20.如圖,光滑的豎直導軌放置于勻強磁場B中,寬為L,放有一根導體棒ab,其接入導軌電阻為r,由靜止開始運動,外電阻為R,分析ab的受力情況和運動情況,并求出ab的最大速度.

分析 根據(jù)安培力的變化結(jié)合牛頓第二定律分析加速度的變化;當導體棒最終勻速下落時速度最大,重力與安培力平衡,根據(jù)平衡條件和安培力公式結(jié)合求解最大速度.

解答 解:導體棒開始由靜止下滑,切割磁感應(yīng)線產(chǎn)生感應(yīng)電流,由右手定則:ab棒的感應(yīng)電流方向由a指向b,由左手定則:ab棒所受磁場力豎直向上,大小為BIL;
根據(jù)牛頓第二定律可得a=$\frac{mg-BIL}{m}$,隨著速度增大、感應(yīng)電流增大,安培力變大,加速度減小,當安培力和重力相等時,加速度為零,導體棒做勻速直線運動;  
當導體棒最終勻速下落時速度最大,重力與安培力平衡,則有:mg-FA=0 
由 E=BLvm,I=$\frac{E}{R+r}$,F(xiàn)A=BIL
解得:vm=$\frac{mg(R+r)}{{B}^{2}{L}^{2}}$.
答:導體棒受到重力和安培力作用,開始做加速度減小的加速運動,最后做勻速直線運動;最大速度為$\frac{mg(R+r)}{{B}^{2}{L}^{2}}$.

點評 對于電磁感應(yīng)問題研究思路常常有兩條:一條從力的角度,重點是分析安培力作用下導體棒的平衡問題,根據(jù)平衡條件列出方程;另一條是能量,分析涉及電磁感應(yīng)現(xiàn)象中的能量轉(zhuǎn)化問題,根據(jù)動能定理、功能關(guān)系等列方程求解.

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6.為了測出樓房的高度,某同學讓一石塊從樓頂作自由下落至地面(不計空氣阻力,重力加速度為已知量),不能測出樓房的高度的是(  )
A.測量石塊下落到地面的時間
B.測出石塊落地時的瞬時速度
C.測出石塊落地前最后1s內(nèi)的位移
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7.如圖所示,在沒有空氣阻力和摩擦力時(實際很小),從斜面A上由靜止釋放小球,會發(fā)現(xiàn)無論斜面B傾角怎樣變化,小球最后總能達同高(選填“同高”或“不同高”)的位置,在物理學中,把這一事實說成是有某個量是守恒的,并且把這個量叫能量.

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8.如圖所示,在水平面內(nèi)固定一光滑的足夠長的“U”型金屬導軌,導軌間距離L=1m,整個裝置處在豎直向下的勻強磁場中,磁感強度B=0.5T,一質(zhì)量為m=1.5kg的導體棒在外力作用下以a=2m/s2的加速度從靜止開始向右做切割磁感線運動,導體棒在回路中的電阻r=3Ω,定值電阻R=0.2Ω,其余電阻忽略不計,求:
(1)運動2s末,導體棒受到的安培力;
(2)從運動開始2s的時間內(nèi),流過電阻R的電量.

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15.無限長光滑平行導軌MN、PQ水平放置,勻強垂直紙面向里,直金屬棒a、b的長度、質(zhì)量、電阻的關(guān)系為La=2Lb,ma=2mb,R=2Rb,開始時兩棒的距離比較遠,使兩棒同時獲得向右va=v0和向左vb=2v0的相向速度,且兩棒在運動過程中始終平行并與導軌垂直.求在以后的運動過程中,金屬棒b的最小速度.

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5.如圖所示,勻強磁場的磁感應(yīng)強度大小B=0.2T,金屬棒ab垂直放在相互平行的金屬導軌MN,PQ上,并向右做切割磁感線的勻速運動,速度大小為v=5m/s,導軌間距L=40cm,磁場方向垂直軌道平面,電阻R=0.5Ω,ab棒的有效電阻為0.3Ω,其余電阻不計,摩擦也不計,試求:
(1)感應(yīng)電流的大小和方向及a、b兩點間的電壓.
(2)使金屬棒勻速運動所需的拉力.

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12.如圖所示,圖甲是某人設(shè)計的一種振動發(fā)電裝置,它的結(jié)構(gòu)是一個半徑為r=0.1m的有25匝的線圈套在輻向形永久磁鐵槽中,磁場的磁感線均沿半徑方向均勻分布(其右視圖如圖乙所示).在線圈所在位置磁感應(yīng)強度B的大小均為$\frac{1}{π}$T,線圈的電阻為2Ω,它的引出線接有8Ω的電珠L,外力推動線圈的P端,做往復運動,便有電流通過電珠.當線圈向右的位移隨時間t變化的規(guī)律如圖丙所示時(x取向右為正):
(1)試畫出感應(yīng)電流隨時間變化的圖象(取圖乙中逆時針電流為正);
(2)求每一次推動線圈運動過程中的作用力:
(3)求該發(fā)動機的輸出功率(摩擦等損耗不計).

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9.如圖所示,正方形金屬框abcd的邊長為L,在勻強磁場區(qū)域上方某一位置由靜止釋放,當ab邊剛進入磁場時,線框開始做勻速直線運動.磁場區(qū)域的寬度為h(h>L),磁感應(yīng)強度的方向垂直紙面向外,則線框進入磁場的過程和從磁場另一側(cè)穿出的過程相比較,下列說法正確的是( 。
A.產(chǎn)生的感應(yīng)電流方向相同
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C.進入磁場過程的時間等于穿出磁場過程的時間
D.進入磁場過程和穿出磁場過程中通過導體內(nèi)某一截面的電荷量相等

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