A.電阻R1消耗的熱功率為
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B.電阻R1消耗的熱功率為
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C.整個裝置因摩擦而消耗的熱功率為μmgvcosθ | ||
D.整個裝置消耗的機械功率為(F+μmgcosθ)v |
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如圖所示,平行光滑金屬導軌P,Q相距L=0.5m,足夠長,導軌平面與水平 面的夾角θ=30°,導體棒ab質(zhì)量m0=0.2kg,垂直放在導軌P,Q上。勻強磁場磁感應 強度B=1T,方向垂直于導軌平面向上。導軌P、Q與導體棒ab、電阻R1電阻 R2組成閉合回路。水平放置的平行金屬板M、N接在R2兩端,M、N之間的電場可視為勻強電場。R1=1Ω,R2=1.5Ω,不計導軌和導 體棒電阻,重力加速度g=10m/s2。
(1) 當從靜止釋放導體棒,求導體棒沿導軌勻速下滑時速度v的大?
(2)當導體棒沿導軌勻速下滑時,一荷質(zhì)比為4x106CVkg的帶正電微粒以初速度V0從M、N的正中間水平向右射入,打在極板上的速度與水平方向成60°角,不計微粒重力,求v0的大小?
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如圖所示,平行光滑金屬導軌P,Q相距L=0.5m,足夠長,導軌平面與水平 面的夾角θ=30°,導體棒ab質(zhì)量m0=0.2kg,垂直放在導軌P,Q上。勻強磁場磁感應 強度B=1T,方向垂直于導軌平面向上。導軌P、Q與導體棒ab、電阻R1電阻 R2組成閉合回路。水平放置的平行金屬板M、N接在R2兩端,M、N之間的電場可視為勻強電場。R1=1Ω,R2=1.5Ω,不計導軌和導 體棒電阻,重力加速度g=10m/s2。
(1) 當從靜止釋放導體棒,求導體棒沿導軌勻速下滑時速度v的大?
(2)當導體棒沿導軌勻速下滑時,一荷質(zhì)比為4x106CVkg的帶正電微粒以初速度V0從M、N的正中間水平向右射入,打在極板上的速度與水平方向成60°角,不計微粒重力,求v0的大?
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