(2010?杭州二模)如圖甲所示,在虛線框兩側(cè)區(qū)域存在有大小為B、方向分別為水平向左和水平向右的勻強(qiáng)磁場(chǎng).用薄金屬條制成的閉合正方形框aa′b′b邊長(zhǎng)為L(zhǎng),質(zhì)量為m,電阻為R.金屬方框水平放置于距磁場(chǎng)上邊界H處,由靜止開始下落,其平面在下落過(guò)程中始終保持水平,當(dāng)其落人磁場(chǎng)后,aa′整邊、bb′整邊分別位于左、右兩邊的磁場(chǎng)中,方向均與磁場(chǎng)方向垂直,乙圖是從上向下看的俯視圖.(不計(jì)空氣阻力).
(1)求方框下落的最大速度vm(設(shè)磁場(chǎng)區(qū)域在豎直方向足夠長(zhǎng));
(2)當(dāng)方框下落的速度為v時(shí),求此時(shí)方框內(nèi)感應(yīng)電流的功率P;
(3)從進(jìn)入磁場(chǎng)開始計(jì)時(shí)經(jīng)過(guò)時(shí)間t,方框在磁場(chǎng)中下落了高度h,速度達(dá)到vt.若在這段時(shí)間內(nèi)感應(yīng)電流做的功與一恒定電流,I0在t時(shí)間內(nèi)在該框內(nèi)做的功相同,求恒定電流l0的表達(dá)式.
分析:(1)根據(jù)自由落體運(yùn)動(dòng)公式,結(jié)合安培力等于重力,從而求出在磁場(chǎng)中速度,再由v0與v′比較大小,從而確定求解;
(2)根據(jù)電功率表達(dá)式,當(dāng)方框下落的速度為 v 時(shí),即可求解;
(3)根據(jù)能量轉(zhuǎn)化守恒關(guān)系,與焦耳定律,即可求解.
解答:解:(1)根據(jù)自由落體公式:v2=2gH,
可得方框剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度:v0=
2gH
,
令方框在磁場(chǎng)中達(dá)到穩(wěn)定時(shí)速度為v′,則有:
mg=BI×2L=
2BLv′
R
B×2L
  
可得:v′=
mgR
4B2L2
,
若v0≥v′,則方框進(jìn)入磁場(chǎng)后做加速度變小減速運(yùn)動(dòng),其最大速度為:v0=
2gH

若v0<v′,則方框進(jìn)入磁場(chǎng)后做加速度變小加速運(yùn)動(dòng),其最大速度為:v′=
mgR
4B2L2
;
(2)當(dāng)方框下落的速度為 v 時(shí),方框內(nèi)感應(yīng)電流的功率:P=I2R=4
B2L2v2
R
;
(3)根據(jù)能量轉(zhuǎn)化的關(guān)系可得:mg(H+h)=
1
2
mvt2+I02Rt
因此等效電流:I0=
mg(H+h)-
1
2
m
v
2
t
Rt

答:(1)當(dāng)v0≥v′,則方框下落的最大速度vm=
2gH
;當(dāng)v0<v′,則方框下落的最大速度vm
mgR
4B2L2
;
(2)當(dāng)方框下落的速度為v時(shí),此時(shí)方框內(nèi)感應(yīng)電流的功率P=4
B2L2v2
R

(3)恒定電流l0的表達(dá)式I0=
mg(H+h)-
1
2
m
v
2
t
Rt
點(diǎn)評(píng):考查運(yùn)動(dòng)學(xué)公式的應(yīng)用,掌握安培力表達(dá)式及受力平衡條件,理解電功率表達(dá)式與能量轉(zhuǎn)化與守恒定律的應(yīng)用,注意安培力的方向,同時(shí)根據(jù)進(jìn)入磁場(chǎng)的速度大小不同而分情況討論.
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(2010?杭州二模)坐標(biāo)原點(diǎn)O處有一點(diǎn)狀的放射源,它向xoy平面內(nèi)的x軸上方各個(gè)方向發(fā)射α粒子,α粒子的速度大小都是v0,在0<y<d的區(qū)域內(nèi)分布有指向y軸正方向的勻強(qiáng)電場(chǎng),場(chǎng)強(qiáng)大小為E=
3m
v
2
0
2qd
,其中q與m分別為α粒子的電量和質(zhì)量;在d<y<2d的區(qū)域內(nèi)分布有垂直于xoy平面的勻強(qiáng)磁場(chǎng).a(chǎn)b為一塊很大的平面感光板,放置于y=2d處,如圖所示.觀察發(fā)現(xiàn)此時(shí)恰無(wú)粒子打到ab板上.(不考慮a粒子的重力)
(1)求α粒子剛進(jìn)人磁場(chǎng)時(shí)的動(dòng)能;
(2)求磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大;
(3)將ab板平移到什么位置時(shí)所有粒子均能打到板上?并求出此時(shí)ab板上被α粒子打中的區(qū)域的長(zhǎng)度.

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