(2012?邯鄲模擬)下列說(shuō)法正確的是
ACE
ACE

A.一定量的氣體,在體積不變時(shí),分子每秒平均碰撞次數(shù)隨著溫度降低而減小
B.單晶體有固定的熔點(diǎn),多晶體和非晶體沒有固定的熔點(diǎn)
C.熱量能夠自發(fā)地從高溫物體傳遞到低溫物體,但不能自發(fā)地從低溫物體傳遞到高溫物體
D.當(dāng)分子間的距離增大時(shí),分子之間的引力和斥力均同時(shí)減小,而分子勢(shì)能一定增大
E.生產(chǎn)半導(dǎo)體器件時(shí),需要在純凈的半導(dǎo)體材料中摻入其他元素,可以在高溫條件下利用分子的擴(kuò)散來(lái)完成.
分析:熱力學(xué)第二定律,熱力學(xué)基本定律之一,內(nèi)容為不可能把熱從低溫物體傳到高溫物體而不產(chǎn)生其他影響;不可能從單一熱源取熱使之完全轉(zhuǎn)換為有用的功而不產(chǎn)生其他影響;不可逆熱力過(guò)程中熵的微增量總是大于零.
解答:解:A、一定量的氣體,在體積不變時(shí),溫度降低,壓強(qiáng)減小,根據(jù)氣體壓強(qiáng)原理知道分子每秒平均碰撞次數(shù)也減小,故A正確;
B、晶體都有固定的熔點(diǎn),故B錯(cuò)誤;
C、根據(jù)熱力學(xué)第二定律,熱量能夠自發(fā)地從高溫物體傳遞到低溫物體,但不能自發(fā)地從低溫物體傳遞到高溫物體,故C正確;
D、當(dāng)分子間的距離增大時(shí),分子之間的引力和斥力均同時(shí)減小,但斥力減小的更快,當(dāng)合力表現(xiàn)為引力時(shí),分子勢(shì)能增加,當(dāng)合力表現(xiàn)為斥力時(shí),分子勢(shì)能減小,故D錯(cuò)誤;
E、生產(chǎn)半導(dǎo)體器件時(shí),需要在純凈的半導(dǎo)體材料中摻入其他元素,可以在高溫條件下利用分子的擴(kuò)散來(lái)完成,故E正確;
故選ACE.
點(diǎn)評(píng):本題綜合考查了熱力學(xué)第二定律、擴(kuò)散現(xiàn)象、分子力和分子勢(shì)能等知識(shí)點(diǎn),關(guān)鍵要多看課本,熟悉基礎(chǔ)知識(shí).
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(2012?邯鄲模擬)如圖所示,光滑水平面上放置一斜面體A,在其粗糙斜面上靜止一物塊B,開始時(shí)A處于靜止.從某時(shí)刻開始,一個(gè)從0逐漸增大的水平向左的力F作用在A上,使A和B一起向左做變加速直線運(yùn)動(dòng).則在B與A發(fā)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)之前的一段時(shí)間內(nèi)( 。

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3
,畫出形成兩光斑的光路圖,并求此玻璃磚的厚度d.

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①勻強(qiáng)電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)E=Fcosθ/q;
②AB兩點(diǎn)的電勢(shì)差為Fdcosθ/q;
③帶電小球由A運(yùn)動(dòng)至B過(guò)程中電勢(shì)能增加了Fdcosθ;
④若帶電小球由B向A做勻速直線運(yùn)動(dòng),則F必須反向.

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