一定量的理想氣體從狀態(tài)a開始,經(jīng)歷三個(gè)過程abbc、ca回到原狀態(tài),其pT圖象如圖所示,下列判斷正確的是________。

A.過程ab中氣體一定吸熱

B.過程bc中氣體既不吸熱也不放熱

C.過程ca中外界對氣體所做的功等于氣體所放的熱

D.abc三個(gè)狀態(tài)中,狀態(tài)a分子的平均動(dòng)能最小

E.bc兩個(gè)狀態(tài)中,容器壁單位面積單位時(shí)間內(nèi)受到氣體分子撞擊的次數(shù)不同


ADE

[解析] 本題綜合考查氣體的狀態(tài)變化和熱力學(xué)第一定律。從ab為等容變化、溫度升高、內(nèi)能增大,不做功,所以要吸熱,A對,過程bc為等溫膨脹,要吸熱,B不正確。ca過程為等壓降溫,體積減小,外界對氣體做功,而內(nèi)能減小,所以要放熱,但WQ,C錯(cuò)。溫度是平均動(dòng)能的標(biāo)志,Ta<TbTc,D正確。由pnEk可知,由于pb>pc Ek相等所以nb>nc,E對。

練習(xí)冊系列答案
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初速度為v0的電子,沿平行于通電長直導(dǎo)線的方向射出,直導(dǎo)線中電流方向與電子初始運(yùn)動(dòng)方向如圖所示,則(  )

A.電子將向左偏轉(zhuǎn),速率不變           B.電子將向左偏轉(zhuǎn),速率改變

C.電子將向右偏轉(zhuǎn),速率不變           D.電子將向右偏轉(zhuǎn),速率改變

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水平固定放置的足夠長的U形金屬導(dǎo)軌處于豎直向上的勻強(qiáng)磁場中,在導(dǎo)軌上放著金屬棒ab,開始時(shí),ab棒以水平初速度v0向右運(yùn)動(dòng),最后靜止在導(dǎo)軌上,就導(dǎo)軌光滑和粗糙兩種情況比較這個(gè)過程(  )

A.安培力對ab棒所做的功不相等

B.電流所做的功相等

C.產(chǎn)生的總內(nèi)能相等

D.通過ab棒的電荷量相等

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某同學(xué)通過實(shí)驗(yàn)測量一種合金的電阻率。

(1)用螺旋測微器測量合金絲的直徑。為防止讀數(shù)時(shí)測微螺桿發(fā)生轉(zhuǎn)動(dòng),讀數(shù)前應(yīng)先旋緊1圖所示的部件________(選填“A”、“B”、“C”或“D”)。從圖中的示數(shù)可讀出合金絲的直徑為________mm。

(2)2圖所示是測量合金絲電阻的電路,相關(guān)器材的規(guī)格已在圖中標(biāo)出。合上開關(guān),將滑動(dòng)變阻器的滑片移到最左端的過程中,發(fā)現(xiàn)電壓表和電流表的指針只在圖示位置發(fā)生很小的變化。由此可以推斷:電路中________(選填圖中表示接線柱的數(shù)字)之間出現(xiàn)了________(選填“短路”或“斷路”)。

(3)在電路故障被排除后,調(diào)節(jié)滑動(dòng)變阻器,讀出電壓表和電流表的示數(shù)分別為2.23V和38mA,由此,該同學(xué)算出接入電路部分的合金絲的阻值為58.7Ω。為了更準(zhǔn)確地測出合金絲的阻值,在不更換實(shí)驗(yàn)器材的條件下,對實(shí)驗(yàn)應(yīng)作怎樣的改進(jìn)?請寫出兩條建議。

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對于一定量的稀薄氣體,下列說法正確的是(  )

A.壓強(qiáng)變大時(shí),分子熱運(yùn)動(dòng)必然變得劇烈

B.保持壓強(qiáng)不變時(shí),分子熱運(yùn)動(dòng)可能變得劇烈

C.壓強(qiáng)變大時(shí),分子間的平均距離必然變小

D.壓強(qiáng)變小時(shí),分子間的平均距離可能變小

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在雙縫干涉實(shí)驗(yàn)中,一鈉燈發(fā)出的波長為589 nm的光,在距雙縫1.00 m的屏上形成干涉圖樣。圖樣上相鄰兩明紋中心間距為0.350 cm,則雙縫的間距為(  )

A. 2.06×10-7 m                  B. 2.06×10-4 m

C. 1.68×10-4 m                      D. 1.68×10-3 m

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一束白光從頂角為θ的一邊以較大的入射角i射入并通過三棱鏡后,在屏P上可得到彩色光帶,如圖所示,在入射角i逐漸減小到零的過程中,假如屏上的彩色光帶先后全部消失,則(  )

A.紅光最先消失,紫光最后消失

B.紫光最先消失,紅光最后消失

C.紫光最先消失,黃光最后消失

D.紅光最先消失,黃光最后消失

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下列關(guān)于電場強(qiáng)度的兩個(gè)表達(dá)式E=F/qE=kQ/r2的敘述,正確的是:(    )

A.E=F/q是電場強(qiáng)度定義式,F是放在電場中電荷所受的力,q是產(chǎn)生電場的電荷的電量

B.由電場強(qiáng)度的定義式E=F/q 可知,電場強(qiáng)度EF成正比,跟q成反比

C.E=kQ/r2是點(diǎn)電荷場強(qiáng)的計(jì)算公式,Q是產(chǎn)生電場的電荷量,它不適用于勻強(qiáng)電場

D.在點(diǎn)電荷Q產(chǎn)生的電場中,距Qr的某位置,放入的檢驗(yàn)電荷的電量越大,檢驗(yàn)電荷受力也越大,該處的電場強(qiáng)度也越大。

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一平凸透鏡焦距為,其平面上鍍了銀,現(xiàn)在其凸面一側(cè)距它處,垂直于主軸放置一高為的物,其下端在透鏡的主軸上(如圖預(yù)16-5)。

1.      用作圖法畫出物經(jīng)鍍銀透鏡所成的像,并標(biāo)明該像是虛、是實(shí)。

2.  用計(jì)算法求出此像的位置和大小。

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