如圖所示的直角三角形ABC是玻璃磚的橫截面,,E為BC邊的中點(diǎn)。一束平行于AB的光束從AC邊上的某點(diǎn)射入玻璃磚,進(jìn)入玻璃磚后,在BC邊上的E點(diǎn)被反射,EF是該反射光線,一且EF恰與AC平行。求:

①玻璃磚的折射率;

②該光束從AC邊上射入玻璃磚后在玻璃磚中傳播的時(shí)間。


【答案解析】① 解析 :解:①作出光路圖,光線在AC面上的入射角為60°,折射角為30°,

則折射率

②因?yàn)榘l(fā)生全反射的臨界角為,所以光線在在F點(diǎn)發(fā)生全反射,在E、H點(diǎn)不能發(fā)生全反射。作出光束經(jīng)BC面反射后的光路圖。(2分)

該光束經(jīng)一次反射后,到緊接著的一次射出玻璃磚發(fā)生在H點(diǎn),則本題所求時(shí)間為

……

………………

聯(lián)立解得 ……………………


練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:


科學(xué)研究發(fā)現(xiàn)太陽發(fā)光是由于其內(nèi)部不斷發(fā)生從氫核到氦核的核聚變反應(yīng),即在太陽內(nèi)部4個(gè)氫核轉(zhuǎn)化成一個(gè)氦核和兩個(gè)正電子并放出能量.已知質(zhì)子的質(zhì)量, α粒子的質(zhì)量,電子的質(zhì)量.1u的質(zhì)量相當(dāng)于931.5MeV的能量.

①寫出該熱核反應(yīng)方程;

②一個(gè)氫核反應(yīng)平均釋放出多少MeV的能量?(結(jié)果保留4位有效數(shù)字)

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科目:高中物理 來源: 題型:


如圖所示,閉合線圈在勻強(qiáng)磁場中運(yùn)動(dòng),圖示時(shí)刻能產(chǎn)生感應(yīng)電流的是

 


A                 B                    C                  D 

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科目:高中物理 來源: 題型:


2013年12月11日,“嫦娥三號(hào)”從距月面高度為100km的環(huán)月圓軌道Ⅰ上的P點(diǎn)實(shí)施變軌,進(jìn)入近月點(diǎn)為15km的橢圓軌道Ⅱ,由近月點(diǎn)Q成功落月,如圖所示。關(guān)于“嫦娥三號(hào)”,下列說法正確的是

A.沿軌道Ⅰ運(yùn)動(dòng)至P時(shí),需制動(dòng)減速才能進(jìn)入軌道Ⅱ

B.沿軌道Ⅱ運(yùn)行的周期大于沿軌道Ⅰ運(yùn)行的周期

C.沿軌道Ⅱ運(yùn)行時(shí),在P點(diǎn)的加速度大于在Q點(diǎn)的加速度

D.在軌道Ⅱ上由P點(diǎn)運(yùn)行到Q點(diǎn)的過程中,萬有引力對(duì)其做負(fù)功

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如圖所示,風(fēng)洞實(shí)驗(yàn)室中能模擬產(chǎn)生恒定向右的風(fēng)力。質(zhì)量的小球穿在長的直桿上并置于實(shí)驗(yàn)室中,球與桿間的動(dòng)摩擦因數(shù)為0.5,當(dāng)桿豎直固定放置時(shí),小球恰好能勻速下滑。保持風(fēng)力不變,改變固定桿與豎直線的夾角,將小球從O點(diǎn)靜止釋放。g取10m/s2,,,求:

(1)小球受到的風(fēng)力大小;

(2)當(dāng)時(shí),小球離開桿時(shí)的動(dòng)能。

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一列沿x軸傳播的簡諧橫波,振幅為A,波長為λ,某時(shí)刻的波形圖如圖所示,在該時(shí)刻某一質(zhì)點(diǎn)的坐標(biāo)為(λ,0),經(jīng)T后,該質(zhì)點(diǎn)的坐標(biāo)有可能為(      )

λ,0     ②λ,-A ③λ,A      ④λ,A

其中正確的是A.只有②  B.②③C.只有①        D.只有④

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如圖,在豎直面內(nèi)有兩平行金屬導(dǎo)軌AB、CD。導(dǎo)軌間距為L,電阻不計(jì)。一根電阻不計(jì)的金屬棒ab可在導(dǎo)軌上無摩擦地滑動(dòng)。棒與導(dǎo)軌垂直,并接觸良好。導(dǎo)軌之間有水平向外的勻強(qiáng)磁場,磁感強(qiáng)度為B。導(dǎo)軌右邊與電路連接。電路中的三個(gè)定值電阻阻值分別為2RRR。在BD間接有一水平放置的平行板電容器C,板間距離為d。當(dāng)ab棒以速度v0一直向左勻速運(yùn)動(dòng)時(shí),在電容器正中心的質(zhì)量為m的帶電微粒恰好處于靜止?fàn)顟B(tài)。

(1)試判斷微粒的帶電性質(zhì)及所帶電量的大小。

(2)若ab棒突然以2v0的速度一直向左勻速運(yùn)動(dòng),則帶電微粒經(jīng)多長時(shí)間運(yùn)動(dòng)到電容器的上板?其電勢能和動(dòng)能各增加了多少?

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如圖甲所示,表面絕緣、傾角q=30°的斜面固定在水平地面上,斜面的頂端固定有彈性擋板,擋板垂直于斜面,并與斜面底邊平行。斜面所在空間有一寬度D=0.40m的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,其邊界與斜面底邊平行,磁場方向垂直斜面向上,磁場上邊界到擋板的距離s=0.55m。一個(gè)質(zhì)量m=0.10kg、總電阻R=0.25W的單匝矩形閉合金屬框abcd,放在斜面的底端,其中ab邊與斜面底邊重合,ab邊長L=0.50m。從t=0時(shí)刻開始,線框在垂直cd邊沿斜面向上大小恒定的拉力作用下,從靜止開始運(yùn)動(dòng),當(dāng)線框的ab邊離開磁場區(qū)域時(shí)撤去拉力,線框繼續(xù)向上運(yùn)動(dòng),并與擋板發(fā)生碰撞,碰撞過程的時(shí)間可忽略不計(jì),且沒有機(jī)械能損失。線框向上運(yùn)動(dòng)過程中速度與時(shí)間的關(guān)系如圖乙所示。已知線框在整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程中始終未脫離斜面,且保持ab邊與斜面底邊平行,線框與斜面之間的動(dòng)摩擦因數(shù)m=/3,重力加速度g取10 m/s2。

(1)求線框受到的拉力F的大。

(2)求勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大;

(3)已知線框向下運(yùn)動(dòng)通過磁場區(qū)域過程中的速度v隨位移x的變化規(guī)律滿足vv0-(式中v0為線框向下運(yùn)動(dòng)ab邊剛進(jìn)入磁場時(shí)的速度大小,x為線框ab邊進(jìn)入磁場后對(duì)磁場上邊界的位移大小),求線框在斜面上運(yùn)動(dòng)的整個(gè)過程中產(chǎn)生的焦耳熱Q

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關(guān)于運(yùn)動(dòng)和力的關(guān)系,下列說法正確的是(    )

A.物體在恒力作用下不可能做直線運(yùn)動(dòng)

B.物體在恒力作用下不可能做曲線運(yùn)動(dòng)

C.物體在恒力作用下不可能做圓周運(yùn)動(dòng)

D.物體在恒力作用下不可能做平拋運(yùn)動(dòng)

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