如圖(a)所示,MN是長為a傾斜放置的光滑絕緣細桿,傾角為37°,MNP構成一直角三角形.MP中點處固定一電量為Q的正電荷,桿上穿有一帶正電的小球(可視為點電荷),小球自N點由靜止釋放,小球的重力勢能和電勢能隨MN上位置x(取M點處x=0)的變化圖象如圖(b)所示,其中E0、E1、E2為已知量,取sin37°=0.6,cos37°=0.8,靜電力常量為k,重力加速度為g.(不得使用Ep=﹣)
(1)求勢能為E1時的橫坐標x1和帶電小球的質量m
(2)已知在x1處時小球與桿間的彈力恰好為零,求小球的電量q
(3)求小球運動到M點時的速度大。
科目:高中物理 來源:2015-2016學年湖北省高一第一次月考物理卷(解析版) 題型:選擇題
如圖所示是甲、乙、丙三個物體運動的x﹣t圖象,下列說法中正確的是( )
A.丙物體做加速直線運動
B.甲物體做曲線運動
C.三個物體在0~t0時間內的平均速度==
D.三個物體在0~t0時間內的平均速率>>
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科目:高中物理 來源:2015-2016學年湖北省荊州市高二第一次半月考物理卷(解析版) 題型:選擇題
目前有一種磁強計,用于測定地磁場的磁感應強度.磁強計的原理如右圖所示,電路有一段金屬導體,它的橫截面是寬為a、高為b的長方形,放在沿y軸正方向的勻強磁場中,導體中通有沿x軸正方向、大小為I的電流.已知金屬導體單位體積中的自由電子數(shù)為n,電子電荷量為e,金屬導電過程中,自由電子所做的定向移動可視為勻速運動.兩電極M、N均與金屬導體的前后兩側接觸,用電壓表測出金屬導體前后兩個側面間的電勢差為U.則磁感應強度的大小和電極M、N的正負為( )
A.,M正、N負 B.,M正、N負
C.,M負、N正 D.,M負、N正
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科目:高中物理 來源:2016屆山東省濰坊市高三第四次段考物理卷(解析版) 題型:選擇題
如圖所示,可調理想變壓器原線圈接交流電,副線圈通過滑動觸頭P可改變其匝數(shù).下列說法正確的是( )
A.僅增大R的阻值,通過燈泡L的電流將變大
B.僅增大R的阻值,通過燈泡L的電流將變小
C.僅將滑動觸頭P向下滑動,燈泡L兩端的電壓將變大
D.僅將滑動觸頭P向下滑動,燈泡L兩端的電壓將變小
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科目:高中物理 來源:2016屆內蒙古巴市高三期末物理卷(解析版) 題型:多選題
下列說法正確的是( )
A.居里夫婦發(fā)現(xiàn)了鈾和含鈾礦物的天然放射現(xiàn)象
B.根據(jù)玻爾理論可知,氫原子輻射出一個光子后,氫原子的電勢能減小,核外電子的運動速度增大
C.德布羅意在愛因斯坦光子說的基礎上提出物質波的概念,認為一切物體都具有波粒二象性
D.盧瑟福通過對α粒子散射實驗的研究,揭示了原子核的組成
E.比結合能小的原子核結合成或分解成比結合能大的原子核時一定放出核能
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科目:高中物理 來源:2016屆內蒙古巴市高三期末物理卷(解析版) 題型:選擇題
有a、b、c、d四顆地球衛(wèi)星,a還未發(fā)射,在赤道表面上隨地球一起轉動,b是近地軌道衛(wèi)星,c是地球同步衛(wèi)星,d是高空探測衛(wèi)星,它們均做勻速圓周運動,各衛(wèi)星排列位置如圖所示,則( )
A.a的向心加速度等于重力加速度g
B.在相同時間內b轉過的弧長最長
C.c在2小時內轉過的圓心角是
D.d的運動周期有可能是20小時
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科目:高中物理 來源:2015-2016學年山東省菏澤市高一期末物理卷(解析版) 題型:計算題
如圖所示,一質量為1kg的小球套在一根固定的直桿上,直桿與水平面夾角θ為30°.現(xiàn)小球在F=20N的豎直向上的拉力作用下,從A點靜止出發(fā)向上運動,已知桿與球間的動摩擦因數(shù)μ為.試求:
(1)小球運動的加速度a1;
(2)若F作用1.2s后撤去,小球上滑過程中距A點最大距離sm;
(3)若從撤去力F開始計時,小球經多長時間將經過距A點上方為2.25m的B點.
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科目:高中物理 來源:2015-2016學年山東臨沂羅莊區(qū)高考補習學校高一第一次段考物理卷(解析版) 題型:計算題
已知某船在靜水中的速率為v1=4m/s,現(xiàn)讓船渡過某條河,假設這條河的兩岸是理想的平行線,河寬為d=100m,河水的流動速度為v2=3m/s,方向與河岸平行.試分析:
(1)欲使船以最短時間渡過河去,航向怎樣?最短時間是多少?船發(fā)生的位移是多大?
(2)欲使船渡河過程中的航行距離最短,船的航向又應怎樣?渡河所用時間是多少?
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科目:高中物理 來源:2015-2016學年青海省高二期末物理卷(解析版) 題型:選擇題
分別用如圖所示的甲、乙兩種電路測量同一未知電阻的阻值,圖甲兩表的示數(shù)分別為3V、4mA;圖乙兩表的示數(shù)分別為4V、3.8mA,則待測電阻RX的真實值為( )
A.略小于1kΩ B.略小于750Ω
C.略大于1kΩ D.略大于750Ω
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