如圖所示為一質譜儀的構造原理示意圖，整個裝置處于真空環(huán)境中，離子源N可釋放出質量均為m、電荷量均為q（q＞0）的離子。離子的初速度很小，可忽略不計。離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場加速后，從狹縫S3進入磁感應強度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強磁場中，沿著半圓運動到照相底片上的P點處，測得P到S3的距離為x。求：
（1）離子經(jīng)電壓為U的電場加速后的速度v；
（2）離子的荷質比（q/m）。
解：（1）離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場加速，根據(jù)動能定理
qU=
所以 ①
（2）設離子進入磁場后做勻速圓周運動速率為v，半徑為R
洛倫茲力提供向心力 ②
又因R=x ③
聯(lián)立①②③，解得
練習冊系列答案
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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示為一質譜儀的構造原理示意圖，整個裝置處于真空環(huán)境中，離子源N可釋放出質量相等、電荷量均為q（q＞0）的離子．離子的初速度很小，可忽略不計．離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場加速后，從狹縫S3進入磁感應強度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強磁場中，沿著半圓運動到照相底片上的P點處，測得P到S3的距離為x．求：
（1）離子經(jīng)電壓為U的電場加速后的動能；
（2）離子在磁場中運動時的動量大小；
（3）離子的質量．

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科目：高中物理 來源： 題型：

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（1）離子經(jīng)電壓為U的電場加速后的速度v；
（2）離子的荷質比 （q/m）

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科目：高中物理 來源： 題型：

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(1)離子經(jīng)電壓為U的電場加速后的速度v;

(2)離子的比荷(q/m)

 

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科目：高中物理 來源：2011-2012學年廣西省高二3月月考物理卷（解析版） 題型：計算題

如圖所示為一質譜儀的構造原理示意圖,整個裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質量均為m、電荷量均為q(q>0)的離子.離子的初速度很小,可忽略不計.離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場加速后,從狹縫S3進入磁感應強度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強磁場中,沿著半圓運動到照相底片上的P點處,測得P到S3的距離為x.求:

(1)離子經(jīng)電壓為U的電場加速后的速度v;

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科目：高中物理 來源：浙江省高二上學期期末考試物理卷 題型：計算題

如圖所示為一質譜儀的構造原理示意圖,整個裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質量均為m、電荷量均為q(q>0)的離子.離子的初速度很小,可忽略不計.離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場加速后,從狹縫S3進入磁感應強度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強磁場中,沿著半圓運動到照相底片上的P點處,測得P到S3的距離為x.求:

(1)離子經(jīng)電壓為U的電場加速后的速度v;

(2)離子的比荷(q/m)

 

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