物理學(xué)的發(fā)展豐富了人類對(duì)物質(zhì)世界的認(rèn)識(shí),推動(dòng)了科學(xué)技術(shù)的創(chuàng)新和革命,促進(jìn)了物質(zhì)生產(chǎn)的繁榮與人類文明的進(jìn)步.下列說法中正確的是
A.安培提出了場的概念 B.庫侖測量出了靜電力常量
C.法拉第發(fā)現(xiàn)了電流的磁效應(yīng) D.奧斯特發(fā)現(xiàn)了電磁感應(yīng)定律
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科目:高中物理 來源: 題型:
一個(gè)質(zhì)量為m、電荷量為+q的小球以初速度v0水平拋出,在小球經(jīng)過的豎直平面內(nèi)、存在著若干個(gè)如圖所示的無電場區(qū)和有理想上下邊界的勻強(qiáng)電場區(qū),兩區(qū)域相互間隔、豎直高度相等,電場區(qū)水平方向無限長,已知每一電場區(qū)的場強(qiáng)大小相等、方向均豎直向上,不計(jì)空氣阻力,下列說法正確的是( )
A.小球在水平方向一直做勻速直線運(yùn)動(dòng)
B.若場強(qiáng)大小等于,則小球經(jīng)過每一電場區(qū)的時(shí)間均相同
C.若場強(qiáng)大小等于,則小球經(jīng)過每一無電場區(qū)的時(shí)間均相同
D.無論場強(qiáng)大小如何,小球通過所有無電場區(qū)的時(shí)間均相同
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,邊長為L的正方形導(dǎo)線框abcd,質(zhì)量為m、電阻為R,垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場區(qū)域?qū)挾葹?i>H(H>L),磁感應(yīng)強(qiáng)度為B. 線框豎直上拋,線框ab邊向上離開磁場時(shí)的速率是進(jìn)入磁場時(shí)速率的一半,線框離開磁場后繼續(xù)上升一段高度,然后落下并勻速進(jìn)入磁場.不計(jì)空氣阻力,整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程中線框不轉(zhuǎn)動(dòng).求線框向上
(1)ab邊離開磁場時(shí)的速率;
(2)通過磁場過程中安培力所做的功;
(3)完全進(jìn)入磁場過程中所通過橫截面的電荷量.
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科目:高中物理 來源: 題型:
甲、乙兩個(gè)帶等量同種電荷的粒子,以相同的初速度平行于金屬板射入勻強(qiáng)電場中,從右側(cè)射出,如圖所示.已知甲的質(zhì)量大于乙的質(zhì)量,不計(jì)粒子重力,下列說法正確的是
A.在電場中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間甲小于乙
B.飛出電場時(shí)的速度甲小于乙
C.離開電場時(shí)的側(cè)移距離甲大于乙
D.電場力做功的平均功率甲大于乙
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,用靜電計(jì)可測量已經(jīng)充電的平行板電容器兩極板間的電勢差U.現(xiàn)僅向上移動(dòng)A極板以減小兩極板的正對(duì)面積,發(fā)現(xiàn)靜電計(jì)指針偏角增大,說明此時(shí)電容器的電容 ▲ (選填“增大”或“減小”);若僅增大兩板間的距離,則可觀察到靜電計(jì)指針偏角 ▲ (選填“增大”或“減小”).
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科目:高中物理 來源: 題型:
在阻值為10的電阻兩端加上如圖所示的交流電壓.則以下說法中正確的是
A.電壓的有效值為10 V
B.電阻消耗的電功率為5 W
C.通過電阻的電流有效值為A
D.電阻每秒鐘產(chǎn)生的熱量為10 J
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科目:高中物理 來源: 題型:
某氣體在、兩種不同溫度下的分子速率分布圖象如圖所示,縱坐標(biāo)表示各速率區(qū)間的分子數(shù)占總分子數(shù)的百分比,橫坐標(biāo)表示分子的速率.可見, ▲ (選填“>”或“<”),溫度升高,分子的平均速率 ▲ 增大
(選填“增大”或 “減小”).
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科目:高中物理 來源: 題型:
將一只蘋果斜向上拋出,蘋果在空中依次飛過三個(gè)完全相同的窗戶1、2、3.圖中曲線為蘋果在空中運(yùn)行的軌跡。若不計(jì)空氣阻力的影響,以下說法中正確的是
A.蘋果通過第1個(gè)窗戶所用時(shí)間最短
B.蘋果通過第3個(gè)窗戶的平均速度最大
C.蘋果通過第1個(gè)窗戶克服重力做的功最大
D.蘋果通過第3個(gè)窗戶克服重力的平均功率最大
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科目:高中物理 來源: 題型:
關(guān)于核反應(yīng)方程8234Se→8236Kr +2x,下列說法正確的是
A.此反應(yīng)是β衰變 B.x沒有質(zhì)量
C.x是α粒子 D.此方程式裂變反應(yīng)式
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