關(guān)于理想氣體,下列說法正確的是( 。
A、溫度極低的氣體也是理想氣體B、壓強(qiáng)極大的氣體也遵從氣體實驗定律C、理想氣體是對實際氣體的抽象化模型D、理想氣體實際并不存在
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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示為速度選擇器裝置,場強(qiáng)為E的勻強(qiáng)電場與磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場互相垂直.一帶電量為+q,質(zhì)量為m的粒子(不計重力)以速度v水平向右射入,粒子恰沿直線穿過,則下列說法正確的是( 。
A、若帶電粒子帶電量為+2q,粒子將向下偏轉(zhuǎn)B、若帶電粒子帶電量為-2q,粒子仍能沿直線穿過C、若帶電粒子速度為2v,粒子不與極板相碰,則從右側(cè)射出時電勢能一定增大D、若帶電粒子從右側(cè)水平射入,粒子仍能沿直線穿過

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科目:高中物理 來源: 題型:

2013年4月中國科學(xué)家首次觀察到反;魻栃(yīng).以下來分析一個常規(guī)霍爾效應(yīng):如圖所示,厚度為h,寬度為d的導(dǎo)體板放在垂直于它的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場中.當(dāng)電流通過導(dǎo)體板時,在導(dǎo)體板的上表面A和下表面A′之間會產(chǎn)生電勢差,這種現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng).實驗表明,當(dāng)磁場不太強(qiáng)時,電勢差U、電流I和B的關(guān)系式為U=
KIB
d
,式中的比例系數(shù)K稱為霍爾系數(shù),設(shè)導(dǎo)體板單位體積中自由電子的個數(shù)為n,電子量為e.則下列說法正確的是( 。
A、A的電勢高于A′的電勢,霍爾系數(shù)K=ne
B、A的電勢低于A′的電勢,霍爾系數(shù)K=ne
C、A的電勢高于A′的電勢,霍爾系數(shù)K=
1
ne
D、A的電勢低于A′的電勢,霍爾系數(shù)K=
1
ne

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科目:高中物理 來源: 題型:

某氣體在T1、T2兩種不同溫度下的分子速率分布圖象如圖所示,縱坐標(biāo)f(υ)表示各速率區(qū)間的分子數(shù)占總分子數(shù)的百分比,橫坐標(biāo)υ表示分子的速率.可見,T1
 
T2(選填“>”或“<”),溫度升高,分子的平均速率
 
(選填“增大”或“減小”).

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下列說法正確的是( 。
A、一定質(zhì)量的氣體,在體積不變時,分子每秒與器壁平均碰撞次數(shù)隨著溫度降低而減小B、晶體熔化時吸收熱量,分子平均動能一定增大C、空調(diào)既能制熱又能制冷,說明在不自發(fā)地條件下熱傳遞方向性可以逆向D、外界對氣體做功時,其內(nèi)能一定會增大E、生產(chǎn)半導(dǎo)體器件時,需要在純凈的半導(dǎo)體材料中摻人其他元素,可以在高溫條件下利用分子的擴(kuò)散來完成

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,一定質(zhì)量的理想氣體從狀態(tài)a變化到狀態(tài)b,在這一過程中,下列說法正確的是( 。
A、氣體體積變小B、氣體溫度降低C、氣體從外界吸收熱量D、氣體的內(nèi)能不變

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,U型氣缸固定在水平地面上,用重力不計的活塞封閉著一定質(zhì)量的氣體,已知氣缸不漏氣,活塞移動過程無摩擦.初始時,外界大氣壓為p0,活塞緊壓小擋板.現(xiàn)緩慢升高缸內(nèi)氣體溫度,氣缸內(nèi)氣體壓強(qiáng)p隨熱力學(xué)溫度T的變化規(guī)律是( 。
A、B、C、D、

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下列說法正確的是( 。
A、密封在容器中的氣體,在完全失重的情況下,對器壁的壓強(qiáng)不為零B、第二類永動機(jī)不能制成,但它不違背能量守恒定律C、在自然過程中,一個孤立系統(tǒng)的總熵可能會減小D、氣體的溫度升高,個別氣體分子運動的速率可能減小E、PM2.5(指空氣中直徑小于2.5微米的懸浮物顆粒物)在空氣中的運動屬于分子熱運動

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科目:高中物理 來源: 題型:

液晶最主要的應(yīng)用之一就是用在液晶顯示器上,關(guān)于液晶,下列說法正確的是( 。
A、液晶就是液態(tài)的晶體B、固體在受熱熔化的過程,當(dāng)溫度處于熔點時,其狀態(tài)就是液晶態(tài)C、液晶具有液體的流動性D、液晶具有晶體的光學(xué)各向異性

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