分析 欲使離子打在極板上,抓住兩個(gè)臨界情況,一個(gè)是剛好從左側(cè)射出,一個(gè)是剛好從右側(cè)射出,根據(jù)幾何關(guān)系求出兩臨界情況的半徑,再根據(jù)半徑公式得出兩個(gè)臨界速度,從而知道速度的范圍.
解答 解:根據(jù)qvB=m$\frac{{v}^{2}}{R}$,得:R=$\frac{mv}{qB}$.
若粒子剛好從左側(cè)射出,如圖,則:R1=$\frac{L}{4}$.
所以:v1=$\frac{qBL}{4m}$.
若粒子剛好從右側(cè)射出,如圖,有:R22=L2+(R2-$\frac{L}{2}$)2
解得:R2=$\frac{5L}{4}$.
得:v2=$\frac{5qBL}{4m}$.
欲使離子打在極板上,則$\frac{5qBL}{4m}$>v>$\frac{qBL}{4m}$;
故答案為:$\frac{5qBL}{4m}$>v>$\frac{qBL}{4m}$.
點(diǎn)評(píng) 本題考查了帶電粒子在有界磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)問題,關(guān)鍵抓住臨界狀況,運(yùn)用牛頓第二定律進(jìn)行求解.
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 微粒在電場(chǎng)中作勻變速曲線運(yùn)動(dòng) | |
B. | 微粒打到C點(diǎn)時(shí)的速率與射入電場(chǎng)時(shí)的速率相等 | |
C. | MN板間的電勢(shì)差為$\frac{{mv^2}_{0}}{q}$ | |
D. | MN板間的電勢(shì)差為$\frac{{Ev^2}_{0}}{2g}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | B. | C. | D. |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | a粒子帶正電,b粒子帶負(fù)電 | B. | 兩粒子的軌道半徑之比Ra:Rb=$\sqrt{3}$:1 | ||
C. | 兩粒子所帶電荷量之比qa:qb=$\sqrt{3}$:1 | D. | 兩粒子的運(yùn)動(dòng)時(shí)間之比ta:tb=2:$\sqrt{3}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 電場(chǎng)力對(duì)電子做功 20eV | B. | 電子克服電場(chǎng)力做功 20eV | ||
C. | 電子的電勢(shì)能增加了 20eV | D. | 電子的電勢(shì)能減少了 20eV |
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