(16分)如圖甲所示,豎直放置的金屬板A、B中間開有小孔,小孔的連線沿水平放置的金屬板C、D的中間線,粒子源P可以間斷地產(chǎn)生質(zhì)量為m、電荷量為q的帶正電粒子(初速不計(jì)),粒子在A、B間被加速后,再進(jìn)入金屬板C、D間偏轉(zhuǎn)并均能從此電場(chǎng)中射出.已知金屬板A、B間的電壓UAB=U0,金屬板C、D長(zhǎng)度為L(zhǎng),間距d=L/3.兩板之間的電壓UCD隨時(shí)間t變化的圖象如圖乙所示.在金屬板C、D右側(cè)有二個(gè)垂直紙面向里的均勻磁場(chǎng)分布在圖示的半環(huán)形帶中,該環(huán)帶的內(nèi)、外圓心與金屬板C、D的中心O點(diǎn)重合,內(nèi)圓半徑Rl=L/3,磁感應(yīng)強(qiáng)度B0=.已知粒子在偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間遠(yuǎn)小于電場(chǎng)變化的周期(電場(chǎng)變化的周期T未知),粒子重力不計(jì).

(1)求粒子離開偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)時(shí),在垂直于板面方向偏移的最大距離;

(2)若所有粒子均不能從環(huán)形磁場(chǎng)的右側(cè)穿出,求環(huán)帶磁場(chǎng)的最小寬度;

(3)若原磁場(chǎng)無外側(cè)半圓形邊界且磁感應(yīng)強(qiáng)度B按如圖丙所示的規(guī)律變化,設(shè)垂直紙面向里的磁場(chǎng)方向?yàn)檎较?t=T/2時(shí)刻進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)的帶電微粒離開電場(chǎng)后進(jìn)入磁場(chǎng), t=3T/4時(shí)該微粒的速度方向恰好豎直向上,求該粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為多少?

解:(1)設(shè)粒子進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)瞬間的速度為v0

對(duì)粒子加速過程由動(dòng)能定理得                             2分

進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)后,加速度                                   1分

設(shè)運(yùn)動(dòng)時(shí)間為t,則有                                        1分

只有t=T/2時(shí)刻進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)的粒子,垂直于極板方向偏移的距離最大

                                              1分

(2)t=時(shí)刻進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)的粒子剛好不能穿出磁場(chǎng)時(shí)的環(huán)帶寬度為磁場(chǎng)的最小寬度.

設(shè)粒子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度為v,

對(duì)粒子的偏轉(zhuǎn)過程有   1分

解得                         1分

在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為   1分

如圖所示,設(shè)環(huán)帶外圓半徑為R2,

                        1分

解得R2=L                               1分

 所求d= R2-R1 =           1分(3)微粒運(yùn)動(dòng)軌跡如圖所示,

微粒在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的周期為                          1分

設(shè)粒子離開電場(chǎng)時(shí)偏轉(zhuǎn)角為,則    解得 

由幾何關(guān)系可知微粒運(yùn)動(dòng)時(shí)間軌跡對(duì)應(yīng)的圓心角為:

此過程微粒運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為       1分

由圖可知微粒在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間   3分

 




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(2012?杭州模擬)2011年9月29日晚21時(shí)16分,我國(guó)將首個(gè)目標(biāo)飛行器天宮一號(hào)發(fā)射升空,它將在兩年內(nèi)分別與神舟八號(hào)、神舟九號(hào)、神舟十號(hào)飛船對(duì)接,從而建立我國(guó)第一個(gè)空間實(shí)驗(yàn)室.假如神舟八號(hào)與天宮一號(hào)對(duì)接前所處的軌道如圖甲所示,圖乙是它們?cè)谲壍郎霞磳?duì)接時(shí)的模擬圖.當(dāng)它們處于圖甲所示的軌道運(yùn)行時(shí),下列說法正確的是(  )

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科目:高中物理 來源: 題型:

(09年天津市十二區(qū)縣聯(lián)考)(16分)如圖甲所示,是位于豎直平面內(nèi)的正方形閉合金屬線框,底邊水平,金屬線框的質(zhì)量為m,電阻為R。在金屬線框的下方有一水平方向的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,MN和是勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的上下邊界,并與線框的邊平行,磁場(chǎng)方向與線框平面垂直,F(xiàn)金屬線框從磁場(chǎng)上方某一高度處由靜止開始下落,圖乙是金屬線框由開始下落到完全穿過磁場(chǎng)區(qū)域瞬間的速度一時(shí)問圖象,圖象中坐標(biāo)軸上所標(biāo)出的字母均為已知量,重力加速度為,忽略空氣阻力。求:

(1)金屬框的邊長(zhǎng)以及磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度;

(2)金屬線框在離開磁場(chǎng)過程中所產(chǎn)生的熱量。

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科目:高中物理 來源: 題型:

16分)如圖甲所示,空間存在一垂直紙面向里的水平磁場(chǎng),磁場(chǎng)上邊界OM水平,以O(shè)點(diǎn)為坐標(biāo)原點(diǎn),OM為x軸,豎直向下為y軸,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小在x方向保持不變、y軸方向按B=ky變化,k為大于零的常數(shù)。一質(zhì)量為m、電阻為R、邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框abcd從圖示位置靜止釋放,運(yùn)動(dòng)過程中線框經(jīng)絡(luò)在同一豎直平面內(nèi),當(dāng)線框下降h0(h0<L)高度時(shí)達(dá)到最大速度,線框cd邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)開始做勻速運(yùn)動(dòng),重力加速度為g。求:

(1)線框下降h0高度時(shí)速度大小v1和勻速運(yùn)動(dòng)時(shí)速度大小v2;

(2)線框從開始釋放到cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)的過程中產(chǎn)生的電能ΔE;

(3)若將線框從圖示位置以水平向右的速度v0拋出,在圖乙中大致畫出線框上a點(diǎn)的軌跡。

 

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科目:高中物理 來源:2012屆江蘇省蘇中三市高三3月第一次調(diào)研測(cè)試物理試題(帶解析) 題型:計(jì)算題

16分)如圖甲所示,空間存在一垂直紙面向里的水平磁場(chǎng),磁場(chǎng)上邊界OM水平,以O(shè)點(diǎn)為坐標(biāo)原點(diǎn),OM為x軸,豎直向下為y軸,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小在x方向保持不變、y軸方向按B=ky變化,k為大于零的常數(shù)。一質(zhì)量為m、電阻為R、邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框abcd從圖示位置靜止釋放,運(yùn)動(dòng)過程中線框經(jīng)絡(luò)在同一豎直平面內(nèi),當(dāng)線框下降h0(h0<L)高度時(shí)達(dá)到最大速度,線框cd邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)開始做勻速運(yùn)動(dòng),重力加速度為g。求:
(1)線框下降h0高度時(shí)速度大小v1和勻速運(yùn)動(dòng)時(shí)速度大小v2;
(2)線框從開始釋放到cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)的過程中產(chǎn)生的電能ΔE;
(3)若將線框從圖示位置以水平向右的速度v0拋出,在圖乙中大致畫出線框上a點(diǎn)的軌跡。

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科目:高中物理 來源:2011-2012學(xué)年江蘇省蘇中三市高三3月第一次調(diào)研測(cè)試物理試題(解析版) 題型:計(jì)算題

16分)如圖甲所示,空間存在一垂直紙面向里的水平磁場(chǎng),磁場(chǎng)上邊界OM水平,以O(shè)點(diǎn)為坐標(biāo)原點(diǎn),OM為x軸,豎直向下為y軸,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小在x方向保持不變、y軸方向按B=ky變化,k為大于零的常數(shù)。一質(zhì)量為m、電阻為R、邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框abcd從圖示位置靜止釋放,運(yùn)動(dòng)過程中線框經(jīng)絡(luò)在同一豎直平面內(nèi),當(dāng)線框下降h0(h0<L)高度時(shí)達(dá)到最大速度,線框cd邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)開始做勻速運(yùn)動(dòng),重力加速度為g。求:

(1)線框下降h0高度時(shí)速度大小v1和勻速運(yùn)動(dòng)時(shí)速度大小v2

(2)線框從開始釋放到cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)的過程中產(chǎn)生的電能ΔE;

(3)若將線框從圖示位置以水平向右的速度v0拋出,在圖乙中大致畫出線框上a點(diǎn)的軌跡。

 

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