A. | 因穿過(guò)銅盤(pán)的磁通量沒(méi)有發(fā)生變化,故法拉第的第一臺(tái)發(fā)電機(jī)不能發(fā)電 | |
B. | 假若該發(fā)電機(jī)能發(fā)電,則圖乙中R上的電流從下向上流動(dòng) | |
C. | 圖乙中流過(guò)R的是方向不斷改變的交流電 | |
D. | 設(shè)圖乙中銅盤(pán)半徑為r,勻強(qiáng)磁場(chǎng)大小為B,銅盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)的角速度為ω,銅盤(pán)產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)為E=Bωr2 |
分析 根據(jù)右手定則判斷AB間感應(yīng)電流方向,即可知道電勢(shì)高低.根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律可知,感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小與轉(zhuǎn)動(dòng)角速度有關(guān).
解答 解:A、圓盤(pán)在外力作用下切割磁感線,從而產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),可以產(chǎn)生感應(yīng)電流,可以發(fā)電,故A錯(cuò)誤;
B、根據(jù)右手定則可知,電流從D點(diǎn)流出,流向C點(diǎn),因此電流方向?yàn)閺腄向R再到C,即為C→D→R→C,通過(guò)R的電流從下向上,電流方向不變,通過(guò)R的電流是直流電,故B正確,C錯(cuò)誤;
D、根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律,則有E=BL$\overline{v}$=$\frac{1}{2}$BL2ω,產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)大小不變,故D錯(cuò)誤;
故選:B.
點(diǎn)評(píng) 本題是右手定則和法拉第電磁感應(yīng)定律的綜合應(yīng)用,基本題,考查對(duì)實(shí)驗(yàn)原理的理解能力,同時(shí)注意切割磁感線相當(dāng)于電源,內(nèi)部電流方向是從負(fù)極到正極.注意由于圓盤(pán)在切割磁感線,相當(dāng)于電源,所以C處的電勢(shì)比D處低.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | A的質(zhì)量mA=2 kg | B. | A的質(zhì)量mA=6 kg | ||
C. | A、B間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ=0.2 | D. | A、B間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ=0.6 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 大小為0.1g方向沿斜面向上 | B. | 大小為0.1g方向沿斜面向下 | ||
C. | 大小為0.2g方向沿斜面向上 | D. | 大小為0.2g方向沿斜面向下 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 物體做功的功率越大,則物體做的功一定越快 | |
B. | 做的功越少,功率就越小 | |
C. | 做功的時(shí)間越長(zhǎng),功率就越小 | |
D. | 物體做功的功率越大,則物體做的功一定越多 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 滑塊A的質(zhì)量為4kg | B. | 木板B的質(zhì)量為1kg | ||
C. | 當(dāng)F=10N時(shí)木板B加速度為4m/s2 | D. | 滑塊A與木板B間動(dòng)摩擦因數(shù)為0.1 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 通電直導(dǎo)線處于勻強(qiáng)磁場(chǎng)中一定受到安培力的作用 | |
B. | 帶電粒子在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)受到洛侖茲力做正功 | |
C. | 安培力是大量運(yùn)動(dòng)電荷所受洛侖茲力的宏觀表現(xiàn) | |
D. | 通電直導(dǎo)線在磁場(chǎng)中受到的安培力方向與磁場(chǎng)方向平行 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 安培發(fā)現(xiàn)了電流磁效應(yīng);法拉第發(fā)現(xiàn)了電磁感應(yīng)現(xiàn)象 | |
B. | 麥克斯韋預(yù)言了電磁波;楞次用實(shí)驗(yàn)證實(shí)了電磁波的存在 | |
C. | 庫(kù)侖提出了電場(chǎng)線;密立根通過(guò)油滴實(shí)驗(yàn)測(cè)定了元電荷的數(shù)值 | |
D. | 感應(yīng)電流遵從楞次定律所描述的方向,這是能量守恒定律的必然結(jié)果 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 增大拋射速度v0,同時(shí)減小拋射角θ | B. | 減小拋射速度v0,同時(shí)減小拋射角θ | ||
C. | 增大拋射角θ,同時(shí)減小拋出速度v0 | D. | 增大拋射角θ,同時(shí)增大拋出速度v0 |
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