如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II,兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形(不計(jì)粒子所受重力).在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求:
(1)電子進(jìn)入電場(chǎng)II時(shí)的速度?
(2)電子離開ABCD區(qū)域的位置?
(3)電子從釋放開始到離開電場(chǎng)II過程中所經(jīng)歷的時(shí)間?
分析:(1)電子在AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放,受到水平向左的電場(chǎng)力作用而做勻加速直線運(yùn)動(dòng),由動(dòng)能定理可求出電子進(jìn)入電場(chǎng)II時(shí)的速度.
(2)電子從CD區(qū)域右側(cè)中點(diǎn)進(jìn)入?yún)^(qū)域Ⅲ勻強(qiáng)電場(chǎng)中做類平拋運(yùn)動(dòng),水平方向做勻速直線運(yùn)動(dòng),豎直方向做初速度為零的勻加速直線運(yùn)動(dòng),由牛頓第二定律和運(yùn)動(dòng)學(xué)公式結(jié)合求出電子離開ABCD區(qū)域的位置.
(3)分三段分別求出電子在三個(gè)區(qū)域運(yùn)動(dòng)的時(shí)間,再求出總時(shí)間.
解答:解:(1)電子在區(qū)域Ⅰ中運(yùn)動(dòng)時(shí),由動(dòng)能定理得:
eEL=
1
2
mv2
得:v=
2eEL
m
…①
(2)電子從CD區(qū)域右側(cè)中點(diǎn)進(jìn)入?yún)^(qū)域Ⅲ勻強(qiáng)電場(chǎng)中做類平拋運(yùn)動(dòng),水平方向做勻速直線運(yùn)動(dòng),豎直方向做初速度為零的勻加速直線運(yùn)動(dòng).設(shè)電子的質(zhì)量為m,電量為e,假設(shè)電子從CD邊射出,出射點(diǎn)縱坐標(biāo)為y,勻變速直線運(yùn)動(dòng)公式有:
L
2
-y=
1
2
a
t2=
eE
2m
(
L
v
)2
…②
聯(lián)立①②得:y=
1
4
L
,所以原假設(shè)成立,即電子離開ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo)為(-2L,
1
4
L).
(3)設(shè)電子在區(qū)域Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ運(yùn)動(dòng)的時(shí)間分別為t1、t2、t3,則:
  L=
v
2
t1
… ③
  L=vt2 …④
  L=vt3 …⑤
電子運(yùn)動(dòng)的總時(shí)間為:t=t1+t2+t3,
聯(lián)立解得:t=
8mL
eE

答:(1)電子進(jìn)入電場(chǎng)II時(shí)的速度為
2eEL
m

(2)電子離開ABCD區(qū)域的坐標(biāo)為(-2L,
1
4
L).
(3)電子從釋放開始到離開電場(chǎng)II過程中所經(jīng)歷的時(shí)間為
8mL
eE
點(diǎn)評(píng):從內(nèi)容看,該題涉及的是電子在電場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng),這部分知識(shí)學(xué)生相對(duì)比較熟悉,也是經(jīng)常訓(xùn)練的題型之一,只不過本題作了拓展.考核了帶電粒子在簡(jiǎn)化的電子槍模型中的運(yùn)動(dòng)情況,是一道拓展型試題,
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

(2008?上海)如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II,兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形(不計(jì)電子所受重力).
(1)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求電子離開ABCD區(qū)域的位置.
(2)在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點(diǎn)的位置.
(3)若將左側(cè)電場(chǎng)II整體水平向右移動(dòng)
Ln
(n≥1),仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(D不隨電場(chǎng)移動(dòng)),求在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在xOy平面的第一象限,存在以x軸、y軸及雙曲線y=
L24x
的一段(0≤x≤L,0≤y≤L)為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域Ⅰ;在第二象限存在以x=-L、x=-2L、y=0、y=L的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域Ⅱ.兩個(gè)電場(chǎng)大小均為E,不計(jì)電子所受重力,電子的電荷量為e,求:
(1)從電場(chǎng)區(qū)域Ⅰ的邊界B點(diǎn)處由靜止釋放電子,電子離開MNPQ時(shí)的坐標(biāo);
(2)試證明在電場(chǎng)Ⅰ區(qū)域的AB曲線邊界由靜止釋放的所有電子離開MNPQ時(shí)都從P點(diǎn)離開的
(3)由電場(chǎng)區(qū)域Ⅰ的AB曲線邊界由靜止釋放電子離開P點(diǎn)的最小動(dòng)能.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)Ⅰ和Ⅱ,已知A、D兩點(diǎn)的坐標(biāo)分別為(L,0)和(-2L,0),兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形(不計(jì)電子所受重力),現(xiàn)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放一電子,已知電子質(zhì)量為m,帶電量為e,試求:
(1)電子離開ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo);
(2)電子從電場(chǎng)Ⅱ出來(lái)后經(jīng)過多少時(shí)間到達(dá)X軸;
(3)電子到達(dá)X軸時(shí)的位置坐標(biāo).

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在Oxy平面的第一象限,存在以x軸y軸及雙曲線y=
L2
4x
的一段(0≤x≤L,0≤y≤L)為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)I;在第二象限存在以x=-L; x=-2L;y=0;y=L的勻強(qiáng)電場(chǎng)II.兩個(gè)電場(chǎng)大小均為E,不計(jì)電子所受重力.求
(1)從電場(chǎng)I的邊界B點(diǎn)處由靜止釋放電子,電子離開MNPQ時(shí)的位置;
(2)由電場(chǎng)I的AB曲線邊界處由靜止釋放電子離開MNPQ時(shí)的最小動(dòng)能;
(3)若將左側(cè)電場(chǎng)II整體水平向左移動(dòng)
L
n
(n≥1),要使電子從x=-2L,y=0處離開電場(chǎng)區(qū)域II,在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置.

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