【題目】兩個相同的負電荷和一個正電荷附近的電場線分布如圖所示,c是兩負電荷連線的中點,d點在正電荷的正上方,c、d到正電荷的距離相等,則錯誤的是()

A. a點的電場強度比b點的大 B. a點的電勢比b點的高

C. c點的電場強度比d點的大 D. c點的電勢比d點的低

【答案】B

【解析】試題分析:由圖看出,a點處電場線比b點處電場線密,則a點的場強大于b點的場強,故A正確.電場線從正電荷到負電荷,沿著電場線電勢降低,所以b點的電勢比a點的高,所以B錯誤;負電荷在c點的合場強為零,c點只有正電荷產(chǎn)生的電場強度,在d正電荷產(chǎn)生的場強向上,兩個負電荷產(chǎn)生的場強向下,合場強是它們的差值,所以c點的電場強度比d點的大,所以C正確;正電荷到c點的平均場強大于正電荷到d點的平均場強,根據(jù)U=Ed可知,正電荷到c點電勢降低的多,所以c點的電勢比d點的低;也可以根據(jù)電勢這樣理解:由正電荷在dc兩點產(chǎn)生的電勢相等,但兩個負電荷在d點產(chǎn)生的電勢高于c點,所以c點的總電勢低于d點.所以D正確;故選ACD

練習冊系列答案
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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示,直線a和曲線b分別是在平直公路上行駛的汽車ab的位置-時間(x-t)圖線.由圖可知( )

A. 在時刻t1,a車追上b

B. 在時刻t2a、b兩車運動方向相反

C. t1t2這段時間內,b車的位移比a車的大

D. t1t2這段時間內,b車的速率一直比a車的大

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】關于渦流,下列說法中正確是( )

A.真空冶煉利用渦流來熔化金屬的裝置

B.家用電磁爐鍋體中的渦流是由恒定磁場產(chǎn)生的

C.阻尼擺擺動時產(chǎn)生的渦流總是阻礙其運動

D.變壓器的鐵芯用相互絕緣的硅鋼片疊成能減小渦流

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】海洋中蘊藏著巨大的能量,利用海洋的波浪可以發(fā)電.在我國南 海上有一浮桶式波浪發(fā)電燈塔,其原理示意圖如圖甲所示.浮桶內的磁體通過支柱固定在暗礁上,浮桶內置線圈隨波浪相對磁體沿豎直方向運動,且始終處于磁場中,該線圈與阻值R=15Ω的燈泡相連.浮桶下部由內、外兩密封圓筒構成(圖中斜線陰影部分),如圖乙所示,其內為產(chǎn)生磁 場的磁體,與浮桶內側面的縫隙忽略不計;匝數(shù)N=200的線圈所在處輻射磁場的磁感應強度B=0.2T,線圈直徑D=0.4m,電阻r=1Ω.取重力加速度g=10m/s2π2= 10.若浮桶隨波浪上下運動的速度可表示為v=0. 4πsin(πt)m/s.求:

(1)波浪發(fā)電產(chǎn)生電動勢e的瞬時表達式;

(2)燈泡的電功率;

(3)燈泡兩端電壓的有效值.

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【題目】如圖所示,長為L的輕桿,一端固定一個小球,另一端固定在光滑的水平軸上,使小球在豎直平面內做圓周運動。關于小球過最高點的速度v,下列說法中正確的是(

A. v的最小值為

B. v由零逐漸增大到時,桿對球的彈力逐漸增大

C. v逐漸增大時,桿對球的彈力逐漸減小

D. v是球所受彈力方向發(fā)生變化的臨界速度

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖(甲)所示,某人對用頻閃照相研究平拋運動規(guī)律的裝置進行了改進,在裝置兩側都裝上了完全相同的斜槽A、B,但位置有一定高度差,白色、黑色兩相同小球分別由兩斜槽某位置靜止釋放。實驗后對照片做一定處理并建立直角坐標系,得到如圖(乙)所示的部分小球位置示意圖。

1)觀察改進后的實驗裝置可以發(fā)現(xiàn),斜槽末端都接有一小段水平槽,這樣做的目的是_____________________________。

2根據(jù)部分小球位置示意圖,下列說法正確的是_____

A.閃光間隔為0.1s

B.白色球拋出點坐標(0,0

C.黑色球拋出點坐標(0.95,0.50

D.兩球從斜槽上靜止釋放時距水平槽的高度相同

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】20171211日零時40分,我國在西昌衛(wèi)星發(fā)射中心用長征三號乙運載火箭,成功將阿爾及利亞一號通信衛(wèi)星送入如圖所示的地球同步轉移軌道。該軌道的近地點為M,遠地點為N,忽略空氣阻力,則下列說話正確的是

A. 衛(wèi)星經(jīng)過M點時的速度最小

B. 衛(wèi)星經(jīng)過N點時的速度最小

C. 衛(wèi)星在M點的加速度最小

D. 衛(wèi)星在從MN的過程中機械能減小

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示,在點電荷Q產(chǎn)生的電場中,實線MN是一條方向未標出的電場線,虛線AB 是一個電子只在電場力作用下的運動軌跡。設電子在AB兩點的加速度大小分別為aA、aB,電勢能分別為EpA、EpB。下列說法正確的是

A. aA< aB,則Q靠近M端且為負電荷

B. aA> aB,則Q靠近M端且為正電荷

C. EpA=EpB

D. EpA>EpB

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】霍爾效應是電磁基本現(xiàn)象之一,近期我國科學家在該領域的實驗研究上取得了突破性進展.如圖甲所示,在一矩形半導體薄片的E、F間通入電流I,同時外加與薄片垂直的磁場B,在C、D間出現(xiàn)電壓UCD,這種現(xiàn)象稱為霍爾效應,UCD稱為霍爾電壓,且滿足UCDk ,式中d為薄片的厚度,k為霍爾系數(shù),某同學通過實驗來測定該半導體薄片的霍爾系數(shù).

 

(1)若該半導體材料是空穴(可視為帶正電粒子)導電,電流與磁場方向如圖所示,該同學用電壓表測量UCD時,應將電壓表的“+”接線柱與________(填“C”或“D”)端通過導線相連.

(2)已知薄片厚度d0.40 mm,該同學保持磁感應強度B0.10 T不變,改變電流I的大小,測量相應的UCD值,記錄數(shù)據(jù),描點作圖,畫出UCDI圖線,如圖乙所示,利用圖線求出該材料的霍爾系數(shù)為________×103V·m·A1·T1(保留2位有效數(shù)字)

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