Question

7．如圖，上下邊界間距為l、方向水平向里的勻強磁場區(qū)域位于地面上方高l處．質(zhì)量為m、邊長為l、電阻為R的正方形線框距離磁場的上邊界l處，沿水平方向拋出，線框的下邊界進入磁場時加速度為零．則線框從拋出到觸地的過程中（　�。�

• A． 沿水平方向的分運動始終是勻速運動
• B． 磁場的磁感應強度為$\sqrt{\frac{mgR}{2g{l}^{3}}}$
• C． 產(chǎn)生的電能為2mgl
• D． 運動時間為2$\sqrt{\frac{2l}{g}}$

Answer 1

分析 A、依據(jù)左手定則判定安培力方向，再結(jié)合安培力大小表達式，及矢量的合成法則，即可判定；
B、根據(jù)線框的下邊界進入磁場時加速度為零，即有重力等于安培力，結(jié)合安培力表達式，即可求解；
C、根據(jù)功能關(guān)系，結(jié)合勻速下落，即可求解產(chǎn)生電能；
D、依據(jù)運動的合成與分解，結(jié)合自由落體運動學公式，求解進入磁場時，豎直方向的速度，再利用勻速下落，即可求解．

解答 解：A、線框進入磁場后，因切割磁感應線，從而產(chǎn)生感應電流，依據(jù)左手定則可知，兩豎直邊的安培力方向相反，因安培力的大小相等，則水平方向線框受到的合力為零，則水平方向做勻速直線運動，故A正確；
B、線框的下邊界進入磁場時加速度為零，即處于平衡狀態(tài)，則有：mg=BIl，
而閉合電路歐姆定律，則有：I=$\frac{Blv}{R}$=$\frac{Bl{v}_{y}}{R}$，
線框進入磁場的豎直方向速度為v_y=$\sqrt{2gl}$，
綜上所得，B=$\sqrt{\frac{mgR}{\sqrt{2g{l}^{5}}}}$，故B錯誤；
C、因線框進入磁場后，做勻速直線運動，那么減小的重力勢能轉(zhuǎn)化為電能，即產(chǎn)生的電能為Q=2mgl，故C正確；
D、根據(jù)分運動與合運動的等時性，并分析豎直方向的運動：先自由落體運動，后勻速下落，
自由落體運動的時間，t₁=$\sqrt{\frac{2l}{g}}$，
因線框進入磁場的豎直方向速度為v_y=$\sqrt{2gl}$，那么勻速運動的時間為t₂=$\frac{2l}{{v}_{y}}$=$\sqrt{\frac{2l}{g}}$，
因此線框從拋出到觸地的過程中，運動時間為t=t₁+t₂=2$\sqrt{\frac{2l}{g}}$，故D正確；
故選：ACD．

點評 考查運動的合成與分解的應用，掌握平拋運動處理規(guī)律，理解運動學公式的內(nèi)容，注意安培力方向與大小的確定，及左手定則與右手定則的區(qū)別．