如圖所示，區(qū)域Ⅰ和區(qū)域Ⅱ的勻強(qiáng)磁場感強(qiáng)度大小相等，方向相反．在區(qū)域Ⅱ的A處有一靜止的原子核發(fā)生α衰變，生成的新核電量為q（大于α粒子帶電量），新核和α粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡如圖，其中一個(gè)由區(qū)域Ⅱ進(jìn)入?yún)^(qū)域Ⅰ，與光滑絕緣擋板PN垂直相碰后（PN與磁場分界線CD平行），經(jīng)過一段時(shí)間又能返回到A處，已知區(qū)域Ⅰ的寬度為d，試求新核和α粒子的軌道半徑．（基本電荷電量為e）
精英家教網(wǎng)

精英家教網(wǎng)
衰變過程遵守動(dòng)量守恒，則由R=
mv
qB
可知，左邊為α粒子軌跡，且在區(qū)域I、II中軌道半徑相同，
由幾何關(guān)系知 α=60°，則α粒子軌道半徑為
  Rα=
d
sinα
=
2
3
d
3

又α粒子的軌道半徑 Rα=
mαvα
2eB
，新核的軌道半徑 R新=
m新v新
qB

根據(jù)動(dòng)量守恒得：mαvα=m新v新
∴新核運(yùn)動(dòng)的軌道半徑為R新=
4
3
ed
3q

答：新核和α粒子的軌道半徑分別為
2
3
d
3
和
4
3
ed
3q
．
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示為電阻R1和R2的伏安特性曲線，并且把第一象限分為了Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三個(gè)區(qū)域．現(xiàn)把R1和R2并聯(lián)在電路中，消耗的電功率分別用P1和P2表示；并聯(lián)的總電阻設(shè)為R．下列關(guān)于P1與P2的大小關(guān)系及R的伏安特性曲線應(yīng)該在的區(qū)域正確的是（　�。�

查看答案和解析>>

科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，勻強(qiáng)磁場區(qū)和無磁場區(qū)的寬度都為L，磁場區(qū)Ⅰ和Ⅲ內(nèi)的磁感強(qiáng)度大小為B；磁場區(qū)Ⅱ和Ⅳ內(nèi)的磁感強(qiáng)度大小為2B，邊長為L、總電阻為R的正方形導(dǎo)線框abcd，以速度v向右勻速運(yùn)動(dòng)，從線框bc邊剛進(jìn)入?yún)^(qū)域Ⅰ開始計(jì)時(shí)，到線框ad邊剛離開區(qū)域Ⅳ停止計(jì)時(shí)，求在這段時(shí)間內(nèi)線框中電流生熱的平均功率是多少？

查看答案和解析>>

科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，空間有Ⅰ和Ⅱ兩個(gè)有理想邊界、寬度都為L的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，方向如圖所示．a(chǎn)bcd是由均勻電阻絲做成的邊長為L的正方形線框，每邊電阻均為R．線框以垂直磁場邊界的速度v水平向右勻速穿過兩磁場區(qū)域．線框平面與磁感線垂直，且bc邊始終與磁場邊界平行．設(shè)線框剛進(jìn)入Ⅰ區(qū)的位置x=0，x軸沿水 平方向向右，從bc邊剛進(jìn)入Ⅰ區(qū)到ad邊離開Ⅱ區(qū)的過程中，ab兩端電勢差Uab隨距離變化的圖象正確的是（圖中U0=BLv）（　　）

查看答案和解析>>

科目：高中物理 來源：2014屆河南省高二上學(xué)期期中考試物理試卷（解析版） 題型：選擇題

如圖所示是電阻R1和R2的伏安特性曲線，并且把第一象限分為Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三個(gè)區(qū)域．現(xiàn)在把電阻R1和R2并聯(lián)在電路中，消耗的電功率分別為P1和P2，并聯(lián)的總電阻設(shè)為R，下列關(guān)于P1與P2的大小關(guān)系及R的伏安特性曲線所在的區(qū)域正確的是

A．特性曲線在Ⅰ區(qū)，P1＜P2   

B．特性曲線在Ⅲ區(qū)，P1＞P2

C．特性曲線在Ⅰ區(qū)，P1＞P2   

D．特性曲線在Ⅲ區(qū)，P1＜P2

 

查看答案和解析>>

科目：高中物理 來源：2010年江蘇省高二上學(xué)期期中考試物理卷 題型：選擇題

如圖所示為電阻R1和R2的伏安特性曲線，并且把第一象限分為了Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三個(gè)區(qū)域．現(xiàn)把R1和R2并聯(lián)在電路中，消耗的電功率分別用P1和P2表示；并聯(lián)的總電阻設(shè)為R．下列關(guān)于P1與P2的大小關(guān)系及R的伏安特性曲線應(yīng)該在的區(qū)域正確的是(         )

A．特性曲線在Ⅰ區(qū)，P1<P 2     B．特性曲線在Ⅲ區(qū)，P1<P2

C．特性曲線在Ⅰ區(qū)，P1＞P2     D．特性曲線在Ⅲ區(qū)，P1＞P2

 

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊答案