科學(xué)研究中常用到質(zhì)譜儀.有一類質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理如圖所示,離子源S產(chǎn)生質(zhì)量為m、電荷量為q的離子,離子產(chǎn)生出來時(shí),速度很小,可以看作是靜止的.離子經(jīng)過電壓U加速后,垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,沿著半圓周運(yùn)動(dòng),到達(dá)記錄它的照相底片的P點(diǎn).測得P點(diǎn)到入口處的距離為x,試證明粒子的質(zhì)量m=x2.

證明:設(shè)離子經(jīng)加速電壓加速后獲得的速度為v,根據(jù)動(dòng)能定理有:

qU=mv2,v=.

離子以速度v垂直進(jìn)入勻強(qiáng)磁場后,做勻速圓周運(yùn)動(dòng),其軌道半徑R=,根據(jù)半徑公式R=

所以m=x2.

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科目:高中物理 來源: 題型:038

科學(xué)研究中常用到質(zhì)譜儀.有一類質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理如下圖所示,離子源S產(chǎn)生質(zhì)量為m、電荷量為q的離子.離子產(chǎn)生出來時(shí)速度很小,可以看做是靜止的.離子經(jīng)過電壓U加速,進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,沿著半圓周運(yùn)動(dòng)而到達(dá)記錄它的照相底片的P點(diǎn).測得P點(diǎn)的位置到入口處的距離為x,試證明離子的質(zhì)量

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