(2012·北京東城區(qū)高三一模)一塊含U(鈾238)的礦石質(zhì)量為M，其中U的質(zhì)量為m.已知U的半衰期為T，則下列說法正確的是(　　)

A．經(jīng)過時(shí)間2T后這塊礦石基本不再含有U了

B．經(jīng)過時(shí)間2T后礦石中的U有發(fā)生了衰變

C．經(jīng)過時(shí)間2T后該礦石的質(zhì)量剩下

D．經(jīng)過時(shí)間3T后礦石中U的質(zhì)量還剩

解析　半衰期是放射性元素的原子核有一半發(fā)生衰變所經(jīng)歷的時(shí)間，即經(jīng)過一個(gè)半衰期后剩余一半，兩個(gè)半衰期后剩余四分之一，衰變四分之三，A、B、C錯(cuò)誤．同理可知D正確．

答案　D

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

(2012北京東城期末)如圖所示，真空中有兩個(gè)等量異種點(diǎn)電荷A和B，一帶負(fù)電的試探電荷僅受電場力作用，在電場中運(yùn)動(dòng)的部分軌跡如圖中實(shí)線所示．M、N是軌跡上的兩點(diǎn)，MN連線與AB連線垂直，O為垂足，且AO>OB。設(shè)M、N兩點(diǎn)的場強(qiáng)大小分別為EM、EN，電勢分別為φM、φN。下列判斷中正確的是（　 ）

　　　 A．EM大于EN

　　　 B．φM大于φN

　　　 C．B點(diǎn)電荷一定帶正電

　　　 D．此試探電荷在M處的電勢能小于N處的電勢能

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2012年北京東城二模）在一支氖管兩端加一個(gè)正弦交流電壓u=50sin(314t) V。當(dāng)氖管兩端電壓達(dá)到或超過U0=25V時(shí)，氖管就能發(fā)光。則在此交流電的一個(gè)周期內(nèi)氖管的發(fā)光時(shí)間為  

A．0.2s        B．0.02s       C．0.01s     D．0.005s 

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科目：高中物理 來源： 題型：

 (2012北京東城期末)一列簡諧橫波以1m/s的速度沿繩子由A向B傳播，A、B間的距離為3m，如圖甲所示。若質(zhì)點(diǎn)B的振動(dòng)圖象如圖乙所示，則質(zhì)點(diǎn)A的振動(dòng)圖象為丙圖中的                 （    ）

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科目：高中物理 來源： 題型：

 (2012北京東城期末)如圖甲所示，質(zhì)量為m的小物塊以初速度v0沖上足夠長的固定斜面， 斜面傾角為θ，物塊與該斜面間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ>tanθ，（規(guī)定沿斜面向上方向?yàn)樗俣葀和摩擦力f的正方向）則圖乙中表示該物塊的速度v和所摩擦力f隨時(shí)間t變化的圖象正確的是    （    ）

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2012年4月北京東城模擬）如圖甲所示，在材質(zhì)均勻的圓形薄電阻片上，挖出一個(gè)偏心小圓孔。在彼此垂直的直徑AB和CD兩端引出四個(gè)電極A、B、C、D。先后分別將A、B或C、D接在電壓恒為U的電路上，如圖乙和圖丙所示。比較兩種接法中電阻片的熱功率大小，應(yīng)有

A．兩種接法電阻片熱功率一樣大

B．接在AB兩端電阻片熱功率大

C．接在CD兩端電阻片熱功率大

D．無法比較

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