D).并計算出小球經(jīng)過光電門時的速度v.若空氣阻力可以忽略不計.則下列關于v2-h的圖象可能正確的是 . (3)鋼球通過光電門的平均速度 鋼球球心通過光電門的瞬時速度.由此產(chǎn)生的誤差 通過增加實驗次數(shù)減小.">

某物理研究小組利用圖甲裝置驗證機械能守恒定律，在鐵架臺上安裝有一電磁鐵（固定不動）和一光電門（可上下移動），電磁鐵通電后將鋼球吸住，然后斷電，鋼球自由下落，并通過光電門，計時裝置可測出鋼球通過光電門的時間。

(1)用10分度的游標卡尺測量鋼球的直徑，示數(shù)如圖乙所示，可知鋼球的直徑D=____cm。

(2)多次改變光電門的位置，測量出光電門到電磁鐵下端O的距離為h(h》D)，并計算出小球經(jīng)過光電門時的速度v，若空氣阻力可以忽略不計，則下列關于v2—h的圖象可能正確的是________。

(3)鋼球通過光電門的平均速度____（選填“大于”或“小于”）鋼球球心通過光電門的瞬時速度，由此產(chǎn)生的誤差_______（選填“能”或“不能”）通過增加實驗次數(shù)減小。

練習冊系列答案
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科目：高中物理 來源：2017屆廣東省揭陽市高三第一次（3月）模擬考試理綜物理試卷（解析版） 題型：選擇題

下列說法正確的是

A. 把物體看成質點，這是采用了微元法

B. 法拉第提出了電場的概念

C. 光電效應實驗中，入射光的強度越大，光電子的最大初動能越大

D. 湯姆孫發(fā)現(xiàn)了中子

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如圖所示，在勻速轉動的圓筒內(nèi)壁上緊靠著一物體一起運動，物體所受向心力是（ ）

A．重力

B．彈力

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D．滑動摩擦力

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科目：高中物理 來源：2017屆西藏自治區(qū)拉薩中學高三第六次月考理綜物理試卷（解析版） 題型：多選題

以下說法正確的是（ ）

A. α衰變是原子核內(nèi)的變化所引起的

B. 某金屬產(chǎn)生光電效應，當照射光的顏色不變而增大光強時，光電子的最大初動能將增大

C. 當氫原子以n=4的狀態(tài)躍遷到n=1的狀態(tài)時，要輻射光子

D. 是α衰變方程

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科目：高中物理 來源：2017屆河南省百校聯(lián)盟高三3月聯(lián)考理綜物理試卷（解析版） 題型：簡答題

如圖甲所示，一內(nèi)壁光滑且導熱性能很好的氣缸倒立時，一薄活塞恰好在缸口，缸內(nèi)封閉一定量的理想氣體；現(xiàn)在將氣缸正立，穩(wěn)定后活塞恰好靜止于氣缸的中間位置，如圖乙所示。已知氣缸的橫截面積為S，氣缸的深度為h，大氣壓強為Po，重力加速度為g，設周圍環(huán)境的溫度保持不變。求：

①活塞的質量m;

②整個過程中缸內(nèi)氣體放出的熱量Q。

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科目：高中物理 來源：2017屆河南省百校聯(lián)盟高三3月聯(lián)考理綜物理試卷（解析版） 題型：選擇題

如圖所示，在正方形abcd區(qū)域內(nèi)存在一垂直紙面的勻強磁場，磁感應強度的大小為B1。一帶電粒子從ad邊的中點P垂直ad邊射人磁場區(qū)域后，從cd邊的中點Q射出磁場；若將磁場的磁感應強度大小變?yōu)锽2后，該粒子仍從P點以相同的速度射入磁場，結果從c點射出磁場，則等于

A. B. C. D.

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科目：高中物理 來源：2017屆吉林省高三第五次摸底考試理綜物理試卷（解析版） 題型：多選題

下列說法中正確的是________。

A. 一定質量的理想氣體在等壓膨脹過程中溫度一定升高

B. 在完全失重的情況下，氣體對容器壁的壓強為零

C. 分子間的距離r存在某一值r0，當r大于r0時，分子間斥力大于引力；當r小于r0時，分子間斥力小于引力

D. 由于液體表面分子間距離大于液體內(nèi)部分子間的距離，液體表面分子間作用力表現(xiàn)為引力，所以液體表面具有收縮的趨勢

E. 晶體有一定的熔化溫度，非晶體沒有一定的熔化溫度

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科目：高中物理 來源：2016-2017學年江西省南昌市高一下學期第一次月考物理試卷 題型：填空題

為研究汽車通過橋梁時對凸形、水平、凹形橋面的壓力變化，某同學用圖1的裝置進行模擬實驗，將傳感器的輸出信號接到電腦，從左側斜面的同一高度釋放小球，讓小球分別通過甲、乙、丙三種橋面后，橋面下方的力傳感器，能夠將壓力信號轉化為電信號傳入數(shù)據(jù)采集器并在電腦屏幕上顯示出來，實驗結果顯示出三條圖線（如圖2）．
對于凸形橋甲，其相對應的壓力圖線應是圖2中的______；對于水平橋面，其相對應的壓力圖線應是圖2中的______．（選填：a、b或c）

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科目：高中物理 來源：2017屆河南省鄭州、平頂山、濮陽市高三第二次質量預測（二模）理科綜合物理試卷（解析版） 題型：簡答題

質譜儀是一種測帶電粒子質量和分析同位素的重要工具。如圖所示為一種質譜儀的原理示意圖，粒子源產(chǎn)生的電荷量為q的正離子，飄入加速電場加速后，剛好沿直線通過速度選擇器，通過狹縫O沿垂直磁場的方向進入偏轉磁場，并打在底片上的中點P處。已知速度選擇器中的電場強度為E，磁感應強度為B1，偏轉磁場的磁感應強度為B。，放置底片的區(qū)域MN=L，且ON＝L。不考慮離子的重力和進入加速電場前的初速度。

(1)求離子的質量m和加速電場的電壓U;

(2)只改變偏轉磁場磁感應強度的大小，可調節(jié)離子打在底片上的位置。為使離子打在底片上，求偏轉磁場磁感應強度的調節(jié)范圍（用B0表示）。

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