分析 (1)游標(biāo)卡尺的讀數(shù)等于主尺讀數(shù)加上游標(biāo)讀數(shù),不需估讀,由于遮光條通過光電門的時間極短,可以用平均速度表示瞬時速度.
(2)據(jù)動能定理和瞬時速度的求法,再據(jù)題意判斷選擇的圖象判斷選項.
解答 解:(1)游標(biāo)卡尺的主尺讀數(shù)為10mm,游標(biāo)讀數(shù)為:0.05×10mm=0.50mm,
所以最終讀數(shù)為:10mm+0.5mm=10.5mm=1.050cm;
(2)據(jù)題意可知,探究合力的功與動能改變關(guān)系”的實驗,他通過成倍增加位移的方法來進(jìn)行驗證,所以需要先表示出小車的速度,小車的速度用平均速度代替,即v=$\fracuc3zphg{t}$;再據(jù)動能定理和通過描點作出線性圖象來反映合外力的功與動能改變的關(guān)系,應(yīng)用s-$\frac{1}{{t}^{2}}$圖象研究,故ABC錯誤,D正確.
故選:D.
(3)由于該實驗是通過成倍增加位移的方法來進(jìn)行驗證,只要s-$\frac{1}{{t}^{2}}$的關(guān)系即可,所以不需平衡摩擦力、不需要滿足重物的質(zhì)量遠(yuǎn)小于小車的質(zhì)量,但必須保證每次小車靜止釋放;還需多次實驗減小偶然誤差,故AB錯誤,CD正確.
故選:CD.
故答案為:(1)1.050;(2)D;(3)CD.
點評 常用儀器的讀數(shù)要掌握,這是物理實驗的基礎(chǔ).處理實驗時一定要找出實驗原理,根據(jù)實驗原理我們可以尋找需要測量的物理量和需要注意的事項.
科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 若將R2的滑動觸頭P向a端移動,則θ變小 | |
B. | 若將R2的滑動觸頭P向b端移動,則θ變大 | |
C. | 保持滑動觸頭P不動,用較強的光照射R1,則小球重新達(dá)到穩(wěn)定后θ變小 | |
D. | 保持滑動觸頭P不動,用較強的光照射R1,則小球重新達(dá)到穩(wěn)定后θ不變 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | $\frac{2L}{g{t}^{2}cosα}$-tanα,t$\sqrt{\frac{L}{g{t}^{2}sinα-L}}$ | B. | $\frac{Lcosα}{g{t}^{2}}$-tanα,t$\sqrt{\frac{gL}{{t}^{2}sinα-L}}$ | ||
C. | $\frac{Lsinα}{{t}^{2}}$-cosα,t$\sqrt{\frac{gL}{{t}^{2}cosα-L}}$ | D. | $\frac{Ltanα}{g{t}^{2}}$-cosα,t$\sqrt{\frac{2gL}{g{t}^{2}-L}}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 天然放射現(xiàn)象說明原子核內(nèi)部具有復(fù)雜的結(jié)構(gòu) | |
B. | α粒子散射實驗說明原子核內(nèi)部具有復(fù)雜的結(jié)構(gòu) | |
C. | 原子核發(fā)生β衰變生成的新核原子序數(shù)增加 | |
D. | 氫原子從能級3躍遷到能級2輻射出的光子的波長小于從能級2躍遷到能級1輻射出的光子的波長 | |
E. | γ射線是原子核內(nèi)部發(fā)生核反應(yīng)而釋放出的多余的能量 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 光是一種電磁波 | |
B. | 電磁波是由麥克斯韋通過實驗發(fā)現(xiàn)的 | |
C. | 電磁波可以傳遞能量 | |
D. | 電磁波的傳播一定需要介質(zhì) |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | R=R0$\root{3}{\frac{{{t}_{0}}^{2}}{({t}_{0}-{T}_{0})^{2}}}$ | B. | R=R0$\frac{{t}_{0}}{{t}_{0}-{T}_{0}}$ | ||
C. | R=R0$\root{3}{\frac{({t}_{0}+{T}_{0})^{2}}{({t}_{0}-{T}_{0})^{2}}}$ | D. | R=R0$\root{3}{\frac{{t}_{0}}{{t}_{0}-{T}_{0}}}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 公式E=$\frac{F}{q}$,只適用于真空中點電荷產(chǎn)生的電場 | |
B. | 由公式E=$\frac{F}{q}$可知,電場中某點的電場強度與試探電荷在該點所受到的電場力成正比 | |
C. | 在公式F=k$\frac{{Q}_{1}{Q}_{2}}{{r}^{2}}$中,k$\frac{{Q}_{2}}{{r}^{2}}$是點電荷Q2產(chǎn)生的電場在點電荷Q1處的場強大小 | |
D. | 由公式F=k$\frac{{Q}_{1}{Q}_{2}}{{r}^{2}}$可知,在離場源電荷非常近的地方,電場強度可達(dá)無窮大 |
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