如圖所示，一個電量為－Q的點(diǎn)電荷甲，固定在絕緣水平面上的O點(diǎn)．另一個電荷量為＋q及質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙，從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動，到B點(diǎn)的速度最小為v．已知點(diǎn)電荷乙與水平面的動摩擦因數(shù)為μ、AB間距離為L0及靜電力常量為k，則

A．

B間的距離為

B．

點(diǎn)電荷乙能越過B點(diǎn)向左運(yùn)動，其電勢能仍增多

C．

在點(diǎn)電荷甲形成的電場中，AB間電勢差

D．

從A到B的過程中，電場力對點(diǎn)電荷乙做的功為W＝μmgL0＋

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，一個電量為-Q的點(diǎn)電荷甲，固定在絕緣水平面上的O點(diǎn)．另一個電學(xué)量為+q及質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙，從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動，到B點(diǎn)的速度最小為v．已知點(diǎn)電荷乙與水平面的動摩擦因數(shù)為μ、AB間距離為L0及靜電力常量為k，則（　�。�

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2009?揚(yáng)州模擬）如圖所示，一個電量為+Q的點(diǎn)電荷甲，固定在絕緣水平面上的O點(diǎn)，另一個電量為-q、質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動，到B點(diǎn)時(shí)速度最小且為v．已知靜電力常量為k，點(diǎn)電荷乙與水平面的動摩擦因數(shù)為μ，AB間距離為L則（　�。�

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2011?鷹潭一模）如圖所示，一個電量為-Q的點(diǎn)電荷甲，固定在絕緣水平面上的O點(diǎn)．另一個電學(xué)量為+q及質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙，從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動，運(yùn)動到B點(diǎn)時(shí)的速度為v，且為運(yùn)動過程中速度最小值．已知點(diǎn)電荷乙與水平面的動摩擦因數(shù)為μ，AB間距離為L0，靜電力常量為k，則下列說法正確的是（　�。�

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2013?湖南模擬）如圖所示，一個電量為+Q的點(diǎn)電荷甲，固定在絕緣水平面上的O點(diǎn)，另一個電量為-q、質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙從A點(diǎn)以初速度vo沿它們的連線向甲運(yùn)動，到B點(diǎn)時(shí)速度最小且為v．已知靜電力常量為k，點(diǎn)電荷乙與水平面的動摩擦因數(shù)為μ，AB間距離為L，則以下說法不正確的是（　�。�

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科目：高中物理 來源： 題型：

精英家教網(wǎng)如圖所示，一個電量為-Q的點(diǎn)電荷甲，固定在絕緣水平面上的O點(diǎn)．另一個電量為+q及質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙，從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動，到B點(diǎn)的速度最小為v．已知點(diǎn)電荷乙與水平面的動摩擦因數(shù)為μ、AB間距離為L0及靜電力常量為k，則（　�。�
A、OB間的距離大于
kQq
μmg
B、點(diǎn)電荷乙能越過B點(diǎn)向左運(yùn)動，其電勢能仍增多
C、在點(diǎn)電荷甲形成的電場中，AB間電勢差UAB=
μmgL+
1
2
mv2-
1
2
m
v
2
0
q
D、從A到B的過程中，電場力對點(diǎn)電荷乙做的功為W=μmgL0+
1
2
m
v
2
0
-
1
2
mv2

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