壓敏電阻的阻值會(huì)隨所受壓力的增大而減小.如圖所示，將壓敏電阻平放在電梯內(nèi)，受力面向上，在其上面放一質(zhì)量為的物體，電梯靜止時(shí)電壓表的示數(shù)為U0.下列電壓表示數(shù)隨時(shí)間變化圖象中，能表示電梯豎直向上作勻加速直線運(yùn)動(dòng)的是（     ）

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源：2014-2015學(xué)年江蘇省南京市、鹽城市高三第二次模擬考試物理卷（解析版） 題型：選擇題

下列圖片顯示的技術(shù)中，屬于防范靜電危害的是（ ）

A.靜電復(fù)印 B.靜電噴涂 C.避雷針 D．靜電除塵

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科目：高中物理 來源： 題型：


如圖所示，在光滑水平面上，有豎直向下的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，分布在寬度為L(zhǎng)的區(qū)域內(nèi)，兩個(gè)邊長(zhǎng)均為a（a＜L）的單匝閉合正方形線圈甲和乙，分別用相同材料不同粗細(xì)的導(dǎo)線繞制而成（甲為細(xì)導(dǎo)線），將線圈置于光滑水平面上且位于磁場(chǎng)的左邊界，并使兩線圈獲得大小相等、方向水平向右的初速度，若甲線圈剛好能滑離磁場(chǎng)，則( )

A.乙線圈也剛好能滑離磁場(chǎng)

B.兩線圈進(jìn)入磁場(chǎng)過程中通過導(dǎo)線橫截面電荷量相同

C.兩線圈進(jìn)入磁場(chǎng)過程中產(chǎn)生的熱量相同

D.甲線圈進(jìn)入磁場(chǎng)過程中產(chǎn)生的熱量小于離開磁場(chǎng)過程中產(chǎn)生的熱量

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科目：高中物理 來源： 題型：


為確定某電子元件的電氣特性，做如下測(cè)量。

(1)用多用表測(cè)量該元件的電阻，選用“×100”倍率的電阻檔測(cè)量，發(fā)現(xiàn)多用表指針偏轉(zhuǎn)過大，因此需選擇＿＿＿＿倍率的電阻檔(填：“×10”或“×1k”)，并＿＿＿＿再進(jìn)行測(cè)量，之后多用表的示數(shù)如圖(a)所示，測(cè)量結(jié)果為＿＿＿＿Ω。

2）某同學(xué)想精確測(cè)得上述待測(cè)電阻Rx的阻值，實(shí)驗(yàn)室提供如下器材：

A．電流表A1（量程50mA、內(nèi)阻r1＝10Ω）

B．電流表A2（量程200mA、內(nèi)阻r2約為2Ω）

C．電流表A3（量程0.6A、內(nèi) 阻r3約為O.2Ω） D．定值電阻R0＝30Ω

E．滑動(dòng)變阻器R（最大阻值約為10Ω） F．電源E（電動(dòng)勢(shì)為4V）

G．開關(guān)S、導(dǎo)線若干

回答：

①某同學(xué)設(shè)計(jì)了測(cè)量電阻Rx的一種實(shí)驗(yàn)電路原理如圖所示， 為保證測(cè)量時(shí)電流表讀數(shù)不小于其量程的1/3，M、N兩處的電流表應(yīng)分別選用：M為 ；N為 ．（填器材選項(xiàng)前相應(yīng)的英文字母）

②若M、N電表的讀數(shù)分別為IM、IN，則Rx的計(jì)算式為Rx＝ ．（用題中字母表示）

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科目：高中物理 來源： 題型：


以下有關(guān)近代物理內(nèi)容的若干敘述，正確的是(       )

 A．紫外線照射到金屬鋅板表面時(shí)能夠發(fā)生光電效應(yīng)，則當(dāng)增大紫外線的照射強(qiáng)度時(shí)，從鋅板表面逸出的光電子的最大初動(dòng)能也隨之增大

 B．質(zhì)子和中子結(jié)合成新原子核一定有質(zhì)量虧損，釋放出能量

 C．有10個(gè)放射性元素的原子核，當(dāng)有5個(gè)原子核發(fā)生衰變所需的時(shí)間就是該放射性元素的半衰期

 D．氫原子的核外電子由較高能級(jí)躍遷到較低能級(jí)時(shí)，要釋放一定頻率的光子，同時(shí)氫原子的電勢(shì)能減小，電子的動(dòng)能增大

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科目：高中物理 來源： 題型：


在如圖所示的電路中，電源的內(nèi)電阻r不能忽略，其電動(dòng)勢(shì)E小于電容器C的耐壓值．先閉合開關(guān)Ｓ，待電路穩(wěn)定后，再斷開開關(guān)S，則在電路再次達(dá)到穩(wěn)定的過程中，下列說法中正確的是（　   ）

Ａ．電阻Ｒ1兩端的電壓增大 　　

Ｂ．電容器C兩端的電壓減小

Ｃ．電源兩端的電壓減小    　　

Ｄ．電容器C上所帶的電量增加

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科目：高中物理 來源： 題型：


兩根足夠長(zhǎng)的光滑平行直導(dǎo)軌MN、PQ與水平面成θ角放置，兩導(dǎo)軌間距為L，M、P兩點(diǎn)間接有阻值為R的電阻。一根質(zhì)量為m的均勻直金屬桿ab放在兩導(dǎo)軌上，并與導(dǎo)軌垂直。整套裝置處于磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向垂直于導(dǎo)軌平面向上，導(dǎo)軌和金屬桿接觸良好且電阻不計(jì)�，F(xiàn)讓ab桿由靜止開始沿導(dǎo)軌下滑。⑴求ab桿下滑的最大速度vm；⑵ab桿由靜止釋放至達(dá)到最大速度的過程中，電阻R產(chǎn)生的焦耳熱為Q，求該過程中ab桿下滑的距離x及通過電阻R的電量q。

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科目：高中物理 來源： 題型：


如圖所示為一透明玻璃半球，在其下面有一平行半球上表面水平放置的光屏。兩束關(guān)于中心軸OO＇對(duì)稱的激光束從半球上表面垂直射入玻璃半球，恰能從球面射出。當(dāng)光屏距半球上表面h1=40cm時(shí)，從球面折射出的兩束光線匯聚于光屏與OO＇軸的交點(diǎn)，當(dāng)光屏距上表面h2=70cm時(shí)，在光屏上形成半徑r=40cm的圓形光斑。求該半球形玻璃的折射率。

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科目：高中物理 來源： 題型：


如圖所示是質(zhì)譜儀的一部分，離子a、b以相同的速度從孔S沿著與磁場(chǎng)垂直的方向進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)，最終打到照相底片上。已知離子a、b的質(zhì)量和電量分別為ma、mb和qa、qb，它們?cè)诖艌?chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)間分別為ta、tb，則下列說法正確的是

A．ma＞mb     B．qa＜qb   C．ta=tb   D．ta＞tb

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