如圖甲所示,空間Ⅰ區(qū)域存在方向垂直紙面向里的有界勻強磁場,左右邊界線MN與PQ相互平行,MN右側(cè)空間Ⅱ區(qū)域存在一周期性變化的勻強電場,方向沿紙面垂直MN邊界,電場強度的變化規(guī)律如圖乙所示(規(guī)定向左為電場的正方向).一質(zhì)量為m、電荷量為+q的粒子,在t=0時刻從電場中A點由靜止開始運動,粒子重力不計.
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(1)若場強大小E1=E2=E,A點到MN的距離為L,為使粒子進入磁場時速度最大,交變電場變化周期的最小值T0應為多少?粒子的最大速度v0為多大?
(2)設磁場寬度為d,改變磁感應強度B的大小,使粒子以速度v1進入磁場后都能從磁場左邊界PQ穿出,求磁感應強度B滿足的條件及該粒子穿過磁場時間t的范圍.
(3)若電場的場強大小E1=2E0,E2=E0,電場變化周期為T,t=0時刻從電場中A點釋放的粒子經(jīng)過n個周期正好到達MN邊界,假定磁場足夠?qū),粒子?jīng)過磁場偏轉(zhuǎn)后又回到電場中,向右運動的最大距離和A點到MN的距離相等.求粒子到達MN時的速度大小v和勻強磁場的磁感應強度大小B.
分析:(1)當粒子在電場中一直做加速運動,進入磁場時速度最大,加速的時間為
1
2
T0
,由牛頓第二定律和運動學公式結(jié)合求出A到MN的距離L,根據(jù)動能定理求最大速度.
(2)粒子射入磁場中做勻速圓周運動,當粒子軌跡半徑大于磁場的寬度d時,都能從磁場左邊界PQ穿出,由牛頓第二定律求B應滿足的條件.根據(jù)幾何關系,粒子在磁場中通過的弧長s應滿足的條件是d<s<
πd
2
,由圓周運動的規(guī)律求時間t的范圍.
(3)若電場的場強大小E1=2E0,E2=E0,電場變化周期為T,在一個周期粒子的加速度周期性變化,根據(jù)牛頓第二定律求前、后兩個半周內(nèi)的加速度,得到在一個周期內(nèi)速度的增量△v,經(jīng)過n個周期到達MN時速度為v=n△v.粒子在磁場中運動的時間為t′=
T
2
.粒子在向右運動的最大距離和A點到MN的距離相等,說明粒子返回電場減速運動正好是前面加速的逆過程,根據(jù)對稱性可知,在磁場中運動時間t′應滿足t′=(2k+1)
T
2
(k=0、1、2、3…),聯(lián)立即可求出B.
解答:解:(1)當粒子在電場中一直做加速運動,進入磁場時速度最大,設加速時間為t,則L=
qE
2m
t2

        T0=2t
解得 T0=2
2mL
qE
 
由動能定理有  qEL=
1
2
m
v
2
0

解得  v0=
2qEL
m

(2)設粒子在磁場運動的軌道半徑為r,則有
qv1B=
m
v
2
1
r

r>d
解得  B
mv1
qd

根據(jù)幾何關系,粒子在磁場中通過的弧長s應滿足的條件是
d<s<
πd
2

粒子穿過磁場時間  t=
s
v1

解得  
d
v1
<t<
πd
2v1

(3)粒子在電場變化的前半周期內(nèi)加速度大小  a1=
2qE0
m

后半周期內(nèi)加速度大小  a2=
qE0
m

在一個周期內(nèi)速度的增量△v=a1
T
2
-a2
T
2

經(jīng)過n個周期到達MN時  v=n△v
解得 v=
nqE0T
2m
 
粒子在磁場中運動的周期  T=
2πm
qB

粒子在磁場中運動的時間  t′=
T
2

粒子在向右運動的最大距離和A點到MN的距離相等,說明粒子返回電場減速運動正好是前面加速的逆過程,根據(jù)對稱性可知,在磁場中運動時間t′應滿足
   t′=(2k+1)
T
2
(k=0、1、2、3…)
解得  B=
2πm
(2k+1)qT
  (k=0、1、2、3…)
答:
(1)交變電場變化周期的最小值T0應為2
2mL
qE
,粒子的最大速度v0
2qEL
m

(2)磁感應強度B滿足的條件是B
mv1
qd
,該粒子穿過磁場時間t的范圍為
d
v1
<t<
πd
2v1

(3)粒子到達MN時的速度大小v為
nqE0T
2m
,勻強磁場的磁感應強度大小B為
2πm
(2k+1)qT
(k=0、1、2、3…).
點評:本題是復合場中臨界條件問題,關鍵要分析臨界條件,對于周期性變化的電場,運用歸納法,分析速度變化量是關鍵,并抓住對稱性求時間.
練習冊系列答案
相關習題

科目:高中物理 來源: 題型:

如圖甲所示,空間有Ⅰ區(qū)和Ⅲ區(qū)兩個有理想邊界的勻強磁場區(qū)域,磁感應強度大小均為B,方向如圖所示.兩磁場區(qū)域之間有寬度為s的無磁場區(qū)域Ⅱ.a(chǎn)bcd是由均勻電阻絲做成的邊長為L(L>s)的正方形線框,每邊的電阻為R.線框以垂直磁場邊界的速度v水平向右勻速運動,從Ⅰ區(qū)經(jīng)過Ⅱ區(qū)完全進入Ⅲ區(qū),線框ab邊始終與磁場邊界平行.求:
(1)當ab邊在Ⅱ區(qū)運動時,dc邊所受安培力的大小和方向;
(2)線框從完全在Ⅰ區(qū)開始到全部進入Ⅲ區(qū)的整個運動過程中產(chǎn)生的焦耳熱;
(3)請在圖乙的坐標圖中畫出,從ab邊剛進入Ⅱ區(qū),到cd邊剛進入Ⅲ區(qū)的過程中,
d、a兩點間的電勢差Uda隨時間t變化的圖線.其中E0=BLv.
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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖甲所示,空間有Ⅰ區(qū)和Ⅲ區(qū)兩個有理想邊界的勻強磁場區(qū)域,磁感應強度大小均為B,方向如圖所示。兩磁場區(qū)域之間有寬度為s的無磁場區(qū)域Ⅱ。abcd是由均勻電阻絲做成的邊長為LLs)的正方形線框,每邊的電阻為R。線框以垂直磁場邊界的速度v水平向右勻速運動,從Ⅰ區(qū)經(jīng)過Ⅱ區(qū)完全進入Ⅲ區(qū),線框ab邊始終與磁場邊界平行。求:

(1)當ab邊在Ⅱ區(qū)運動時,dc邊所受安培力的大小和方向;

(2)線框從完全在Ⅰ區(qū)開始到全部進入Ⅲ區(qū)的整個運動過程中產(chǎn)生的焦耳熱;

(3)請在圖乙的坐標圖中畫出,從ab邊剛進入Ⅱ區(qū),到cd邊剛進入Ⅲ區(qū)的過程中,

da兩點間的電勢差Uda隨時間t變化的圖線。其中E0 = BLv 。

 

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科目:高中物理 來源:西城區(qū)一模 題型:問答題

如圖甲所示,空間有Ⅰ區(qū)和Ⅲ區(qū)兩個有理想邊界的勻強磁場區(qū)域,磁感應強度大小均為B,方向如圖所示.兩磁場區(qū)域之間有寬度為s的無磁場區(qū)域Ⅱ.a(chǎn)bcd是由均勻電阻絲做成的邊長為L(L>s)的正方形線框,每邊的電阻為R.線框以垂直磁場邊界的速度v水平向右勻速運動,從Ⅰ區(qū)經(jīng)過Ⅱ區(qū)完全進入Ⅲ區(qū),線框ab邊始終與磁場邊界平行.求:
(1)當ab邊在Ⅱ區(qū)運動時,dc邊所受安培力的大小和方向;
(2)線框從完全在Ⅰ區(qū)開始到全部進入Ⅲ區(qū)的整個運動過程中產(chǎn)生的焦耳熱;
(3)請在圖乙的坐標圖中畫出,從ab邊剛進入Ⅱ區(qū),到cd邊剛進入Ⅲ區(qū)的過程中,
d、a兩點間的電勢差Uda隨時間t變化的圖線.其中E0=BLv.

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖甲所示,空間有Ⅰ區(qū)和Ⅲ區(qū)兩個有理想邊界的勻強磁場區(qū)域,磁感應強度大小均為B,方向如圖所示。兩磁場區(qū)域之間有寬度為s的無磁場區(qū)域Ⅱ。abcd是由均勻電阻絲做成的邊長為L(L>s)的正方形線框,每邊的電阻為R。線框以垂直磁場邊界的速度v水平向右勻速運動,從Ⅰ區(qū)經(jīng)過Ⅱ區(qū)完全進入Ⅲ區(qū),線框ab邊始終與磁場邊界平行。

求:

(1)當ab也在Ⅱ區(qū)運動時,dc邊所受安培力的大小和方向;

(2)線框從完全在Ⅰ區(qū)開始到全部進入Ⅲ區(qū)的整個運動過程中產(chǎn)生的焦耳熱;

(3)請在圖乙的坐標圖中畫出,從ab邊剛進入Ⅱ區(qū),到cd邊剛進入Ⅲ區(qū)的過程中,d、a兩點間的電勢差Uda隨時間t變化的圖線。其中E0=BLv

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科目:高中物理 來源:2007年北京市西城區(qū)高考物理一模試卷(解析版) 題型:解答題

如圖甲所示,空間有Ⅰ區(qū)和Ⅲ區(qū)兩個有理想邊界的勻強磁場區(qū)域,磁感應強度大小均為B,方向如圖所示.兩磁場區(qū)域之間有寬度為s的無磁場區(qū)域Ⅱ.a(chǎn)bcd是由均勻電阻絲做成的邊長為L(L>s)的正方形線框,每邊的電阻為R.線框以垂直磁場邊界的速度v水平向右勻速運動,從Ⅰ區(qū)經(jīng)過Ⅱ區(qū)完全進入Ⅲ區(qū),線框ab邊始終與磁場邊界平行.求:
(1)當ab邊在Ⅱ區(qū)運動時,dc邊所受安培力的大小和方向;
(2)線框從完全在Ⅰ區(qū)開始到全部進入Ⅲ區(qū)的整個運動過程中產(chǎn)生的焦耳熱;
(3)請在圖乙的坐標圖中畫出,從ab邊剛進入Ⅱ區(qū),到cd邊剛進入Ⅲ區(qū)的過程中,
d、a兩點間的電勢差Uda隨時間t變化的圖線.其中E=BLv.

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