(19分)如圖所示,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場(chǎng)加速后勻速通過(guò)準(zhǔn)直管,垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),偏轉(zhuǎn)后通過(guò)極板HM上的小孔S離開(kāi)電場(chǎng),經(jīng)過(guò)一段勻速直線運(yùn)動(dòng),垂直于邊界MN進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。已知HO=d,HS=2d,=90°。(忽略粒子所受重力)

(1)求偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)E0的大小以及HM與MN的夾角φ;

(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑;

(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點(diǎn)S1處,質(zhì)量為16m的離子打在S2處。求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質(zhì)量范圍。

解析

(1)正離子被電壓為U0的加速電場(chǎng)加速后速度設(shè)為V1,設(shè)

對(duì)正離子,應(yīng)用動(dòng)能定理有eU0mV12,       

正離子垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),作類(lèi)平拋運(yùn)動(dòng)

受到電場(chǎng)力F=qE0、產(chǎn)生的加速度為a=,即a=

垂直電場(chǎng)方向勻速運(yùn)動(dòng),有2d=V1t,

沿場(chǎng)強(qiáng)方向:Y=at2,

聯(lián)立解得E0

又tanφ=,解得φ=45°;

(2)正離子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度大小為V2,      

正離子在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中作勻速圓周運(yùn)動(dòng),由洛侖茲力提供向心力,qV2B=

解得離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑R=2;

(3)根據(jù)R=2可知,

質(zhì)量為4m的離子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)打在S1,運(yùn)動(dòng)半徑為R1=2,

質(zhì)量為16m的離子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)打在S2,運(yùn)動(dòng)半徑為R2=2

又ON=R2-R1,

由幾何關(guān)系可知S1和S2之間的距離ΔS=-R1,

聯(lián)立解得ΔS=4(-);

由R′2=(2 R1)2+( R′-R1)2解得R′=R1

再根據(jù)R1<R<R1,

解得m<mx<25m。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

精英家教網(wǎng)質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造原理如圖所示,離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束(速度可看作零),經(jīng)加速電場(chǎng)加速后垂直進(jìn)入有界勻強(qiáng)磁場(chǎng),到達(dá)照相底片P上,設(shè)離子在P上的位置到入口處S1的距離為x,則離子的比荷
q
m
與x關(guān)系,下列那一幅正確( 。
A、精英家教網(wǎng)
B、精英家教網(wǎng)
C、精英家教網(wǎng)
D、精英家教網(wǎng)

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

(18分)如圖所示,離子源A產(chǎn)生的初速度為零、帶電荷量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速度電場(chǎng)加速后勻速通過(guò)準(zhǔn)直管,垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),偏轉(zhuǎn)后通過(guò)極板HM上的小孔S離開(kāi)電場(chǎng),經(jīng)過(guò)一段勻速直線運(yùn)動(dòng),垂直于邊界MN進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng).已知HOd,HS=2d,∠MNQ=90°.(忽略離子所受重力)

(1)求偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)E0的大小以及HMMN的夾角Φ;

(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑;

(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點(diǎn)S1處,質(zhì)量為16 m的離子打在S2處,求S1S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質(zhì)量范圍.

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示,離子源A產(chǎn)生的初速度為零、帶電荷量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速度電場(chǎng)加速后勻速通過(guò)準(zhǔn)直管,垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),偏轉(zhuǎn)后通過(guò)極板HM上的小孔S離開(kāi)電場(chǎng),經(jīng)過(guò)一段勻速直線運(yùn)動(dòng),垂直于邊界MN進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng).已知HOd,HS=2d,∠MNQ=90°.(忽略離子所受重力)

(1)求偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)E0的大小以及HMMN的夾角Φ;

(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑;

(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點(diǎn)S1處,質(zhì)量為16 m的離子打在S2處,求S1S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質(zhì)量范圍.

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來(lái)源:山東省期末題 題型:計(jì)算題

如圖所示,離子源A產(chǎn)生的初速度為零、帶電荷量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速度電場(chǎng)加速后勻速通過(guò)準(zhǔn)直管,垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),偏轉(zhuǎn)后通過(guò)極板HM上的小孔S離開(kāi)電場(chǎng),經(jīng)過(guò)一段勻速直線運(yùn)動(dòng),垂直于邊界MN進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。已知HO=d,HS=2d,∠MNQ=90°。(忽略離子所受重力)
(1)求偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)E0的大小以及HM與MN的夾角Φ;
(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑;
(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點(diǎn)S1處,質(zhì)量為16 m的離子打在S2處,求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質(zhì)量范圍。

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊(cè)答案