【題目】標(biāo)志著人類科學(xué)時(shí)代的開始是

A. 牛頓力學(xué)的創(chuàng)立 B. 哥白尼的“太陽中心說”

C. 達(dá)爾文的“進(jìn)化論” D. 瓦特改良蒸汽機(jī)

【答案】A

【解析】牛頓經(jīng)典力學(xué)的發(fā)明標(biāo)志著近代科學(xué)時(shí)代的開始,故A正確;B是推翻中世紀(jì)“地心說”理論;C屬于生物學(xué)成就,晚于經(jīng)典力學(xué);D屬于技術(shù)成就。

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】跳傘是一項(xiàng)勇敢者的游戲,人在跳傘時(shí),下述各對力的描述正確的是(  )

A.地球?qū)θ说奈腿藢Φ厍虻奈κ且粚ζ胶饬?/span>

B.人受到的重力和氣流對人向上的力是一對相互作用力

C.人受到的重力和人對氣流向下的力是一對平衡力

D.人對氣流向下的力和氣流對人向上的力是一對相互作用力

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】理想化模型法是物理學(xué)中的一種重要研究方法。這種方法的主要特點(diǎn)是,通過科學(xué)抽象,把實(shí)際問題理想化,突出強(qiáng)調(diào)研究對象或過程某一方面的主要特征,而忽略其他方面的次要特征。下列不屬于物理學(xué)中的理想模型的是(

A.點(diǎn)電荷B.輕質(zhì)彈簧C.條形磁鐵D.自由落體運(yùn)動(dòng)

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示,邊長為L的正方形abcd為兩個(gè)勻強(qiáng)磁場的邊界,正方形內(nèi)磁場的方向垂直紙面向外。磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,正方形外的磁場范圍足夠大,方向垂直紙面向里、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小也為B;把一個(gè)離子源放在頂點(diǎn)a處,它將沿ac連線方向發(fā)射質(zhì)量也為m、電荷量為qq>0、初速度為的帶負(fù)電粒子重力不計(jì),下列說法正確的是

A粒子在磁場中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為L

B粒子在磁場中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的周期為

C粒子第一次到達(dá)c點(diǎn)所用的時(shí)間為

D粒子第一次返回a點(diǎn)所用的時(shí)間為

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】一個(gè)物體所受重力在下列哪些情況下要發(fā)生變化

A. 把它從赤道拿到南極

B. 把它送到月球上去

C. 把它放到水里

D. 改變它的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】一物體自原點(diǎn)開始在x軸上運(yùn)動(dòng),其初速度v0<0,加速度a<0,當(dāng)加速度不斷減小直至為零時(shí),物體的( 。

A. 速度不斷減小,位移不斷減小 B. 速度和位移都不斷增大

C. 當(dāng)a=0時(shí),速度達(dá)到最大 D. 當(dāng)a=0時(shí),速度為0,位移達(dá)到最小值

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示,在xoy坐標(biāo)系中,兩平行金屬板AB、OD如圖甲放置,OD與x軸重合,板的左端與原點(diǎn)O重合,板長為L,板間距離d,緊靠極板右側(cè)有一熒光屏;兩金屬板間電壓UAO變化規(guī)律如圖所示,變化周期為T,U0=,t=0時(shí)刻一帶正電的粒子從左上角A點(diǎn),以平行于AB邊v0射入板間,25T時(shí)恰好落在熒光屏BD上,粒子電量q,質(zhì)量m不計(jì)粒子所受重力求:

1金屬板AB長度;

2粒子打到熒光屏上的縱坐標(biāo);

3粒子打到屏上的速度大小

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示,水平地面上有一車廂,車廂內(nèi)固定的平臺通過相同的彈簧把相同的物塊A、B壓在豎直側(cè)壁和水平的頂板上,已知A、B與接觸面間的動(dòng)摩擦因數(shù)均為μ,車廂靜止時(shí),兩彈簧長度相同,A恰好不下滑,最大靜摩擦力等于滑動(dòng)摩擦力,重力加速度為g現(xiàn)使車廂沿水平方向加速運(yùn)動(dòng),為保證A、B仍相對車廂靜止,則

A速度可能向左,加速度可大于1+μg

B加速度一定向右,不能超過1-μg

C加速度一定向左,不能超過μg

D加速度一定向左,不能超過1-μg

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】兩固定點(diǎn)電荷A、B帶電量qA>qB,在真空中相距為L0,現(xiàn)將檢驗(yàn)電荷q置于某一位置時(shí)所受庫侖力恰好為零,則此位置當(dāng)AB為:

A同種電荷時(shí),在AB連線上靠近A一側(cè)

B同種電荷時(shí),在BA連線的延長線上靠近B一側(cè)

C異種電荷時(shí),在A、B連線上靠近A一側(cè)

D異種電荷時(shí),在AB連線的延長線上靠近B一側(cè)

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