制備納米薄膜裝置的工作電極可簡(jiǎn)化為真空中間距為d的兩平行極板,如圖甲所示,加在極板A、B間的電壓作周期性變化,其正向電壓為,反向電壓為

電壓變化的周期為2r,如圖乙所示。在t=0時(shí),極板B附近的一個(gè)電子,質(zhì)量為m、電荷量為e,受電場(chǎng)作用由靜止開始運(yùn)動(dòng)。若整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程中,電子未碰到極板A,且不考慮重力作用。

(1)若,電子在0—2r時(shí)間內(nèi)不能到達(dá)極板A,求d應(yīng)滿足的條件;

(2)若電子在0—2r時(shí)間未碰到極板B,求此運(yùn)動(dòng)過程中電子速度隨時(shí)間t變化的關(guān)系;

                                                                              

(3)若電子在第N個(gè)周期內(nèi)的位移為零,求k的值。

      

 (1)電子在0~f時(shí)間內(nèi)做勻加速運(yùn)動(dòng)

       加速度的大小       a1=                                                                       ①

       位移       x1=a1T2                                                                                   ②

       在T-2T時(shí)間內(nèi)先做勻減速運(yùn)動(dòng),后反向做勻加速運(yùn)動(dòng)

       加速度的大小                     a2=                                                       ③

       初速度的大小                     v1=a1T                                                            ④

       勻減速運(yùn)動(dòng)階段的位移       x2=                                                         ⑤

    依據(jù)題意    d>x1+x2      解得d>                                          ⑥

       (2)在2nT~(2n+1)T,(n=0,1,2, ……,99)時(shí)間內(nèi)                                        ⑦

       加速度的大小                     a′2=

       速度增量                            △v2=-a′2T                                                    ⑧

       (a)當(dāng)0≤t-2nt<T時(shí)

       電子的運(yùn)動(dòng)速度    v=n△v1+n△v2+a1(t-2nT)                                               ⑨

       解得       v=[t-(k+1)nT] ,(n=0,1,2, ……,99)                                     ⑩

       (b)當(dāng)0≤t-(2n+1)T<T時(shí)

       電子的運(yùn)動(dòng)速度    v=(n+1) △v1+n△v2-a′2[t-(2n+1)T]                              

       解得v=[(n+1)(k+1)T-kl],(n=0,1,2, ……,99)                                      

       (3)電子在2(N-1)T~(2N-1)T時(shí)間內(nèi)的位移x2N-1=v2N-2T+a1T2

       電子在(2N-1)T~2NT時(shí)間內(nèi)的位移x2N=v2N-1T-a′2T2

       由式可知      v2N-2=(N-1)(1-k)T

       由式可知      v2N-1=(N-Nk+k)T

       依據(jù)題意       x2N-1+x2N=0

       解得       k=

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相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

制備納米薄膜裝置的工作電極可簡(jiǎn)化為真空中間距為d的兩平行極板,如圖甲所示.加在極板A、B間的電壓UAB按圖乙所示規(guī)律變化:在0-T0時(shí)間內(nèi)電壓為U0,此后電壓呈周期性變化,電壓大小為kU0,電壓變化的周期為2τ.在t=0時(shí),極板B附近的一個(gè)電子,質(zhì)量為m、電荷量為e,受電場(chǎng)作用由靜止開始運(yùn)動(dòng).若無論經(jīng)過多長(zhǎng)的時(shí)間,這個(gè)電子既未碰到極板A,也沒有碰到極板B,且不考慮重力作用.
(1)d的取值必須滿足什么條件?
(2)k的取值以及T0與τ之間的關(guān)系必須滿足什么條件?
(3)現(xiàn)逐漸增大k的值,使得電子第一次向B極板運(yùn)動(dòng)時(shí)就能碰到B板,求k的最小值.

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)制備納米薄膜裝置的工作電極可簡(jiǎn)化為真空中間距為d的兩平行極板,如圖甲所示,加在極板A、B間的電壓UAB作周期性變化,其正向電壓為U0,反向電壓為-kU0(k>1),電壓變化的周期為2r,如圖乙所示.在t=0時(shí),極板B附近的一個(gè)電子,質(zhì)量為m、電荷量為e,受電場(chǎng)作用由靜止開始運(yùn)動(dòng).若整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程中,電子未碰到極板A,且不考慮重力作用.
(1)若k=
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,電子在0-2r時(shí)間內(nèi)不能到達(dá)極板A,求d應(yīng)滿足的條件;
(2)若電子在0~200t時(shí)間內(nèi)未碰到極板B,求此運(yùn)動(dòng)過程中電子速度v隨時(shí)間t變化的關(guān)系;
(3)若電子在第N個(gè)周期內(nèi)的位移為零,求k的值.

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科目:高中物理 來源: 題型:

制備納米薄膜裝置的工作電極可簡(jiǎn)化為真空中間距為的兩平行極板,如圖甲所示,加在極板A、B間的電壓作周期性變化,其正向電壓為,反向電壓為,

電壓變化的周期為2r,如圖乙所示.在t=0時(shí),極板B附近的一個(gè)電子,質(zhì)量為m、電荷量為e,受電場(chǎng)作用由靜止開始運(yùn)動(dòng).若整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程中,電子未碰到極板A,且不考慮重力作用.

(1)若,電子在0—2r時(shí)間內(nèi)不能到達(dá)極板,求應(yīng)滿足的條件;

(2)若電子在時(shí)間內(nèi)未碰到極板B,求此運(yùn)動(dòng)過程中電子速度隨時(shí)間t變化的關(guān)系;

(3)若電子在第個(gè)周期內(nèi)的位移為零,求k的值。

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科目:高中物理 來源: 題型:

(16分)制備納米薄膜裝置的工作電極可簡(jiǎn)化為真空中間距為的兩平行極板,如圖甲所示,加在極板A、B間的電壓作周期性變化,其正向電壓為,反向電壓為,

電壓變化的周期為2r,如圖乙所示.在t=0時(shí),極板B附近的一個(gè)電子,質(zhì)量為m、電荷量為e,受電場(chǎng)作用由靜止開始運(yùn)動(dòng).若整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程中,電子未碰到極板A,且不考慮重力作用.

(1)若,電子在0—2r時(shí)間內(nèi)不能到達(dá)極板,求應(yīng)滿足的條件;

(2)若電子在時(shí)間內(nèi)未碰到極板B,求此運(yùn)動(dòng)過程中電子速度隨時(shí)間t變化的關(guān)系;

(3)若電子在第個(gè)周期內(nèi)的位移為零,求k的值。

 

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科目:高中物理 來源: 題型:

 制備納米薄膜裝置的工作電極可簡(jiǎn)化為真空中間距為d的兩平行極板,如圖甲所示,加在極板A、B間的電壓UAB作周期性變化,其正向電壓為U0,反向電壓為-kU0(k>1),

電壓變化的周期為2r,如圖乙所示。在t=0時(shí),極板B附近的一個(gè)電子,質(zhì)量為m、電荷量為e,受電場(chǎng)作用由靜止開始運(yùn)動(dòng)。若整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程中,電子未碰到極板A,且不考慮重力作用。

(1)若,電子在0—2r時(shí)間內(nèi)不能到達(dá)極板A,求d應(yīng)滿足的條件;

(2)若電子在0—2r時(shí)間未碰到極板B,求此運(yùn)動(dòng)過程中電子速度隨時(shí)間t變化的關(guān)系;

(3)若電子在第N個(gè)周期內(nèi)的位移為零,求k的值。

 

 

 

 

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