A. | 可加豎直向下的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度為$B=\frac{mgRtanθ}{EL}$ | |
B. | 可加豎直向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度為$B=\frac{mgRtanθ}{EL}$ | |
C. | 所加勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度的最小值為$B=\frac{mgRtanθ}{EL}$ | |
D. | 所加勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度的最大值為$B=\frac{mgRtanθ}{EL}$ |
分析 通電導(dǎo)線垂直處于勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,則由電流方向結(jié)合左手定則可得安培力的方向,再由安培力、重力及支持力處于平衡可求得安培力的大小.根據(jù)公式F=BIL可確定磁場(chǎng)的方向與大。
解答 解:A、加豎直向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng),安培力方向水平向左,導(dǎo)體棒不可能處于平衡.故A錯(cuò)誤
B、當(dāng)加豎直向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng)時(shí),導(dǎo)體棒受重力、支持力和水平向右的安培力,如圖所示,根據(jù)共點(diǎn)力平衡有:mgtanθ=BIL,I=$\frac{E}{R}$,所以$B=\frac{mgRtanθ}{EL}$.故B正確.
C、當(dāng)安培力方向與支持力方向垂直時(shí),安培力最小,最小值為mgsinθ,則BIL=mgsinθ,I=$\frac{E}{R}$,所以B的最小值為$\frac{mgRsinθ}{EL}$.故C錯(cuò)誤.
D、當(dāng)安培力方向與重力相同時(shí),磁場(chǎng)強(qiáng)度最大,故$B=\frac{mg}{EL}$,故D錯(cuò)誤;
故選:B
點(diǎn)評(píng) 由于棒所處平衡位置,那么安培力的方向不同,導(dǎo)致安培力的大小不同,從而得出不同的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小與方向.D選項(xiàng)中,當(dāng)直徑變化時(shí),電流雖然變化,但質(zhì)量也同時(shí)變化,且變化相同,所以仍處于平衡狀態(tài).
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 空降兵在0-t1時(shí)間內(nèi)做自由落體運(yùn)動(dòng) | |
B. | 空降兵在t1-t2時(shí)間內(nèi)的加速度方向豎直向上,大小在逐漸減小 | |
C. | 空降兵在0-t1時(shí)間內(nèi)的平均速度$\overline{v}$=$\frac{1}{2}$v2 | |
D. | 空降兵在t1-t2時(shí)間內(nèi)的平均速度$\overline{v}$<$\frac{1}{2}$(v1+v2) |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 電場(chǎng)強(qiáng)度處處為零的區(qū)域內(nèi),電勢(shì)也一定處處為零 | |
B. | 電場(chǎng)強(qiáng)度處處相同的區(qū)域內(nèi),電勢(shì)也一定處處相同 | |
C. | 電場(chǎng)線總是跟該處的等勢(shì)面垂直 | |
D. | 沿電場(chǎng)線的方向,電勢(shì)總是不斷降低 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 給小磁針上方的導(dǎo)線通電,小磁針一定會(huì)發(fā)生偏轉(zhuǎn) | |
B. | 給小磁針上方的導(dǎo)線通電,小磁針可能會(huì)發(fā)生偏轉(zhuǎn) | |
C. | 線圈橫截面積大,磁鐵穿過(guò)線圈時(shí)產(chǎn)生的感應(yīng)電流就強(qiáng) | |
D. | 磁鐵的磁性強(qiáng),磁鐵穿過(guò)線圈時(shí)產(chǎn)生的感應(yīng)電流就強(qiáng) |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | R1短路 | B. | R2斷路 | C. | R2短路 | D. | R3斷路 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 保持不變 | B. | 逐漸減小 | C. | 逐漸增大 | D. | 都有可能 |
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