【題目】如圖所示,一圓柱形絕熱容器豎直放置,通過絕熱活塞封閉著溫度為T1的理想氣體,活塞的質(zhì)量為m,橫截面積為S,與容器底部相距h.現(xiàn)通過電熱絲給氣體加熱一段時(shí)間,使活塞緩慢上升且氣體溫度上升到T2,若這段時(shí)間內(nèi)氣體吸收的熱量為Q,已知大氣壓強(qiáng)為p0,重力加速度為g,求:

①氣體的壓強(qiáng).

②這段時(shí)間內(nèi)活塞緩慢上升的距離是多少?

③這段時(shí)間內(nèi)氣體的內(nèi)能變化了多少?

【答案】

【解析】①活塞受力分析如圖,由平衡條件得P=P0+mg/S

②設(shè)溫度為t2時(shí)活塞與容器底部相距h2.因?yàn)闅怏w做等壓變化,由蓋呂薩克定律 得:

由此得:

活塞上升了Δhh2h1

氣體對(duì)外做功為WPS·Δh=(p0+S·=(P0Smg)

由熱力學(xué)第一定律可知ΔUQWQ-(P0Smg)

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示,一質(zhì)量為m=0.10kg的小物塊以初速度υ0從粗糙水平桌面上某處開始運(yùn)動(dòng),經(jīng)時(shí)間t=0.2s后以速度飛離桌面,最終落在水平地面上。物塊與桌面間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ=0.25,桌面高h=0.45m,不計(jì)空氣阻力,重力加速度g。求:

1)小物塊的初速度的大小;

2)小物塊落地點(diǎn)距飛出點(diǎn)的水平距離x;

3)小物塊落地時(shí)的動(dòng)能

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示為光電效應(yīng)中光電流隨入射光的強(qiáng)度、入射光的頻率和外加電壓變化的圖象,在橫軸上的截距表示加上反向電壓達(dá)到一定值時(shí)光電流為零,這個(gè)電壓稱為遏止電壓Uc,加上正向電壓,電壓達(dá)到一定值時(shí),對(duì)于某一頻率的光,在光的強(qiáng)度一定的情況下,光電流也趨于一定,這個(gè)電流稱為飽和光電流,根據(jù)圖中提供的信息可以判斷出,在光電效應(yīng)中,遏止電壓與________有關(guān),與________無關(guān),飽和光電流與________________有關(guān),與________無關(guān).(入射光的頻率”、“入射光的強(qiáng)度外加電壓”)

【答案】 入射光的頻率 入射光的強(qiáng)度 入射光的頻率 入射光的強(qiáng)度 外加電壓

【解析】由題圖可知,黃光與藍(lán)光的頻率不同,遏止電壓不同,說明遏止電壓與入射光的頻率有關(guān),而黃光的強(qiáng)弱不同,但遏止電壓相同,說明遏止電壓與入射光的強(qiáng)度無關(guān);加上正向電壓,電壓達(dá)到一定值時(shí),對(duì)于某一頻率的光,在入射光的強(qiáng)度一定的情況下,光電流也趨于一定,說明飽和光電流與外加電壓無關(guān),而入射光的頻率不同,光強(qiáng)不同,飽和光電流都不同,說明飽和光電流與入射光的頻率和強(qiáng)度都有關(guān).

型】填空
結(jié)束】
92

【題目】如圖所示,半徑分別為R=1 mr=0.5 m的甲、乙兩光滑圓軌道置于同一豎直平面內(nèi),兩軌道之間由一段光滑水平軌道CD相連,在水平軌道CD上一輕彈簧被ab兩小球夾住,現(xiàn)同時(shí)由靜止釋放兩小球,重力加速度取g=10 m/s2.

①如果ab小球都恰好能夠通過各自圓軌道的最高點(diǎn),求兩小球的質(zhì)量之比;

②如果a、b小球的質(zhì)量均為0.5 kg,為保證兩小球都能夠通過各自圓軌道的最高點(diǎn),求釋放兩小球前彈簧彈性勢(shì)能的最小值.

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示,真空中有一個(gè)半徑為R的均勻透明介質(zhì)球,一細(xì)束激光沿直線AB傳播,在介質(zhì)球表面的B點(diǎn)經(jīng)折射進(jìn)入球,入射角θ160°,在球面上另一點(diǎn)又一次經(jīng)折射后進(jìn)人真空,此時(shí)激光的傳播方向相對(duì)于光線AB偏轉(zhuǎn)了60°.已知真空中的光速為c,求:

①介質(zhì)球的折射率n

②激光在介質(zhì)球中傳播的時(shí)間t.

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,一個(gè)100匝的閉合矩形金屬線圈,繞與磁感線垂直的固定軸勻速轉(zhuǎn)動(dòng),穿過該線圈的磁通量Φ隨時(shí)間t的變化關(guān)系如圖所示。已知線圈總電阻為2 Ω,則

A. t=1.0s時(shí)線圈平面平行于磁感線

B. t=1.5 s時(shí)線圈中感應(yīng)電流為0

C. t=2.0 s時(shí)線圈中的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為0

D. 一個(gè)周期內(nèi)線圈產(chǎn)生的熱量為8 J

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示,豎直平面內(nèi)的四分之一圓弧軌道下端與水平桌面相切,小滑塊A靜止在圓弧軌道的最低點(diǎn)。小滑塊BA的右側(cè)l=3.0m處以初速度v0=5.0m/s向左運(yùn)動(dòng),BA碰撞后結(jié)合為一個(gè)整體,并沿圓弧軌道向上滑動(dòng)。已知圓弧軌道光滑,且足夠長(zhǎng);AB的質(zhì)量相等;B與桌面之間的動(dòng)摩擦因數(shù)=0.15。取重力加速度g =10m/s2。求:

1)碰撞前瞬間B的速度大小v

2)碰撞后瞬間AB整體的速度大小v;

3AB整體在圓弧軌道上所能到達(dá)的最大高度h。

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示,甲分子固定在坐標(biāo)原點(diǎn)O處,乙分子從OM間的某處由靜止開始沿x軸正方向運(yùn)動(dòng),甲、乙兩分子的分子勢(shì)能Ep與兩分子間距離x的關(guān)系如圖中曲線所示.若M、N、P三點(diǎn)的橫坐標(biāo)分別為x1、x2、x3,乙分子經(jīng)過N點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能為2E0,則下列說法正確的是________

A.乙分子在M點(diǎn)時(shí),甲、乙兩分子間的分子力表現(xiàn)為斥力

B.乙分子在N點(diǎn)時(shí),加速度最小

C.乙分子在M點(diǎn)時(shí),動(dòng)能為E0

D.乙分子在P點(diǎn)時(shí),速度為零

E.乙分子在P點(diǎn)時(shí),分子力的功率為零

【答案】ABC

【解析】乙分子從OM間的某處由靜止開始沿x軸正方向運(yùn)動(dòng)到N點(diǎn)的過程中,分子勢(shì)能逐漸減小,分子力一直做正功,可見分子力表現(xiàn)為斥力,A正確;乙分子在N點(diǎn)時(shí)分子勢(shì)能最小,分子力為零,加速度為零,B正確;在M點(diǎn)時(shí),根據(jù)能量守恒定律得,得,C正確;在P點(diǎn)時(shí),根據(jù)能量守恒定律得,得,乙分子在P點(diǎn)時(shí)速度不為零,分子力與速度方向相反,功率不為零,D、E錯(cuò)誤。

型】填空
結(jié)束】
162

【題目】如圖,一質(zhì)量為m的活塞將理想氣體密封在足夠高的導(dǎo)熱汽缸內(nèi),活塞用勁度系數(shù)為k的輕質(zhì)彈簧懸掛于天花板上,系統(tǒng)靜止時(shí),活塞與汽缸底部高度差為L0,彈簧的彈力為3mg.現(xiàn)用左手托住質(zhì)量為2m的物塊,右手將物塊用輕繩掛于汽缸底部,然后左手緩慢下移,直至離開物塊.外界大氣壓恒為p0,活塞的橫截面積為S,重力加速度大小為g,不計(jì)一切摩擦和缸內(nèi)氣體的質(zhì)量,環(huán)境溫度保持不變.求汽缸底部掛上物塊后穩(wěn)定時(shí),汽缸下降的高度h.

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示為某電場(chǎng)中x軸上電勢(shì)φx變化的圖象,一個(gè)帶電粒子僅受電場(chǎng)力作用在x=0處由靜止釋放沿x軸正向運(yùn)動(dòng),且以一定的速度通過x=x2處,則下列說法正確的是

A. x1x2處的電場(chǎng)強(qiáng)度均為零

B. x1x2之間的場(chǎng)強(qiáng)方向不變

C. 粒子從x=0x=x2過程中,電勢(shì)能先增大后減小

D. 粒子從x=0x=x2過程中,加速度先減小后增大

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖甲,間距L=l m且足夠長(zhǎng)的光滑平行金屬導(dǎo)軌cd、ef固定在水平面(紙面)上,右側(cè)cf間接有R=2 Ω的電阻。垂直于導(dǎo)軌跨接一根長(zhǎng)l=2 m、質(zhì)量m=0.8 kg的金屬桿,金屬桿每米長(zhǎng)度的電阻為2 Ω。t=0時(shí)刻,寬度a=1.5 m的勻強(qiáng)磁場(chǎng)左邊界緊鄰金屬桿,磁場(chǎng)方向豎直向下、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B=2 T。從t=0時(shí)刻起,金屬桿(在方向平行于導(dǎo)軌的水平外力F作用下)和磁場(chǎng)向左運(yùn)動(dòng)的速度一時(shí)間圖像分別如圖乙中的 ①和②。若金屬桿與導(dǎo)軌接觸良好,不計(jì)導(dǎo)軌電阻,則)( )

A. t=0時(shí)刻,R兩端的電壓為

B. t=0.5 s時(shí)刻,金屬桿所受安培力的大小為1N、方向水平向左

C. t=l.5 s時(shí)刻,金屬桿所受外力F做功的功率為4.8 W

D. 金屬桿和磁場(chǎng)分離前的過程中,從cf通過電阻R的電荷量為0.5 C

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同步練習(xí)冊(cè)答案