如圖甲所示,abcd為導(dǎo)體做成的框架,其平面與水平面成θ角.質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQ與ab、cd接觸良好,回路的總電阻為R;整個(gè)裝置放在垂直于框架平面的變化的磁場(chǎng)中.磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度變化情況如圖乙所示,PQ始終靜止.關(guān)于PQ與ab、cd間摩擦力f在0到t1 s內(nèi)的變化情況的說法中,有可能正確的是(    )

A.f一直增大                             B.f一直減小

C.f先減小后增大                         D.f先增大后減小

AC


解析:

由i==S/R=kS/R(k為圖線斜率)可知,在0—t1時(shí)間內(nèi),i的大小恒定,且F安=Btil先減小后增大.在B正向減小的過程中,PQ棒受安培力沿斜面向上且逐漸減小,如圖(a),在B反向增大的過程中,PQ棒受安培力沿斜面向下且逐漸增大,如圖(b).前一種情況中PQ棒受靜摩擦力可能隨F安減小而逐漸減小(當(dāng)f靜沿斜面向下時(shí)),也可能隨F安減小而逐漸增大(當(dāng)f靜沿斜面向上時(shí)).后一種情況PQ棒受靜摩擦力隨安培力增大而逐漸增大(f靜方向一定沿斜面向上).故正確選項(xiàng)為AC.

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科目：高中物理 來源：學(xué)習(xí)周報(bào)　物理　人教課標(biāo)高考版　2009－2010學(xué)年　第20期　總第176期 人教課標(biāo)版 題型：021

如圖甲所示abcd為導(dǎo)體做成的框架，其平面與水平面成角，質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQ與ab、cd接觸良好，回路的電阻為R，整個(gè)裝置放于垂直框架平面的變化的磁場(chǎng)中，磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時(shí)間變化規(guī)律如圖乙所示，PQ始終靜止，在時(shí)間0～t內(nèi)，PQ受到的摩擦力f的大小變化可能是

A．

f一直不變

B．

f一直減小

C．

f先減小后增大

D．

f先增大后減小

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖甲所示,abcd為導(dǎo)體做成的框架,其平面與水平面成θ角.質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQ與ab、cd接觸良好,回路的總電阻為R;整個(gè)裝置放在垂直于框架平面的變化的磁場(chǎng)中.磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度變化情況如圖乙所示,PQ始終靜止.關(guān)于PQ與ab、cd間摩擦力f在0到t1 s內(nèi)的變化情況的說法中,有可能正確的是(    )

A.f一直增大                               B.f一直減小

C.f先減小后增大                         D.f先增大后減小

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖甲所示,abcd為導(dǎo)體做成的框架,其平面與水平面成θ角.質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQ與ab、cd接觸良好,回路的總電阻為R;整個(gè)裝置放在垂直于框架平面的變化的磁場(chǎng)中.磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度變化情況如圖乙所示,PQ始終靜止.關(guān)于PQ與ab、cd間摩擦力f在0到t1 s內(nèi)的變化情況的說法中,有可能正確的是(    )

A.f一直增大                            

B.f一直減小

C.f先減小后增大                        

D.f先增大后減小

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科目：高中物理 來源： 題型：多選題

如圖甲所示,abcd為導(dǎo)體做成的框架,其平面與水平面成θ角.質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒PQ與ab、cd接觸良好,回路的總電阻為R;整個(gè)裝置放在垂直于框架平面的變化的磁場(chǎng)中.磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度變化情況如圖乙所示,PQ始終靜止.關(guān)于PQ與ab、cd間摩擦力f在0到t1 s內(nèi)的變化情況的說法中,有可能正確的是


  1. A.
    f一直增大
  2. B.
    f一直減小
  3. C.
    f先減小后增大
  4. D.
    f先增大后減小

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