飛行時(shí)間質(zhì)譜儀可對(duì)氣體分子進(jìn)行分析.如圖所示,在真空狀態(tài)下,脈沖閥P噴出微量氣體,經(jīng)激光照射產(chǎn)生電荷量為q、質(zhì)量為m的正離子,自a板小孔進(jìn)入a、b間的加速電場(chǎng),從b板小孔射出,沿中線方向進(jìn)入M、N板間的偏轉(zhuǎn)控制區(qū),到達(dá)探測(cè)器.已知a、b板間距為d,極板M、N的長(zhǎng)度和間距均為L(zhǎng).不計(jì)離子重力及進(jìn)入a板時(shí)的初速度.(1)當(dāng)a、b間的電壓為U1,在M、N間加上適當(dāng)?shù)碾妷篣2,使離子到達(dá)探測(cè)器.求離子到達(dá)探測(cè)器的全部飛行時(shí)間.
(2)為保證離子不打在極板上,試求U2與U1的關(guān)系.
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(1)在加速過程中,電勢(shì)能轉(zhuǎn)化為動(dòng)能,由動(dòng)能定理有:
qU1=
1
2
mv2

離子在a、b間的加速度為:
a1=
qU1
md

離子在a、b間做勻加速直線運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為:
t1=
v
a1
=d
2m
qU1

在MN間做類平拋運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為:
t2=
L
v
=L
m
2qU1

離子達(dá)到探測(cè)器的時(shí)間:
t=t1+t2=(2d+L)
m
2qU1

(2)離子在MN間做類平拋運(yùn)動(dòng),側(cè)移距離為:
y=
1
2
a2
t22
=
1
2
qU2
mL
L2
v2
=
U2L
4U1

離子不達(dá)到極板上,可知有:
y<
L
2

結(jié)合上式解得:
U2<2U1
答:(1)離子到達(dá)探測(cè)器的全部飛行時(shí)間為(2d+L)
m
2qU1

    (2)為保證離子不打在極板上,U2與U1應(yīng)滿足U2<2U1
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飛行時(shí)間質(zhì)譜儀可對(duì)氣體分子進(jìn)行分析.如圖所示,在真空狀態(tài)下,脈沖閥P噴出微量氣體,經(jīng)激光照射產(chǎn)生電荷量為q、質(zhì)量為m的正離子,自a板小孔進(jìn)入a、b間的加速電場(chǎng)(a、b間的電壓為U1),從b板小孔射出,沿中線方向進(jìn)入M、N板間的偏轉(zhuǎn)控制區(qū),到達(dá)探測(cè)器.已知a、b板間距為d,極板M、N的長(zhǎng)度和間距均為L(zhǎng).不計(jì)離子重力及進(jìn)入a板時(shí)的初速度.則:
(1)在M、N間加上適當(dāng)?shù)碾妷,使離子到達(dá)探測(cè)器.求離子到達(dá)探測(cè)器的全部飛行時(shí)間.
(2)為保證離子不打在極板上,求M、N間的最大偏轉(zhuǎn)電壓U2
(3)求離子離開偏轉(zhuǎn)控制區(qū)時(shí)的最大速率.

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科目:高中物理 來源: 題型:

飛行時(shí)間質(zhì)譜儀可對(duì)氣體分子進(jìn)行分析.如圖所示,在真空狀態(tài)下,脈沖閥P噴出微量氣體,經(jīng)激光照射產(chǎn)生電荷量為q、質(zhì)量為m的正離子,自a板小孔進(jìn)入a、b間的加速電場(chǎng),從b板小孔射出,沿中線方向進(jìn)入M、N板間的偏轉(zhuǎn)控制區(qū),到達(dá)探測(cè)器.已知a、b板間距為d,極板M、N的長(zhǎng)度和間距均為L(zhǎng).不計(jì)離子重力及進(jìn)入a板時(shí)的初速度.(1)當(dāng)a、b間的電壓為U1,在M、N間加上適當(dāng)?shù)碾妷篣2,使離子到達(dá)探測(cè)器.求離子到達(dá)探測(cè)器的全部飛行時(shí)間.
(2)為保證離子不打在極板上,試求U2與U1的關(guān)系.

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   (1)當(dāng)a、b間的電壓為U1,在M、N間加上適當(dāng)?shù)碾妷篣2,使離子到達(dá)探測(cè)器。求離子從a板到達(dá)探測(cè)器的飛行時(shí)間。

   (2)為保證離子不打在極板上,試求U2與U1的關(guān)系。

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           (1)當(dāng)a、b間的電壓為U1,在M、N間加上適當(dāng)?shù)碾妷篣2,使離子到達(dá)探測(cè)器。求離

         

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