科學(xué)研究中常用到質(zhì)譜儀.有一類質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理如下圖所示,離子源S產(chǎn)生質(zhì)量為m、電荷量為q的離子.離子產(chǎn)生出來時(shí)速度很小,可以看做是靜止的.離子經(jīng)過電壓U加速,進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),沿著半圓周運(yùn)動(dòng)而到達(dá)記錄它的照相底片的P點(diǎn).測(cè)得P點(diǎn)的位置到入口處的距離為x,試證明離子的質(zhì)量

答案:略
解析:

證明:設(shè)離子經(jīng)加速后以v進(jìn)入磁場(chǎng),則在加速過程依動(dòng)能定理有       、

進(jìn)入磁場(chǎng)后離子做勻速圓周運(yùn)動(dòng),洛倫茲力提供向心力,有

依題意 x=2R         、

由①②式可解得          、

將③式變形得代入④,有


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相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

科學(xué)研究中常用到質(zhì)譜儀.有一類質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理如圖所示,離子源S產(chǎn)生質(zhì)量為m、電荷量為q的離子,離子產(chǎn)生出來時(shí),速度很小,可以看作是靜止的.離子經(jīng)過電壓U加速后,垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),沿著半圓周運(yùn)動(dòng),到達(dá)記錄它的照相底片的P點(diǎn).測(cè)得P點(diǎn)到入口處的距離為x,試證明粒子的質(zhì)量m=x2.

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