A. | N點(diǎn)的電勢(shì)高于M點(diǎn)的電勢(shì) | |
B. | 粒子在N點(diǎn)的電勢(shì)能比在M點(diǎn)的電勢(shì)能小 | |
C. | 粒子在M點(diǎn)的速率小于在N點(diǎn)的速率 | |
D. | 粒子在M點(diǎn)受到的電場(chǎng)力比在N點(diǎn)受到的電場(chǎng)力小 |
分析 電場(chǎng)線與等勢(shì)面垂直,等差等勢(shì)面的疏密程度也反映電場(chǎng)的強(qiáng)弱,電場(chǎng)力做正功,電勢(shì)能減小,電場(chǎng)力做負(fù)功,電勢(shì)能增加.
解答 解:A、由于帶正電的粒子,由運(yùn)動(dòng)軌跡可知,電場(chǎng)力的方向指向右下方,即電場(chǎng)線的方向指向右下方,根據(jù)電場(chǎng)的性質(zhì)“順著電場(chǎng)線的方向電勢(shì)降落”可知N點(diǎn)的電勢(shì)高于M點(diǎn)的電勢(shì),故A正確;
B、由于帶正電的粒子,從M到N,電場(chǎng)力做負(fù)功,所以電勢(shì)能增加,所以N點(diǎn)的電勢(shì)能比在M點(diǎn)的電勢(shì)能大,故B錯(cuò)誤;
C、從M到N,電場(chǎng)力做負(fù)功,速度減小,所以M點(diǎn)的速率大于在N點(diǎn)的速率,故C錯(cuò)誤;
D、根據(jù)電場(chǎng)線或等勢(shì)面的疏密程度可知N點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng),故帶電粒子在M點(diǎn)受到的電場(chǎng)力比在N點(diǎn)受到的電場(chǎng)力小,故D正確;
故選:AD.
點(diǎn)評(píng) 電場(chǎng)線與等勢(shì)面垂直.加強(qiáng)基礎(chǔ)知識(shí)的學(xué)習(xí),掌握住電場(chǎng)線的特點(diǎn),即可解決本題.
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | ab之間的電勢(shì)差為4000 V | |
B. | ac之間的電勢(shì)差為50 V | |
C. | 將q=-5×10-3 C的點(diǎn)電荷沿矩形路徑abcda移動(dòng)一周,靜電力做功為零 | |
D. | 將q=-5×10-3 C的點(diǎn)電荷沿abc或adc從a移到c靜電力做功都是-0.25 J |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 小球通過C點(diǎn)的速度大小是$\sqrt{2gh}$ | |
B. | 小球通過C點(diǎn)的速度大小是$\sqrt{{v}^{2}+gR}$ | |
C. | 小球由A到C機(jī)械能的損失是mg(h-$\frac{R}{2}$)-$\frac{1}{2}$mv2 | |
D. | 小球由A到C電場(chǎng)力做功是$\frac{1}{2}$mv2-mgh |
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 0~1 s內(nèi),物體的加速度大小為2 m/s2 | |
B. | 1~2 s內(nèi),物體的加速度大小為2 m/s2 | |
C. | 0~1 s內(nèi),物體的位移為7 m | |
D. | 0~2 s內(nèi),物體的總位移為11 m |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 由B轉(zhuǎn)移到A | B. | 由A轉(zhuǎn)移到B | C. | 不轉(zhuǎn)移 | D. | 不能確定 |
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