分析 (1)粒子在電場中做類平拋運(yùn)動(dòng),恰從金屬板邊緣飛出時(shí),進(jìn)入磁場時(shí)的速率最大.根據(jù)運(yùn)動(dòng)學(xué)公式和牛頓第二定律結(jié)合此時(shí)AB兩板間的電壓,根據(jù)動(dòng)能定理求得粒子進(jìn)入磁場時(shí)的最大速率;
(2)粒子進(jìn)入磁場后由洛倫茲力提供向心力而做勻速圓周運(yùn)動(dòng).在磁場中飛行時(shí)間最長的粒子,其運(yùn)動(dòng)軌跡應(yīng)在電場中向B板偏轉(zhuǎn),在磁場中恰好與上邊界相切,畫出軌跡,由牛頓第二定律、平行四邊形定則、幾何關(guān)系及運(yùn)動(dòng)學(xué)公式結(jié)合求解最長的時(shí)間.由速度分解和牛頓第二定律求得對(duì)應(yīng)AB兩板間的電壓,結(jié)合UAB-t圖象可得即可得到由0點(diǎn)出發(fā)的可能時(shí)刻;
(3)結(jié)合上題的結(jié)果,得到對(duì)于所有能從MN邊界飛出磁場的粒子,射出時(shí)都集中在電壓U1=+300V時(shí)和電壓U2=-400V時(shí)射出點(diǎn)CG之間的范圍內(nèi),畫出軌跡,由運(yùn)動(dòng)學(xué)公式、牛頓第二定律、幾何知識(shí)結(jié)合求得這些粒子在MN邊界上出射區(qū)域的寬度.
解答 解:(1)設(shè)粒子恰從金屬板邊緣飛出時(shí),AB兩板間的電壓為U0,
由運(yùn)動(dòng)學(xué)公式:$\frac{1}{2}d=\frac{1}{2}{a}_{1}{t}^{2}$
根據(jù)牛頓第二定律得:qE1=ma1
而E1=$\frac{{U}_{0}}z4ct4le$,$t=\frac{L}{{v}_{0}}$,
聯(lián)立以上各式,解得,U0=400V<500V
設(shè)粒子進(jìn)入磁場時(shí)的最大速率為vm,由動(dòng)能定理得:q$•\frac{1}{2}{U}_{0}=\frac{1}{2}m{v}_{m}^{2}-\frac{1}{2}m{v}_{0}^{2}$
解得,vm=2$\sqrt{2}$×105m/s
(2)分析可知,在磁場中飛行時(shí)間最長的粒子,其運(yùn)動(dòng)軌跡應(yīng)在電場中向B板偏轉(zhuǎn),在磁場中恰好與上邊界相切,如圖所示,
設(shè)粒子進(jìn)入磁場時(shí),速度v與OO′成θ角,在磁場中運(yùn)動(dòng)時(shí)間為tm,由牛頓第二定律、平行四邊形定則、幾何關(guān)系及運(yùn)動(dòng)學(xué)公式得
qvB=m$\frac{{v}^{2}}{R}$,
而:v=$\frac{{v}_{0}}{cosθ}$,R(1+sinθ)=D,T=$\frac{2πm}{qB}$,tm=$\frac{180°+2θ}{360°}•T$
聯(lián)立上述各式,解得,θ=37°,tm=$\frac{127π}{9}×1{0}^{-6}s$≈4.43×10-6s
設(shè)這些粒子進(jìn)入磁場時(shí)在垂直于金屬板方向的速度為vy,對(duì)應(yīng)AB兩板間的電壓為U1,在電場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為t1,由O點(diǎn)出發(fā)的可能時(shí)間為t,則有
vy=v0tanθ
vy=a2t1
qE2=ma2
E2=$\frac{{U}_{1}}aob9vau$,
聯(lián)立解得,U1=300V;
結(jié)合UAB-t圖象可得,當(dāng)U1=300V時(shí),在一個(gè)周期內(nèi)對(duì)應(yīng)的時(shí)刻為:t0=0.4s或3.6s,因?yàn)殡妷旱闹芷跒門=4s,所以粒子在O點(diǎn)出發(fā)可能時(shí)刻為
t=nT+t0
即 t=(4n+0.4)s或(4n+3.6)s,其中 n=0,1,2,…
(3)對(duì)于所有能從MN邊界飛出磁場的粒子,射出時(shí)都集中在電壓U1=+300V時(shí)和電壓U2=-400V時(shí)射出點(diǎn)CG之間的范圍內(nèi),如圖所示.
對(duì)于電壓U1=+300V射出的粒子,設(shè)O′D=y,則由運(yùn)動(dòng)學(xué)公式和牛頓第二定律得
y=$\frac{1}{2}{a}_{2}{t}_{1}^{2}$,qE2=ma2,E2=$\frac{{U}_{1}}aaiqcwk$,
解得,y=0.075m
由第(2)問,該粒子在磁場中的運(yùn)動(dòng)半徑為R,射出電場時(shí)速度v與OO′成θ角.設(shè)在MN邊界上的射出點(diǎn)C和射入點(diǎn)D之間的距離為s1,根據(jù)牛頓第二定律、平行四邊形定則和幾何關(guān)系得qvB=m $\frac{{v}^{2}}{R}$,
v=$\frac{{v}_{0}}{cosθ}$
s1=2Rcosθ
聯(lián)立解得,s1=0.4m.
同理可知,對(duì)于U2=-400V時(shí)射出的粒子,GH間的距離為s2為:s2=$\frac{2m{v}_{0}}{qB}$
設(shè)在MN邊界是粒子出射區(qū)域的寬度為L,由幾何關(guān)系可知:
L=s2+$\frac{1}{2}$d+y-s1
代入解得,L=0.175m.
答:(1)粒子進(jìn)入磁場時(shí)的最大速率是2$\sqrt{2}$×105m/s.
(2)對(duì)于在磁場中飛行時(shí)間最長的粒子,在磁場中飛行的時(shí)間是4.43×10-6s,由0點(diǎn)出發(fā)的可能時(shí)刻是t=(4n+0.4)s或(4n+3.6)s,其中 n=0,1,2,….
(3)對(duì)于所有能從MN邊界飛出磁場的粒子在MN邊界上出射區(qū)域的寬度是0.175m.
點(diǎn)評(píng) 本題考查帶電在電磁場中的運(yùn)動(dòng),綜合考查了牛頓定律、動(dòng)能定理、受力分析等方面的知識(shí)和規(guī)律.對(duì)考生的分析綜合能力、應(yīng)用數(shù)學(xué)知識(shí)的能力要求較高.
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | M帶正電,N帶負(fù)電 | B. | M的速率大于N的速率 | ||
C. | 洛侖茲力對(duì)M、N做正功 | D. | M、N的運(yùn)行時(shí)間相等 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 無摩擦力作用 | |
B. | 有水平方向的摩擦力,但無法判定方向 | |
C. | 支持力大小為(M+m)g | |
D. | 支持力小于(M+m)g |
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
編號(hào) | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
U/V | 0.20 | 0.60 | 1.00 | 1.40 | 1.80 | 2.20 | 2.60 | 3.00 |
I/A | 0.020 | 0.060 | 0.100 | 0.140 | 0.170 | 0.190 | 0.200 | 0.205 |
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