒子一定是從B點(diǎn)向A點(diǎn)運(yùn)動(dòng)
B.電場(chǎng)中A點(diǎn)的電勢(shì)低于B點(diǎn)的電勢(shì)
C.粒子在A點(diǎn)的電勢(shì)能小于它在B點(diǎn)的電勢(shì)能
D.粒子在A點(diǎn)的加速度小于它在B點(diǎn)的加速度
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖所示,虛線(xiàn)圓所圍區(qū)域內(nèi)有方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度為B.一束電子沿圓形區(qū)域的直徑方向以速度v射入磁場(chǎng),電子束經(jīng)過(guò)磁場(chǎng)區(qū)后,其運(yùn)動(dòng)方向與原入射方向成θ角.設(shè)電子質(zhì)量為m,電荷量為e,不計(jì)電子之間相互作用力及所受的重力.求:
(1)電子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)軌跡的半徑R;
(2)電子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間t;
(3)圓形磁場(chǎng)區(qū)域的半徑r.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖所示的平行板器件中,存在相互垂直的勻強(qiáng)磁場(chǎng)和勻強(qiáng)電場(chǎng),磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B1=0.20T,方向垂直紙面向里,電場(chǎng)強(qiáng)度E1=1.0×105V/m,PQ為板間中線(xiàn)。緊靠平行板右側(cè)邊緣xOy坐標(biāo)系的第一象限內(nèi),有一邊界AO、與y軸的夾角∠AOy=450,邊界線(xiàn)的上方有垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度B2=0.25T,邊界線(xiàn)的下方有豎直向上的勻強(qiáng)電場(chǎng),電場(chǎng)強(qiáng)度E2=5.0×105V/m。一束帶電荷量q=8.0×10-19C、質(zhì)量m=8.0×10-26Kg的正離子從P點(diǎn)射入平行板間,沿中線(xiàn)PQ做直線(xiàn)運(yùn)動(dòng),穿出平行板后從軸上坐標(biāo)為(0,0.4 m)的Q點(diǎn)垂直軸射入磁場(chǎng)區(qū),多次穿越邊界線(xiàn)OA。求:
(1)離子運(yùn)動(dòng)的速度;
(2)離子從進(jìn)入磁場(chǎng)到第二次穿越邊界線(xiàn)OA所需的時(shí)間;
(3)離子第四次穿越邊界線(xiàn)的位置坐標(biāo)。
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