【題目】關(guān)于電源的電動勢,下列說法正確的是( 。
A.同一電源接入不同的電路,電動勢會發(fā)生變化
B.電動勢公式中的W與電壓公式中的W是一樣的,都是電場力所做的功
C.電源的電動勢在數(shù)值上等于將單位正電荷從電源負(fù)極移到正極非靜電力所做的功
D.1號干電池比7號干電池的體積大,所以1號干電池比7號干電池的電動勢大
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,A、B兩質(zhì)點(diǎn)從同一點(diǎn)O分別以相同的水平速度v0沿x軸正方向拋出,A在豎直平面內(nèi)運(yùn)動,落地點(diǎn)為P1;B沿光滑斜面運(yùn)動,落地點(diǎn)為P2,P1和P2在同一水平面上,不計阻力,則下列說法正確的是( )
A. A、B的運(yùn)動時間相同
B. A、B沿x軸方向的位移相同
C. A、B運(yùn)動過程中的加速度大小相同
D. A、B落地時速度大小相同
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,一足夠長的輕質(zhì)滑板置于光滑水平地面上,滑板上放有質(zhì)量分別為和的 A、B兩物塊,A、B與滑板之間的動摩擦因數(shù)都為,一水平恒力F作用在A物體上,重力加速度g取,A、B與滑板之間的最大靜摩擦力等于滑動摩擦力,則當(dāng)F逐漸增大時,A、B的加速度為和,下列說法正確的是:
A. 若,則A、B物塊及木板都靜止不動
B. 若,則A、B物塊的加速度都為
C. 無論外力多大,B物塊與木板都不會發(fā)生相對滑動
D. 若,B物塊的加速度為
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】如圖所示,框架面積為S,框架平面與磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場方向垂直,則穿過平面的磁通量為_____,若使框架繞轉(zhuǎn)過角,則穿過線框平面的磁通量為________;若從初始位置轉(zhuǎn)過角,則穿過線框平面的磁通量為________;若從初始位置轉(zhuǎn)過角,則穿過線框平面的磁通量變化量為________。
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【題目】如圖甲所示為某實驗小組成員研究某金屬發(fā)生光電效應(yīng)的遏止電壓隨照射光頻率變化關(guān)系的實驗裝置,圖乙為實驗得到的遏止電壓隨照射光頻率變化的關(guān)系圖象,電子的電荷量e=1.6×10-19 C,則下列說法正確的是( )
A. 圖甲中滑動變阻器的滑片移到最左端,電流計G的示數(shù)為零
B. 由圖乙得普朗克常量為6.4×10-33 J·s
C. 由圖乙可知,該金屬的極限頻率為5.0×1014 Hz
D. 當(dāng)照射光的頻率為17.5×1014 Hz時,逸出的光電子的最大初動能為3.2×10-19 J
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】靜止在勻強(qiáng)磁場中的核發(fā)生α衰變,產(chǎn)生一個未知粒子x,它們在磁場中的運(yùn)動徑跡如圖所示.下列說法正確的是( )
A. 該核反應(yīng)方程為
B. 粒子和粒子x在磁場中做圓周運(yùn)動時轉(zhuǎn)動方向相同
C. 軌跡1、2分別是粒子、x粒子的運(yùn)動徑跡
D. 粒子、x粒子運(yùn)動徑跡半徑之比為45:1
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【題目】μ子與氫原子核(質(zhì)子)構(gòu)成的原子稱為μ氫原子(hydrogen muon atom),它在原子核物理的研究中有重要作用,圖為μ氫原子的能級示意圖.假定光子能量為E的一束光照射容器中大量處于n=2能級的μ氫原子,μ氫原子吸收光子后,發(fā)出頻率為、、、、和的不同頻率光,且頻率依次增大,則E等于( )
A. h(-) B. h(+) C. h D. h
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】用伏安法測一節(jié)干電池的電動勢E和內(nèi)阻r,所給的器材有:
A.電壓表V:
B.電流表A:
C.滑動變阻器(總阻值為)
D.滑動變阻器(總阻值為)
E.開關(guān)S和導(dǎo)線若干
(1)電壓表量程選用__________(選填“0~3V”或“0~15V”);滑動變阻器選用______(選填“”或“”);
(2)在圖甲中將電壓表接入實驗電路中______;
(3)在圖乙中已畫出七組實驗數(shù)據(jù)所對應(yīng)的坐標(biāo)點(diǎn),請根據(jù)這些點(diǎn)作出圖線_______,并由圖線求出_____V,________。
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科目:高中物理 來源: 題型:
【題目】某多用表內(nèi)部的部分電路如圖所示,已知微安表表頭內(nèi)阻Rg=100Ω,滿偏電流Ig=200μA,定值電阻R1=2.5Ω,R2=22.5Ω,電源電動勢E=1.5V,則該多用表
(1)A接線柱應(yīng)該是與___________(填“紅”或“黑”)表筆連接;
(2)當(dāng)選擇開關(guān)接___________(填“a”或“b”)檔時其對應(yīng)的電阻檔的倍率更高;
(3)若選a檔測量電阻,則原表盤100μA,對應(yīng)的電阻刻度值應(yīng)當(dāng)為_______Ω;原表盤50μA的刻度,對應(yīng)的電阻刻度值應(yīng)當(dāng)為______Ω。
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