如圖所示,a、b、c為同一條電場線上的三點(diǎn),c為ab連線的中點(diǎn),a、b兩點(diǎn)的電勢分別為φa=5V,φb=3V.下列說法正確的是 

A.c點(diǎn)的電勢一定為4V

B.a(chǎn)點(diǎn)的場強(qiáng)一定比b點(diǎn)場強(qiáng)大

C.電場線的方向一定向右

D.正點(diǎn)電荷從c點(diǎn)運(yùn)動到b點(diǎn)電勢能一定減少

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:


伽利略創(chuàng)造的把實(shí)驗(yàn)、假設(shè)和邏輯推理相結(jié)合的科學(xué)方法,有力地促進(jìn)了人類科學(xué)認(rèn)識的發(fā)展.利用如圖所示的裝置做如下實(shí)驗(yàn):小球從左側(cè)斜面上的O點(diǎn)由靜止釋放后沿斜面向下運(yùn)動,并沿右側(cè)斜面上升.斜面上先后鋪墊三種粗糙程度逐漸減低的材料時(shí),小球沿右側(cè)斜面上升到的最高位置依次為1、2、3.根據(jù)三次實(shí)驗(yàn)結(jié)果的對比,可以得到的最直接的結(jié)論是(  )

A.如果斜面光滑,小球?qū)⑸仙脚cO點(diǎn)等高的位置

B.如果小球不受力,它將一直保持勻速運(yùn)動或靜止?fàn)顟B(tài)

C.如果小球受到力的作用,它的運(yùn)動狀態(tài)將發(fā)生改變

D.小球受到的力一定時(shí),質(zhì)量越大,它的加速度越小

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如圖所示,一個(gè)小滑塊(可視為質(zhì)點(diǎn))從離B點(diǎn)高H =12m處,由靜止開始通過光滑弧形軌道AB,進(jìn)入半徑R=4m的豎直圓環(huán),且滑塊與圓環(huán)動摩擦因數(shù)處處相等。當(dāng)?shù)竭_(dá)環(huán)頂C時(shí),剛好對軌道壓力為零:沿CB圓弧滑下后,進(jìn)入光滑弧形軌道BD,且到達(dá)離B點(diǎn)高h(yuǎn)的D點(diǎn)時(shí),速度為零。則h不可能為

A. 12m     B.13 m     C.8.5m     D. 7m

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人用手托著質(zhì)量為m的物體,從靜止開始沿水平方向運(yùn)動,前進(jìn)距離L后,速度為v(物體與手始終相對靜止),物體與人手掌之間的動摩擦因數(shù)為μ,則人對物體做的功為( 。

A.mgL     B.0      C.μmgL     D.

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如圖所示,A、B兩物塊質(zhì)量均為m,用一輕彈簧相連,將A用長度適當(dāng)?shù)妮p繩懸掛于天花板上,系統(tǒng)處于靜止?fàn)顟B(tài),B物塊恰好與水平桌面接觸,此時(shí)輕彈簧的伸長量為x,現(xiàn)將懸繩剪斷,則下列說法正確的是( 。

A.懸繩剪斷瞬間A物塊的加速度大小為2g

B.懸繩剪斷瞬間A物塊的加速度大小為g

C.懸繩剪斷后A物塊向下運(yùn)動距離2x時(shí)速度最大

D.懸繩剪斷后A物塊向下運(yùn)動距離x時(shí)加速度最小

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如圖所示,平行板電容器經(jīng)開關(guān)S與電池連接,a處有一電荷量非常小的點(diǎn)電荷,S是閉合的,φa表示a點(diǎn)的電勢,F(xiàn)表示點(diǎn)電荷受到的電場力.現(xiàn)將電容器的B板向下稍微移動,使兩板間的距離增大,則(    )

A.φa變大,F(xiàn)變大   B.φa變大,F(xiàn)變小

C.φa不變,F(xiàn)不變   D.φa不變,F(xiàn)變小

 


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用伏安法測某電阻的阻值,用安培表的內(nèi)接法測量時(shí),兩只電表的讀數(shù)分別為3V、3mA;用安培表的外接法測量時(shí),兩只電表的讀數(shù)分別為2.9V、4mA。則在本次實(shí)驗(yàn)中:電路應(yīng)選擇安培表的       (填“內(nèi)”或“外”)接法,該電阻測量值為         Ω,比這個(gè)電阻的真實(shí)值          (填“偏大”或“偏小”)。

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下列說法正確的是(     ) (填正確答案標(biāo)號,選對1個(gè)得2分,選對2個(gè)得4分,選對3個(gè)得5分;選錯(cuò)1個(gè)扣3分,最低得分為0分)

(A)氣體的內(nèi)能是分子熱運(yùn)動的動能和分子間勢能之和;

(B)氣體對器壁的壓強(qiáng)是由大量氣體分子對器壁不斷碰撞而產(chǎn)生的;

(C)一鍋水中撒一點(diǎn)胡椒粉,加熱時(shí)發(fā)現(xiàn)水中的胡椒粉在翻滾,這說明溫度越高布朗運(yùn)動越激烈.;

(D)液晶是一種晶體, 液晶的光學(xué)性質(zhì)隨溫度的變化而變化;

(E)晶體熔化時(shí)具有一定的熔點(diǎn),晶體和非晶體在適當(dāng)條件下是可以相互轉(zhuǎn)化的.

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如圖,A、B、C、D、E、F為勻強(qiáng)電場中一個(gè)邊長為10cm的正六邊形的六個(gè)頂A、B、C三點(diǎn)電勢分別為1V、2V、3V, 則下列說法正確的是( )

A.勻強(qiáng)電場的場強(qiáng)大小為10V/m

B.勻強(qiáng)電場的場強(qiáng)大小為

C.電荷量為 C的正點(diǎn)電荷從E點(diǎn)移到F點(diǎn),電荷克服電場力做功為J

D.電荷量為C的負(fù)點(diǎn)電荷從F點(diǎn)移到D點(diǎn),電荷的電勢能減少 J

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