核聚變反應需要幾百萬度以上的高溫,為把高溫條件下高速運動的離子約束在小范圍內(nèi)(否則不可能發(fā)生核反應),通常采用磁約束的方法(托卡馬克裝置)。如圖,環(huán)狀勻強磁場圍成中空區(qū)域,中空區(qū)域中的帶電粒子只要速度不是很大,都不會穿出磁場的外邊緣而被約束在該區(qū)域內(nèi)。設環(huán)狀磁場的內(nèi)半徑為R1=0.5m,外半徑R2=1.0m,磁場的磁感強度B=1.0T,若被束縛帶電粒子的荷質(zhì)比為q/m=4×107C/kg,中空域內(nèi)帶電粒子具有各個方向的速度。試計算:
(1)粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場,不能穿越磁場的最大速度;
(2)所有粒子不能穿越磁場的最大速度。
解:(1)要粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場,不能穿越磁場,則粒子的臨界軌跡必須要與外圓相切,軌跡如圖所示

由圖中知r12+R12=(R2-r1)2
解得r1=0.375m

所以粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場,不能穿越磁場的最大速度為v1=1.5×107m/s
(2)當粒子以v2的速度沿與內(nèi)圓相切方向射入磁場且軌道與外圓相切時,則以v1速度沿各方向射入磁場區(qū)的粒子都不能穿出磁場邊界,如圖所示
由圖中知

所以所有粒子不能穿越磁場的最大速度v2=1.0×107m/s
練習冊系列答案
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核聚變反應需要幾百萬度以上的高溫,為把高溫條件下高速運動的離子約束在小范圍內(nèi)(否則不可能發(fā)生核反應),通常采用磁約束的方法(托卡馬克裝置).如圖所示,環(huán)狀勻強磁場圍成中空區(qū)域,中空區(qū)域中的帶電粒子只要速度不是很大,都不會穿出磁場的外邊緣而被約束在該區(qū)域內(nèi).設環(huán)狀磁場的內(nèi)半徑為R1,外半徑為R2,磁場的磁感強度為B,若被束縛帶電粒子的比荷為q/m,中空區(qū)域內(nèi)帶電粒子具有各個方向的速度.求:
(1)粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場,不能穿越磁場的最大速度.
(2)所有粒子不能穿越磁場的最大速度.

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求:(1)粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場,不能穿越磁場的最大速度.
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求:(1)粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場,不能穿越磁場的最大速度。

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