如圖所示,MNPQ是一個(gè)足夠長(zhǎng)的處于豎直平面內(nèi)的固定的金屬框架,框架的寬度為L(zhǎng),電阻忽略不計(jì).a(chǎn)b是一根質(zhì)量為m,有一定電阻的導(dǎo)體,能緊貼框架無(wú)摩擦下滑,整個(gè)框架平面處于垂直于框架平面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁感強(qiáng)度為B.當(dāng)單刀雙擲開(kāi)關(guān)S置于1位置時(shí),導(dǎo)體ab恰好靜止在框架的某一處.已知電源的電動(dòng)勢(shì)為ε,內(nèi)阻為r.
(1)勻強(qiáng)磁場(chǎng)的方向如何?
(2)當(dāng)開(kāi)關(guān)S置于2位置時(shí),導(dǎo)體ab由靜止開(kāi)始下落,試寫(xiě)出ab下落運(yùn)動(dòng)的分析過(guò)程,并用所給的物理量表達(dá)ab在下落過(guò)程中的最大速度.
(3)ab達(dá)到最大速度的1/2時(shí),其加速度大小是多大?此時(shí)ab兩端的電壓為多少?
(4)如果ab由靜止開(kāi)始下落到達(dá)到最大速度所用的時(shí)間為t,下落高度為h.試推導(dǎo)則該過(guò)程中h和t應(yīng)滿足的不等式關(guān)系?
精英家教網(wǎng)

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(1)由左手定則判斷得知:磁場(chǎng)方向垂直紙面向內(nèi)
(2)S接1時(shí),mg=F=BIL=B
ε
R+r
L
  ①
S接2時(shí),剛開(kāi)始ab下落的加速度為g,接著加速運(yùn)動(dòng)、同時(shí)受重力和安培力作用,由牛頓第二定律得:mg-F=ma
隨著的υ的增大,感應(yīng)電場(chǎng)也隨著增大,感應(yīng)電流也增大,從而使F增大而導(dǎo)致速度a的減小,最終達(dá)到和重力的平衡而做勻速運(yùn)動(dòng),因而有:mg=F=BIL=
B2L2
υ m
R

由①得R代入②整理后得:υm=
ε
BL
-
mgr
B2L2

(3)由②可知,當(dāng)ab達(dá)到最大速度的
1
2
時(shí),安培力F=
1
2
mg,因此有:
   mg-F=ma
解得,a=
1
2
g.
又因?yàn),ab切割磁感線產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),其電阻相當(dāng)于電源內(nèi)阻,而據(jù)題意,框架電阻不計(jì),因而外電阻為0,從而使ab兩端的電壓(端電壓)為0.
(4)作出ab運(yùn)動(dòng)過(guò)程的υ-t圖線:
ab初始加速度為g,即圖線在原點(diǎn)的切線斜率為g.運(yùn)動(dòng)過(guò)程下落距離h即為圖線曲線部分所包的“面積”,它介于圖示“梯形面積”和“三角形面積”之間.
故有:
1
2
υm(2t-
υm
g
)>h>
1
2
υmt
,
將(2)中求的υm值代入得:
1
2
(
ε
BL
-
mgr
B2L2
)(2t-
ε
BLg
+
mr
B2L2
)>h>
1
2
(
ε
BL
-
mgr
B2L2
)t

答:
(1)勻強(qiáng)磁場(chǎng)的方向垂直紙面向內(nèi);
(2)S接2時(shí),剛開(kāi)始ab下落的加速度為g,接著加速運(yùn)動(dòng)、同時(shí)受重力和安培力作用,由牛頓第二定律得:mg-F=ma,隨著的υ的增大,感應(yīng)電場(chǎng)也隨著增大,感應(yīng)電流也增大,從而使F增大而導(dǎo)致速度a的減小,最終達(dá)到和重力的平衡而做勻速運(yùn)動(dòng),ab在下落過(guò)程中的最大速度為
ε
BL
-
mgr
B2L2

(3)ab達(dá)到最大速度的
1
2
時(shí),其加速度大小是
1
2
g
,此時(shí)ab兩端的電壓為0.
(4)該過(guò)程中h和t應(yīng)滿足的不等式關(guān)系為:
1
2
(
ε
BL
-
mgr
B2L2
)(2t-
ε
BLg
+
mr
B2L2
)>h>
1
2
(
ε
BL
-
mgr
B2L2
)t
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

(2004?南匯區(qū)一模)如圖所示,MNPQ是一個(gè)足夠長(zhǎng)的處于豎直平面內(nèi)的固定的金屬框架,框架的寬度為L(zhǎng),電阻忽略不計(jì).a(chǎn)b是一根質(zhì)量為m,有一定電阻的導(dǎo)體,能緊貼框架無(wú)摩擦下滑,整個(gè)框架平面處于垂直于框架平面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁感強(qiáng)度為B.當(dāng)單刀雙擲開(kāi)關(guān)S置于1位置時(shí),導(dǎo)體ab恰好靜止在框架的某一處.已知電源的電動(dòng)勢(shì)為ε,內(nèi)阻為r.
(1)勻強(qiáng)磁場(chǎng)的方向如何?
(2)當(dāng)開(kāi)關(guān)S置于2位置時(shí),導(dǎo)體ab由靜止開(kāi)始下落,試寫(xiě)出ab下落運(yùn)動(dòng)的分析過(guò)程,并用所給的物理量表達(dá)ab在下落過(guò)程中的最大速度.
(3)ab達(dá)到最大速度的1/2時(shí),其加速度大小是多大?此時(shí)ab兩端的電壓為多少?
(4)如果ab由靜止開(kāi)始下落到達(dá)到最大速度所用的時(shí)間為t,下落高度為h.試推導(dǎo)則該過(guò)程中h和t應(yīng)滿足的不等式關(guān)系?

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示,MNPQ是一塊截面為正方形的玻璃磚,正方形的邊長(zhǎng)為30cm.有一束很強(qiáng)的細(xì)光束AB射到玻璃磚的MQ面上,入射點(diǎn)為B,該光束從B點(diǎn)進(jìn)入玻璃磚后再經(jīng)QP面反射沿DC方向射出.其中B為MQ的中點(diǎn),∠ABM=30°,PD=7.5cm,∠CDN=30°.試在原圖上準(zhǔn)確畫(huà)出該光束在玻璃磚內(nèi)的光路圖,并求出該玻璃磚的折射率.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示,MNPQ是一塊截面為正方形的玻璃磚,正方形的邊長(zhǎng)為30 cm,有一束很強(qiáng)的細(xì)光束AB射到玻璃磚的MQ面上,入射點(diǎn)為B,該光束從B點(diǎn)進(jìn)入玻璃磚后再經(jīng)QP面反射沿DC方向射出.其中BMQ的中點(diǎn),∠ABM=30°,PD=7.5 cm,∠CDN=30°.試在原圖上準(zhǔn)確畫(huà)出該光束在玻璃磚內(nèi)的光路圖,并求出該玻璃磚的折射率.

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科目:高中物理 來(lái)源:2012屆河北省懷安縣柴溝堡一中高三高考預(yù)測(cè)考試?yán)砜凭C合物理試卷(帶解析) 題型:計(jì)算題

如圖所示,MNPQ是一塊
截面為正方形的玻璃磚,其邊長(zhǎng)MN="30" cm。一束激光AB射到玻璃磚的MQ面上(入射點(diǎn)為B)進(jìn)入玻璃磚后在QP面上的F點(diǎn)(圖中未畫(huà)出)發(fā)生全反射,恰沿DC方向射出。其中B為MQ的中點(diǎn),∠ABM=30°,PD=7.5 cm,∠CDN=30°。

①畫(huà)出激光束在玻璃磚內(nèi)的光路示意圖,求出QP面上的反射點(diǎn)F到Q點(diǎn)的距離QF;
②求出該玻璃磚的折射率。
③求出激光束在玻璃磚內(nèi)的傳播速度(真空中光速c=3×108m/s)。

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科目:高中物理 來(lái)源:2011-2012學(xué)年北京市新課標(biāo)版高考模擬系列(二)理科綜合物理試題(解析版) 題型:計(jì)算題

如圖所示,MNPQ是一塊截面為正方形的玻璃磚,其邊長(zhǎng)MN=30 cm。一束激光AB射到玻璃磚的MQ面上(入射點(diǎn)為B)進(jìn)入玻璃磚后在QP面上的F點(diǎn)(圖中未畫(huà)出)發(fā)生全反射,恰沿DC方向射出。其中B為MQ的中點(diǎn),∠ABM=30°,PD=7.5 cm,∠CDN=30°。

①畫(huà)出激光束在玻璃磚內(nèi)的光路示意圖,求出QP面上的反射點(diǎn)到Q點(diǎn)的距離QF;

②求出該玻璃磚的折射率。

③求出激光束在玻璃磚內(nèi)的傳播速度(真空中光速c=3×108m/s)。

 

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