5.長為L、間距也為L的兩平行金屬板間有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),如圖所示,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B.今有質(zhì)量為m、電荷量為q的正離子從平行板左端中點(diǎn)以平行于金屬板的方向射入磁場(chǎng).欲使離子能打在極板上,則入射離子的速度大小應(yīng)滿足的條件是$\frac{5qBL}{4m}$>v>$\frac{qBL}{4m}$.

分析 欲使離子打在極板上,抓住兩個(gè)臨界情況,一個(gè)是剛好從左側(cè)射出,一個(gè)是剛好從右側(cè)射出,根據(jù)幾何關(guān)系求出兩臨界情況的半徑,再根據(jù)半徑公式得出兩個(gè)臨界速度,從而知道速度的范圍.

解答 解:根據(jù)qvB=m$\frac{{v}^{2}}{R}$,得:R=$\frac{mv}{qB}$.
若粒子剛好從左側(cè)射出,如圖,則:R1=$\frac{L}{4}$.
所以:v1=$\frac{qBL}{4m}$.
若粒子剛好從右側(cè)射出,如圖,有:R22=L2+(R2-$\frac{L}{2}$)2
解得:R2=$\frac{5L}{4}$.
得:v2=$\frac{5qBL}{4m}$.
欲使離子打在極板上,則$\frac{5qBL}{4m}$>v>$\frac{qBL}{4m}$;
故答案為:$\frac{5qBL}{4m}$>v>$\frac{qBL}{4m}$.

點(diǎn)評(píng) 本題考查了帶電粒子在有界磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)問題,關(guān)鍵抓住臨界狀況,運(yùn)用牛頓第二定律進(jìn)行求解.

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題

13.如圖所示,在水平面上有一根質(zhì)量為0.2kg、長度為0.5m,且通有恒定電流2A的直導(dǎo)線,直導(dǎo)線周圍空間存在范圍足夠大的勻強(qiáng)磁場(chǎng),通電直導(dǎo)線在磁場(chǎng)力作用下沿水平面始終做加速度為1m/s2的勻加速直線運(yùn)動(dòng).導(dǎo)線與水平面間的動(dòng)摩擦因數(shù)為$\frac{\sqrt{3}}{3}$.求:當(dāng)磁場(chǎng)方向與水平面成多大角度時(shí),磁感應(yīng)強(qiáng)度最小?求出最小的磁感應(yīng)強(qiáng)度.

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科目:高中物理 來源: 題型:多選題

16.如圖所示,M、N是豎直放置的兩平行金屬板,分別帶等量異種電荷,兩極間產(chǎn)生一個(gè)水平向右的勻強(qiáng)電場(chǎng),場(chǎng)強(qiáng)為E,一質(zhì)量為m、電量為+q的微粒,以初速度v0豎直向上從兩極正中間的A點(diǎn)射入勻強(qiáng)電場(chǎng)中,微粒垂直打到N極上的C點(diǎn),已知AB=BC.不計(jì)空氣阻力,則可知( 。
A.微粒在電場(chǎng)中作勻變速曲線運(yùn)動(dòng)
B.微粒打到C點(diǎn)時(shí)的速率與射入電場(chǎng)時(shí)的速率相等
C.MN板間的電勢(shì)差為$\frac{{mv^2}_{0}}{q}$
D.MN板間的電勢(shì)差為$\frac{{Ev^2}_{0}}{2g}$

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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題

13.一個(gè)質(zhì)點(diǎn)在N個(gè)共點(diǎn)力的作用下處于靜止?fàn)顟B(tài).若其中有一個(gè)力的方向不變,但是大小逐漸減小到零,再逐漸恢復(fù)到本來的大小,而其余的力不變.則在此過程中,質(zhì)點(diǎn)的速度-時(shí)間圖象是( 。
A.B.C.D.

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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題

20.質(zhì)譜儀是一種精密儀器,是測(cè)量帶電粒子的質(zhì)量和分析同位素的重要工具.圖中所示的質(zhì)譜儀是由加速電場(chǎng)和偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)組成.帶電粒子從容器A下方的小孔Sl飄入電勢(shì)差為u的加速電場(chǎng),其初速度幾乎為0,然后經(jīng)過S2沿著與磁場(chǎng)垂直的方向進(jìn)人磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,最后打到照相底片D上.不計(jì)粒子重力.
(1)若由容器A進(jìn)入電場(chǎng)的是質(zhì)量為m、電荷量為q的粒子.求:
a.粒子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)速度v的大。
b.粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌道半徑R.
(2)若由容器A進(jìn)入電場(chǎng)的是互為同位素的兩種原子核P1、P2,由底片上獲知Ph、P2在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)軌跡的直徑之比是$\sqrt{2}$:1,求P1、P2的質(zhì)量之比.

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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題

10.如圖所示,空間存在著范圍足夠大、水平向左的勻強(qiáng)電場(chǎng),在豎直虛線PM的左側(cè)有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B=$\frac{m}{q}\sqrt{\frac{g}{2R}}$.一絕緣U形彎桿由兩段直桿和一半徑為R的半圓環(huán)組成,固定在紙面所在的豎直平面內(nèi).PQ、MN水平且足夠長,半圓環(huán)在磁場(chǎng)邊界左側(cè),P、M點(diǎn)在磁場(chǎng)邊界線上,A點(diǎn)為圓弧上的一點(diǎn),NMAP段是光滑的.現(xiàn)有一質(zhì)量為m、帶電荷量為+q的小環(huán)套在半圓環(huán)上,恰好在A點(diǎn)保持靜止,半徑OA與虛線所成夾角為θ=37°.現(xiàn)將帶電小環(huán)由P點(diǎn)無初速度釋放(sin37°=0.6,cos37°=0.8).求:
(1)電場(chǎng)強(qiáng)度的大小及小環(huán)在水平軌道MN上運(yùn)動(dòng)時(shí)距M點(diǎn)的最遠(yuǎn)距離;
(2)小環(huán)第一次通過A點(diǎn)時(shí),半圓環(huán)對(duì)小環(huán)的支持力;
(3)若小環(huán)與PQ間動(dòng)摩擦因數(shù)為μ=0.6(設(shè)最大靜摩擦力與滑動(dòng)摩擦力大小相等).現(xiàn)將小環(huán)移至M點(diǎn)右側(cè)4R處由靜止開始釋放,求小環(huán)在整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程中在水平軌道PQ經(jīng)過的路程.

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科目:高中物理 來源: 題型:多選題

17.如圖所示,兩個(gè)質(zhì)量相等的帶電粒子a、b在同一位置A以大小相同的速度射入同一勻強(qiáng)磁場(chǎng),兩粒子的入射方向與磁場(chǎng)邊界的夾角分別為30°和60°,經(jīng)磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)后兩粒子都經(jīng)過B點(diǎn),AB連線與磁場(chǎng)邊界垂直,則( 。
A.a粒子帶正電,b粒子帶負(fù)電B.兩粒子的軌道半徑之比Ra:Rb=$\sqrt{3}$:1
C.兩粒子所帶電荷量之比qa:qb=$\sqrt{3}$:1D.兩粒子的運(yùn)動(dòng)時(shí)間之比ta:tb=2:$\sqrt{3}$

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科目:高中物理 來源: 題型:解答題

14.正負(fù)電子對(duì)撞機(jī)是使正負(fù)電子以相同速率對(duì)撞(撞前速度在同一直線上的碰撞)并進(jìn)行高能物理研究的實(shí)驗(yàn)裝置,該裝置一般由高能加速器(同步加速器或直線加速器)、環(huán)形儲(chǔ)存室(把高能加速器在不同時(shí)間加速出來的電子束進(jìn)行積累的環(huán)形真空室)和對(duì)撞測(cè)量區(qū)(對(duì)撞時(shí)發(fā)生的新粒子、新現(xiàn)象進(jìn)行測(cè)量)三個(gè)部分組成.為了使正負(fù)電子在測(cè)量區(qū)內(nèi)不同位置進(jìn)行對(duì)撞,在對(duì)撞測(cè)量區(qū)內(nèi)設(shè)置兩個(gè)方向相反的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域.對(duì)撞區(qū)域設(shè)計(jì)的簡(jiǎn)化原理如圖所示:MN和PQ為足夠長的豎直邊界,水平邊界EF將整個(gè)區(qū)域分成上下兩部分,Ⅰ區(qū)域的磁場(chǎng)方向垂直紙面向內(nèi),Ⅱ區(qū)域的磁場(chǎng)方向垂直紙面向外,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B.現(xiàn)有一對(duì)正負(fù)電子以相同速率分別從注入口C和注入口D同時(shí)水平射入,在對(duì)撞測(cè)量區(qū)發(fā)生對(duì)撞.已知兩注入口到EF的距離均為d,邊界MN和PQ的間距為L,正電子的質(zhì)量為m,電量為+e,負(fù)電子的質(zhì)量為m,電量為-e.

(1)試判斷從注入口C入射的是正電子還是負(fù)電子;
(2)若L=4$\sqrt{3}$d,要使正負(fù)電子經(jīng)過水平邊界EF一次后對(duì)撞,求正負(fù)電子注入時(shí)的初速度大。
(3)若只從注入口C射入電子,間距L=13(2-$\sqrt{3}$)d,要使電子從PQ邊界飛出,求電子射入的最小速率,及以此速度入射到從PQ邊界飛出所需的時(shí)間.

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科目:高中物理 來源: 題型:多選題

15.電場(chǎng)中有 A、B 兩點(diǎn),A 點(diǎn)的電勢(shì)ϕA=-10V;,B 點(diǎn)的電勢(shì)ϕB=10V,一個(gè)電子由 A點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到 B 點(diǎn)的過程中,下列說法正確的是( 。
A.電場(chǎng)力對(duì)電子做功 20eVB.電子克服電場(chǎng)力做功 20eV
C.電子的電勢(shì)能增加了 20eVD.電子的電勢(shì)能減少了 20eV

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同步練習(xí)冊(cè)答案