精英家教網(wǎng)一定質(zhì)量的理想氣體,由初狀態(tài)A開始,按圖中箭頭方向進(jìn)行了一系列狀態(tài)變化,最后又回到初始狀態(tài)A,即A→B→C→A(其中AB為雙曲線的一支).這一過程稱為一個(gè)循環(huán),則:
(1)由A→B,氣體分子的平均動(dòng)能
 

(2)由B→C,氣體的內(nèi)能
 

(3)由C→A,氣體分子對(duì)容器壁單位面積上的作用力
 
.(以上均填“增大”、“減小”或“不變”)
分析:從A→B,為等溫變化,溫度不變則分子平均動(dòng)能不變.
從B→C為等容變化,由查理定律:
PB
TB
=
PC
TC
知,溫度升高,則氣體的內(nèi)能增大.
由C→A為等壓變化,壓強(qiáng)不變,則氣體分子對(duì)容器壁單位面積上的作用力不變.
解答:解:(1)從A→B,為等溫變化,則分子平均動(dòng)能不變.
(2)從B→C為等容變化,由查理定律知溫度升高,則氣體的內(nèi)能增大.
(3)由C→A為等壓變化,壓強(qiáng)不變,則氣體分子對(duì)容器壁單位面積上的作用力不變.
故答案為:不變,增大,不變
點(diǎn)評(píng):本題關(guān)鍵是知道P-V圖象中的雙曲線表示等溫線,注意研究過程中哪些量不變,哪些量變化.
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相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

一定質(zhì)量的理想氣體,從初始狀態(tài)A經(jīng)狀態(tài)B、C、D再回到狀態(tài)A,其體積V與溫度T的關(guān)系如圖所示.圖中TA、VA和TD為已知量.
①從狀態(tài)A到B,氣體經(jīng)歷的是
等容
等容
過程(填“等溫”“等容”或“等壓”);
②從B到C的過程中,氣體的內(nèi)能
不變
不變
(填“增大”“減小”或“不變”);
③從C到D的過程中,氣體對(duì)外
做負(fù)功
做負(fù)功
(填“做正功”“做負(fù)功”或“不做功”),同時(shí)
放熱
放熱
(填“吸熱”或“放熱”);
④氣體在狀態(tài)D時(shí)的體積VD=
TD
TA
VA
TD
TA
VA

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科目:高中物理 來源: 題型:

【物理--選修3-3】
(1)對(duì)一定質(zhì)量的理想氣體,下列說法正確的是
BCE
BCE

A.氣體的體積是所有氣體分子的體積之和
B.氣體溫度越高,氣體分子的熱運(yùn)動(dòng)就越劇烈
C.氣體對(duì)容器的壓強(qiáng)是由大量氣體分子對(duì)容器不斷碰撞而產(chǎn)生的
D.當(dāng)氣體膨脹時(shí),氣體的內(nèi)能一定減少
E.在壓強(qiáng)不變而體積增大時(shí),單位時(shí)間碰撞容器壁單位面積的分子數(shù)一定減少
(2)一定質(zhì)量理想氣體的p-V圖象如圖所示,其中a→b為等容過程,b→c為等壓過程,c→a為等溫過程,已知?dú)怏w在狀態(tài)a時(shí)的溫度Ta=300K,在狀態(tài)b時(shí)的體積Vb=22.4L求:
①氣體在狀態(tài)c時(shí)的體積Vc;
②試比較氣體由狀態(tài)b到狀態(tài)c過程從外界吸收的熱量Q與對(duì)外做功W的大小關(guān)系,并簡(jiǎn)要說明理由.

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科目:高中物理 來源: 題型:

(選修3-3模塊)一定質(zhì)量的理想氣體初始狀態(tài)為(P0,V0),分別經(jīng)過三個(gè)不同的過程變到末狀態(tài)(P0,2V0).
①等溫膨脹變?yōu)?V0,再等容升壓到(P0,2V0),總共吸收熱量為Q1;
②等壓膨脹到(P0,2V0),吸收的熱量為Q2;
③先等容降壓到0.5P0,再等壓膨脹到2V0,最后等容升壓到(P0,2V0),總共吸收熱量Q3;
則Q1、Q2、Q3的大小關(guān)系是(  )

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2012?長(zhǎng)寧區(qū)一模)一定質(zhì)量的理想氣體在等容變化過程中測(cè)得,氣體在0℃時(shí)的壓強(qiáng)為p0,10℃時(shí)的壓強(qiáng)為p10,氣體在15℃時(shí)的壓強(qiáng)為p,則在下列各表達(dá)式正確的是( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

下列說法中不正確的是( 。
A、布朗運(yùn)動(dòng)是由液體分子從各個(gè)方向?qū)腋×W幼矒糇饔玫牟黄胶庖鸬?/span>B、對(duì)于一定質(zhì)量的理想氣體,若單位體積內(nèi)分子個(gè)數(shù)不變,當(dāng)分子熱運(yùn)動(dòng)加劇時(shí),壓強(qiáng)一定變大C、當(dāng)兩個(gè)分子間的距離為r0(平衡位置)時(shí),分子勢(shì)能最小且一定為零D、單晶體和多晶體均存在固定的熔點(diǎn)

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